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Diodos (453)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4733BULK | 0.1800 |  | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4733BULK | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | |||||||||||
 | 1n5256bbulk | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5256BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | |||||||||||
| 1N5394T/R | 0.0400 | | 40 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5394T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1n4746abulk | 0.1800 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1n4746abulk | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | |||||||||||
| 1N5248BBULK | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5248BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 21 ohmios | |||||||||||
| 1N4751AT/R | 0.0600 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4751AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 22.8 V | 30 V | 40 ohmios | |||||||||||
| 1N5395BULK | 0.1800 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5395BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1n5245bbulk | 0.1800 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5245BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | |||||||||||
| 1N5260BBULK | 0.1800 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5260BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | |||||||||||
| RBV810 | 1.3000 | | 700 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV810 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 1000 V | 8 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||
| RBV1006 | 1.4600 | | 500 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1006 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 5 a | 10 µA @ 600 V | 10 A | Fase única | 600 V | ||||||||||
| RBV2506 | 2.0600 | | 100 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV2506 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 600 V | 25 A | Fase única | 600 V | ||||||||||
| RBV1008 | 1.4600 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1008 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 5 a | 10 µA @ 800 V | 10 A | Fase única | 800 V | ||||||||||
| 1N5256BT/R | 0.0400 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5256BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | |||||||||||
| 1N4728AT/R | 0.0500 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4728AT/RTR | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | |||||||||||
| FR105T/R | 0.0400 | | 29 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR105T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| BR602 | 0.6300 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br602 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| 1n5394bulk | 0.1800 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5394BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| BR1508 | 2.5600 | | 700 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1508 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 800 V | 15 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| 1N5253BT/R | 0.0400 | | 60 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5253BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 19 V | 25 V | 35 ohmios | |||||||||||
| 1n4746bulk | 0.1800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4746BULK | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 20 ohmios | |||||||||||
| 1N4739Abulk | 0.1800 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4739Abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 7 V | 9.1 V | 5 ohmios | |||||||||||
| 1N5396T/R | 0.0400 | | 40 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5396T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| 1n5244bbulk | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5244BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 15 ohmios | |||||||||||
 | MR850BULK | 0.2100 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-MR850BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.25 v @ 3 a | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| SR1R | 0.2500 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-SR1RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 3 V @ 500 Ma | 200 ns | 5 µA @ 2000 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 500mA | 5PF @ 4V, 1MHz | ||||||||
| 1N5255BBULK | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5255BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 21 V | 28 V | 44 ohmios | |||||||||||
| RBV2510 | 2.3100 | | 600 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV2510 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 1000 V | 25 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||
| SB390 | 0.1338 | | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-SB390TR | 8541.10.0000 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 790 MV @ 3 A | 500 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
| 1N5246BT/R | 0.0400 | | 30 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5246BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios |
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