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Diodos (453)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5231BBULK | 0.1800 |  | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5231BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | |||||||||||
 | Fepf16dt | 1.6600 | | 530 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Estándar | ITO-220AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-fepf16dt | 8541.10.0000 | 50 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 8 A | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | 85pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| Sf56-bulk | 0.6700 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-SF56-BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.7 V @ 5 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
| KBP204 | 0.8500 | | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-kbp204 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 400 V | 2 A | Fase única | 400 V | ||||||||||
| RBV1010 | 1.6900 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV1010 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 5 a | 10 µA @ 1000 V | 10 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||
| 1N5241BBULK | 0.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5241BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 8.4 V | 11 V | 22 ohmios | |||||||||||
| BR1004 | 0.9800 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1004 | 8541.10.0000 | 200 | 1.1 v @ 5 a | 10 µA @ 400 V | 10 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| 1N5377BBULK | 0.3800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5377BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 69.2 V | 91 V | 75 ohmios | |||||||||||
| BR2504 | 2.9600 | | 650 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2504 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | 25 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
| SZ6515 | 0.1052 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 5 W | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-SZ6515TR | 8541.10.0000 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 11.5 V | 15 V | 2.5 ohmios | |||||||||||
| 1N755AT/R | 0.0300 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N755AT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 7.5 V | 6 ohmios | |||||||||||
 | 1n5401bulk | 0.1800 | | 14 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5401BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 3 A | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
| 1N4933BULK | 0.1800 | | 98 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4933BULK | 8541.10.0000 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.2 v @ 1 a | 150 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| 1n5230bbulk | 0.1800 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5230BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | |||||||||||
| 1N5357BBULK | 0.3800 | | 12 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5357BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 15.2 V | 20 V | 3 ohmios | |||||||||||
| RBV600 | 0.9900 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, RBV-25 | Estándar | RBV-25 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-RBV600 | 8541.10.0000 | 100 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 50 V | ||||||||||
| MURA110 | 0.8500 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-mura110 | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 875 MV @ 1 A | 30 ns | 2 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2a | - | |||||||||
| 1N5223BT/R | 0.0400 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5223BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | |||||||||||
| 1N5225BBULK | 0.1800 | | 500 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5225BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios | |||||||||||
| 1N5232BBULK | 0.1800 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5232BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 11 ohmios | |||||||||||
| 1n5381bbulk | 0.3800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | 5 W | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5381BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 98.8 V | 130 V | 190 ohmios | |||||||||||
| 1N4732AG | 0.1800 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4732AG | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | |||||||||||
| 1N5240BT/R | 0.0400 | | 20 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5240BT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohmios | |||||||||||
| Fkbl406mbulk | 1.8500 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FKBL406MBULK | 8541.10.0000 | 50 | 1.4 v @ 4 a | 10 µA @ 600 V | 4 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| 1N4750A | 0.1800 | | 11 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4750A | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | |||||||||||
| Hes303bulk | 0.2500 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER303BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| 1N4758Abulk | 0.1800 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1n4758abulk | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | |||||||||||
| BR1502 | 2.3500 | | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1502 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 200 V | 15 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
| 1n4747abulk | 0.1800 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1n4747abulk | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | |||||||||||
| 1N5393T/R | 0.0400 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5393T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 1.5 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz |
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