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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5233BBULK | 0.1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5233BBULK | 8541.10.0000 | 500 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4763A | 0.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4763ATR | 8541.10.0000 | 2,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4750AT/R | 0.0600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4750AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4749BULK | 0.1800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N4749BULK | 8541.10.0000 | 1,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N5402BULK | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5402BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | 1N5402T/R | 0.0800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5402T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 3 A | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
![]() | Fr105bulk | 0.2100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR105BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | Fr305bulk | 0.2100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR305BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | KBP202 | 0.8500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-kbp202 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 200 V | 2 A | Fase única | 200 V | |||||||||||
![]() | MR2504 | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | Automotor | Bolsa | Activo | Montaje en superficie | Botón de Microdo | Estándar | Señor | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-MR2504 | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 25 A | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | ||||||||||
![]() | KBL404 | 1.1300 | ![]() | 500 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-KBL404 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 400 V | 4 A | Fase única | 400 V | |||||||||||
![]() | KBP201 | 0.8000 | ![]() | 900 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-kbp201 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 100 V | 2 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
![]() | DR204T/R | 0.0600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-DR204T/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2a | 75pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Hvr320bulk | 0.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HVR320BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 2000 V | 2.2 v @ 3 a | 10 µA @ 2000 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | 36pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | BR3504W | 2.5900 | ![]() | 600 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-50W | Estándar | BR-50W | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR3504W | 8541.10.0000 | 40 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 400 V | 35 A | Fase única | 400 V | ||||||||||||
![]() | 1N757AT/R | 0.0300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N757AT/RTR | 8541.10.0000 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | Fr102bulk | 0.2100 | ![]() | 38 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR102BULK | 8541.10.0000 | 600 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | AR3504 | 0.3100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | Automotor | Bolsa | Activo | Montaje en superficie | Botón de Microdo | Estándar | Botón de Microdo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-AR3504 | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 V @ 35 A | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | |||||||||||
![]() | 1n748abulk | 0.2100 | ![]() | 14 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1n748abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||
![]() | HER108BULK | 0.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER108BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1n5819bulk | 0.2100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5819 | Schottky | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5819BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 600 MV @ 1 A | 1 ma @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 110pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BR3500 | 2.6600 | ![]() | 500 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br3500 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 50 V | 35 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
![]() | BR1510 | 2.6600 | ![]() | 450 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br1510 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 7.5 A | 10 µA @ 1000 V | 15 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||||
![]() | HER101BULK | 0.2100 | ![]() | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER101BULK | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.1 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | FR306T/R | 0.1500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR306T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | BR2502 | 2.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2502 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 200 V | 25 A | Fase única | 200 V | ||||||||||||
![]() | BR2500 | 2.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-BR2500 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 10 µA @ 50 V | 25 A | Fase única | 50 V | ||||||||||||
![]() | FR305T/R | 0.1400 | ![]() | 11 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR305T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 3 A | 250 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||
![]() | 3EZ150D5 | 0.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 3 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-3EZ150D5 | 8541.10.0000 | 500 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 114 V | 150 V | 550 ohmios | ||||||||||||
![]() | MR850T/R | 0.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-MR850T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.25 v @ 3 a | 150 ns | 10 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz |
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