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Diodos (453)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MR854T/R | 0.1100 |  | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-MR854T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 3 a | 150 ns | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 28pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
 | BR801 | 1.3500 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br801 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 100 V | 8 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
| BR600 | 0.7300 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br600 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 50 V | 6 A | Fase única | 50 V | |||||||||||
| Byd13mbulk | 0.2100 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Avalancha | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-byd13mbulk | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.05 v @ 1 a | 1 µA @ 1000 V | 175 ° C | 1.4a | - | ||||||||||
| 1N4005T/R | 0.0300 | | 75 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-1N4005T/RTR | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 1 a | 2 µs | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| KBP206 | 0.8500 | | 19 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 125 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBP | Estándar | KBP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-kbp206 | 8541.10.0000 | 100 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | 2 A | Fase única | 600 V | ||||||||||
| BR5006 | 4.0000 | | 300 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br5006 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 600 V | 50 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| 1N5923BT/R | 0.0500 | | 10 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5923BT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 5 µA @ 6.5 V | 8.2 V | 3.5 ohmios | ||||||||||||
| HER108T/R | 0.1100 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER108T/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| KBL402 | 1.1000 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-KBL402 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 200 V | 4 A | Fase única | 200 V | ||||||||||
| BR610 | 0.3900 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-Br610 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 1000 V | 6 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||
| Por 399 | 0.2400 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-by399 | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.25 v @ 3 a | 250 ns | 10 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
| KBL401 | 1.0200 | | 2 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-KBL401 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 100 V | 4 A | Fase única | 100 V | ||||||||||
| KBL408 | 1.1800 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBL | Estándar | KBL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-KBL408 | 8541.10.0000 | 100 | 1.1 v @ 4 a | 10 µA @ 800 V | 4 A | Fase única | 800 V | ||||||||||
| BR810 | 1.2200 | | 400 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-10 | Estándar | BR-10 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Información de Alcance Disponible A Pedido | 2439-Br810 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 4 a | 10 µA @ 1000 V | 8 A | Fase única | 1 kV | ||||||||||
| FBR3506 | 3.5300 | | 150 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FBR3506 | 8541.10.0000 | 50 | 1.3 V @ 17.5 A | 10 µA @ 600 V | 35 A | Fase única | 600 V | |||||||||||
| DR206T/R | 0.0600 | | 9 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-DR206T/RTR | 8541.10.0000 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 2A | 75pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| BR601 | 0.6800 | | 800 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, BR-6 | Estándar | BR-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br601 | 8541.10.0000 | 200 | 1 v @ 3 a | 10 µA @ 100 V | 6 A | Fase única | 100 V | |||||||||||
| HER506T/R | 0.2800 | | 15 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER506T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| Ba158bulk | 0.2100 | | 13 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Estándar | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-ba158bulk | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 20pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| Byd13gbulk | 0.2100 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Avalancha | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-byd13gbulk | 8541.10.0000 | 500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.05 v @ 1 a | 1 µA @ 400 V | 175 ° C | 1.4a | - | ||||||||||
| BR3508 | 2.8900 | | 1 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br3508 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 V @ 17.5 A | 10 µA @ 800 V | 35 A | Fase única | 800 V | |||||||||||
| FR307T/R | 0.1600 | | 7 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR307T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| BR5010 | 4.9000 | | 600 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | 4 Cuadrado, BR-50 | Estándar | BR-50 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-Br5010 | 8541.10.0000 | 50 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 1000 V | 50 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||
| 1N5931AT/R | 0.1000 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1N5931AT/RTR | 8541.10.0000 | 5,000 | 1 µA @ 13.7 V | 18 V | 12 ohmios | ||||||||||||
| HES306T/R | 0.2000 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-HER306T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.7 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
| FR303T/R | 0.1300 | | 5 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-FR303T/RTR | 8541.10.0000 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
| Gn2mt/r | 0.1100 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | SMA (DO-214AC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-gn2mt/rtr | 8541.10.0000 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1 v @ 2 a | 5 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | 75pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||
| ESJA04-03A | 0.6500 | | 4 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | M1A | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-ESJA04-03A | 8541.10.0000 | 300 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 3000 V | 12 V @ 10 Ma | 80 ns | 2 µA @ 3000 V | 120 ° C (Máximo) | 1mera | - | |||||||||
 | 1n752abulk | 0.2100 | | 3 | 0.00000000 | EIC Semiconductor Inc. | - | Bolsa | Activo | ± 5% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2439-1n752abulk | 8541.10.0000 | 500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 1 V | 5.6 V | 11 ohmios |
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