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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FH7 | 0.2100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | Estándar | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||||||
![]() | BZX84B13 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzx84bx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Sk36 | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 700 MV @ 3 A | 150 na @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 250pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BAT54C | 0.1200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT54 | Schottky | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 30 V | 200 MMA | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | BZT52C6V2 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzt52cxxx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.45% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZT52B5V1 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzt52bxxx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1.96% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZT52C12 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzt52cxxx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.42% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 8 V | 12 V | 25 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BY500-800 | 0.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.35 v @ 5 a | 200 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | Gr1d | 0.2000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 7.6pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZT52B43 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzt52bxxx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 3.12% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 32 V | 43 V | 100 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZT52B5V6 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzt52bxxx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1.96% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 1 µA @ 2 V | 5.6 V | 40 ohmios | ||||||||||||||
![]() | HS2G | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 v @ 2 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 50pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | By500-1000 | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.35 v @ 5 a | 200 ns | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | 28pf @ 4V, 1MHz | ||||||||||||
![]() | BZX84C20 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzx84cx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 14 V | 20 V | 55 ohmios | ||||||||||||||
![]() | GBJ25K | 1.1200 | ![]() | 840 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBJ | Estándar | GBJ (5S) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-GBJ25K | EAR99 | 8541.10.0080 | 420 | 1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 800 V | 3.5 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||
![]() | BZT52C13S | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzt52cxxxs | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.54% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | 500 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 13 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
![]() | MUR2040CT | 0.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Estándar | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 4786-MOR2040CT | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 20A | 1.5 V @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | SK25A | 0.3000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 700 MV @ 2 A | 150 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2a | 200pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||||
![]() | MMSZ5263B | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Mmsz52xxb | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Sk34b | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 3 A | 200 na @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 250pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | BZX84C3V3 | 0.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzx84cx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.06% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N5399G | 0.3500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.4 V @ 1.5 A | 1 µs | 5 µA @ 1000 V | -50 ° C ~ 150 ° C | 1.5a | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | DF2006S | 0.5100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.2 v @ 2 a | 5 µA @ 600 V | 2 A | Fase única | 600 V | ||||||||||||||
![]() | Sk56b | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 670 MV @ 5 A | 150 na @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 96pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | KBU2508 | 1.5300 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-SIP, KBU | Estándar | Kbu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 400 | 1.1 v @ 25 a | 10 µA @ 800 V | 25 A | Fase única | 800 V | ||||||||||||||
![]() | 1N4148 | 0.1000 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4148 | Estándar | DO-204AH (Vidrio DO-35) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 175 ° C | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | GSR5000 | 0.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | - | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 5000 V | 5 V @ 200 V | V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 15pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | BZT52C10 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzt52cxxx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 45,000 | 900 MV @ 10 Ma | 200 na @ 7 V | 10 V | 20 ohmios | ||||||||||||||
![]() | BZX84C6V2 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | Bzx84cx | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.45% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
![]() | DF10S | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor de Buen Margen | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | DFS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 1.1 V @ 500 Ma | 5 µA @ 1000 V | 1 A | Fase única | 1 kV |
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