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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MTZJT-7713C | - | ![]() | 6411 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 10 V | 13 V | 25 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Bav199hmfht116 | 0.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV199 | Estándar | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 80 V | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 3 µs | 5 na @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||
![]() | RB050L-40TE25 | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RB050 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 3 A | 1 ma @ 40 V | 125 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||
![]() | RB095B-30TL | - | ![]() | 2425 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB095B-30 | Schottky | CPD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 30 V | 3A | 425 MV @ 3 A | 200 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||
![]() | RB053L-30TE25 | 0.3115 | ![]() | 1811 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | RB053 | Schottky | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 420 MV @ 3 A | 200 µA @ 30 V | 125 ° C (Máximo) | 3A | - | |||||||||||
![]() | Rfn6b2dtl | - | ![]() | 4713 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS312AHGC9 | 6.9400 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS312 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220acp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 0 ns | 60 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 12A | 600pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | Ufzvte-1736b | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.61% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | 500 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 27 V | 34.12 V | 75 ohmios | ||||||||||||||
![]() | RB160 mm-90TR | 0.3600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RB160 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 90 V | 730 MV @ 1 A | 100 µA @ 90 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||
![]() | CDZVT2R3.9B | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | CDZVT2 | 100 MW | Vmn2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 5 µA @ 1 V | 3.9 V | 100 ohmios | |||||||||||||
MTZJT-7730C | - | ![]() | 5418 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 23 V | 30 V | 55 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Emz6.8ntl | 0.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | EMZ6.8 | 150 MW | EMD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 par Ánodo Común | 500 na @ 3.5 V | 6.8 V | 40 ohmios | ||||||||||||
![]() | Rr1lam4stftr | 0.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-128 | Rr1lam4 | Estándar | PMDT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-rr1lam4stftrdkr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 400 V | 150 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | RSX101MM-30TFTR | 0.4500 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RSX101 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 390 MV @ 1 A | 200 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||
![]() | Rr2lam6str | 0.5100 | ![]() | 8692 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SOD-128 | RR2LAM6 | Estándar | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 2 a | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||
![]() | Scs205kgc | - | ![]() | 2459 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS205 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.6 v @ 5 a | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 5A | 270pf @ 1v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | 1SS400TE61 | - | ![]() | 9057 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | SC-79, SOD-523 | 1SS400 | Estándar | EMD2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 80 V | 125 ° C (Máximo) | 100mA | 3PF @ 0.5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Ptzte256.2a | 0.2014 | ![]() | 6330 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 6% | - | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Ptzte256.2 | 1 W | PMDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 20 µA @ 3 V | 6.2 V | 6 ohmios | |||||||||||||
![]() | SCS212AGC | - | ![]() | 2801 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | SCS212 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 V @ 12 A | 0 ns | 240 µA @ 600 V | 175 ° C (Máximo) | 12A | 438pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | RB162MM-60TFTR | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RB162 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 650 MV @ 1 A | 100 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||
![]() | Rf501bm2stl | 1.3400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RF501 | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 920 MV @ 5 A | 25 ns | 1 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||
![]() | RB095T-90 | 0.7613 | ![]() | 4435 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB095 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 3A | 750 MV @ 3 A | 150 µA @ 90 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||
![]() | Rbr2mm30atftr | 0.3900 | ![]() | 5540 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RBR2MM30 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 530 MV @ 2 A | 50 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||||||||||
![]() | RB162MM-30TFTR | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RB162 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 520 MV @ 1 A | 100 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | |||||||||||
![]() | TFZGTR22B | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZGTR22 | 500 MW | Tumd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 17 V | 22 V | 30 ohmios | |||||||||||||
![]() | KDZVTR8.2B | 0.3900 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Kdzv | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123F | KDZVTR8.2 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 5 V | 8.75 V | ||||||||||||||
![]() | CDZT2RA6.2B | 0.0841 | ![]() | 8045 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | CDZT2 | 100 MW | Vmn2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 60 ohmios | |||||||||||||
![]() | Tfzvtr3.3b | 0.3700 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | TFZVTR3.3 | 500 MW | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 1 V | 3.3 V | 70 ohmios | |||||||||||||
![]() | SCS212AGC17 | 5.9100 | ![]() | 189 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220ACFP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-SCS212AGC17 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.55 V @ 12 A | 0 ns | 240 µA @ 600 V | 175 ° C | 12A | 438pf @ 1V, 1 MHz | ||||||||||
MTZJT-777.5C | - | ![]() | 7695 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | MTZ J | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | ± 3% | - | A Través del Aguetero | Do-204ag, do-34, axial | 500 MW | MSD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 4 V | 7.5 V | 20 ohmios |
Volumen de RFQ promedio diario
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