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Diodos (3328)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Udzvfhte-1711b | 0.3900 |  | 12 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.09% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvfhte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||
| UDZVFHTE-1713B | 0.3900 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.23% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvfhte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 10 V | 13 V | 37 ohmios | ||||||||||||||||
| UDZVFHTE-172.4B | 0.3500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4.17% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Udzvfhte | 200 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 120 µA @ 1 V | 2.4 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
 | Rb078bm30sfhtl | 1.5700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RB078 | Schottky | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 720 MV @ 5 A | 5 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||||
 | RB218NS-60FHTL | 1.6700 | | 4426 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RB218 | Schottky | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 60 V | 20A | 830 MV @ 10 A | 5 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||
 | Rf071mm2stftr | 0.4800 | | 893 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RF071 | Estándar | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 850 MV @ 700 Ma | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 700mA | - | |||||||||||||
 | Rfn1lam6stftr | 0.5200 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Rfn1lam6 | Estándar | Pmdtm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.45 V @ 800 Ma | 35 ns | 1 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 800mA | - | |||||||||||||
 | RFN10TF6SFHC9 | 1.6900 | | 108 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | RFN10 | Estándar | Un 220nfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 v @ 10 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10A | - | |||||||||||||
| RB162MM-40TFTR | 0.3600 | | 7400 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123F | RB162 | Schottky | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 1 A | 100 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||
 | Scs304amc | 2.8800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | SCS304 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 v @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 4A | 200pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||||
| Scs312amc | 6.5200 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | SCS312 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.5 V @ 12 A | 0 ns | 60 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 12A | 600pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||
 | RB085T-90NZC9 | 1.3300 | | 88 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB085 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 10A | 830 MV @ 5 A | 150 µA @ 90 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||
| Rfv8bm6stl | 1.0200 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RFV8BM6 | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.8 V @ 8 A | 45 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||||||||||
| RB215T-40NZC9 | 1.8700 | | 974 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RB215 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RB215T-40NZC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 20A | 550 MV @ 10 A | 500 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||
| Rfn5tf8sc9 | 1.5600 | | 521 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Rfn5t | Estándar | Un 220nfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RFN5TF8SC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 2.1 v @ 5 a | 40 ns | 10 µA @ 800 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||||||||||
| RBR10T30AnzC9 | 0.9400 | | 910 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RBR10 | Schottky | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-Rbr10T30AnzC9 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 5 A | 100 µA @ 30 V | 150 ° C (Máximo) | 10A | - | |||||||||||||
 | 1SS400CMT2R | 0.2500 | | 23 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | 1SS400 | Estándar | Vmn2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 80 V | 1.2 V @ 100 Ma | 4 ns | 100 na @ 80 V | 150 ° C | 100mA | 3pf @ 500mv, 1 MHz | |||||||||||||
| RB886CMT2R | 0.3600 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 125 ° C (TJ) | 2-SMD, Plano Plano | RB886 | Vmn2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 10 Ma | 0.8pf @ 1V, 1 MHz | Schottky - Single | 5V | - | |||||||||||||||||
| UFZVTE-1715B | 0.3000 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2.63% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-90, SOD-323F | Ufzvte | 500 MW | Umd2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 200 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | ||||||||||||||||
 | BAS16HMT116 | 0.3500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS16 | Estándar | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) | 215 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||
 | RB168VAM-60TR | 0.4800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-SMD, Plano Plano | RB168 | Schottky | Tumd2m | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 820 MV @ 1 A | 1 µA @ 60 V | 150 ° C (Máximo) | 1A | - | ||||||||||||||
| BAS40-06HMT116 | 0.2400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAS40 | Schottky | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 40 V | 120 mA (DC) | 1 V @ 40 Ma | 10 µA @ 40 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||||||||||
| BZX84B5V1LT116 | 0.2600 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 1.96% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | ||||||||||||||||
 | KDZLVTR100 | 0.4500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Kdzlv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | KDZLVTR100 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 76 V | 100 V | |||||||||||||||||
| RF1601NS2DTL | 1.7400 | | 987 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RF1601 | Estándar | LPDS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 16A | 930 MV @ 8 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||||||
| BZX84C3V6LT116 | 0.2300 | | 595 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5.56% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 1 V | 3.6 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||
| BZX84C2V7LT116 | 0.2300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 7.41% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 20 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
| KDZLVTR82 | 0.4500 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Kdzlv | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 6.1% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123F | KDZLVTR82 | 1 W | Pmdu | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 5 µA @ 76 V | 82 V | |||||||||||||||||
| BZX84C24VLT116 | 0.2300 | | 225 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | ± 5.83% | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 17 V | 24 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||
| BAV70HMT116 | 0.2000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV70 | Estándar | SSD3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 80 V | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 Ma | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (Máximo) |
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