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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N740 | 2.0700 | ![]() | 3463 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N740 | 250 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 120 V | 570 ohmios | |||||||||||
![]() | S2520 | 33.4500 | ![]() | 7950 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | S25 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | S252 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 V @ 30 A | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 25A | - | |||||||||
![]() | 1N2807A | 94.8900 | ![]() | 8900 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2807 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 25 µA @ 6.1 V | 9.1 V | 0.5 ohmios | |||||||||
Jantx1n5546b-1/tr | 6.2111 | ![]() | 2788 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5546B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 33 V | 100 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1n5806urs/TR | 19.6200 | ![]() | 7759 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | - | 150-Enero1n5806urs/TR | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 875 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Jan1n6942utk3as | - | ![]() | 6432 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 3 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Thinkey ™ 3 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 460 MV @ 50 A | 5 Ma @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150a | 7000PF @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | CDLL5234B/TR | 4.4422 | ![]() | 8383 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5234B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 7 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantxv1n6637dus/tr | - | ![]() | 5741 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | E-Mada | descascar | 150-jantxv1n6637dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5 µA @ 1 V | 5.1 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4737P/TR8 | 1.8600 | ![]() | 8693 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4737 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 5 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||
![]() | 1N944 | 33.1350 | ![]() | 4354 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N944 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | |||||||||||
CDLL5533B | 6.4800 | ![]() | 2954 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5533 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 11.7 V | 13 V | 90 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantx1n4616dur-1 | 23.1600 | ![]() | 7237 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4616 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 1 V | 2.2 V | 1300 ohmios | ||||||||||
![]() | Jan1n971cur-1 | 11.3850 | ![]() | 2213 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N971 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | |||||||||
![]() | Jan1n5195ur | 27.0900 | ![]() | 5733 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/118 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 180 V | 1 V @ 100 Ma | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||
Jan1N755D-1/TR | 5.8919 | ![]() | 9533 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N755D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 V | 6 ohmios | |||||||||||
CDLL5242B | 3.2100 | ![]() | 112 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5242 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 30 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N1366A | 44.3850 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N136 | 10 W | DO-203AA (DO-4) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1n1366a | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 43 V | 6 ohmios | ||||||||||||
![]() | CDLL5229C | 6.7200 | ![]() | 3851 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5229C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | |||||||||||
![]() | SMBJ5940CE3/TR13 | 1.3350 | ![]() | 4051 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5940 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 32.7 V | 43 V | 53 ohmios | |||||||||
![]() | Jan1n3890a | 296.0100 | ![]() | 4272 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 V @ 20 A | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 115pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Jantxv1n6626u/tr | 24.9600 | ![]() | 6354 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/590 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Polaridad Inversa Estándar | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6626u/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 220 V | 1.35 v @ 2 a | 45 ns | 2 µA @ 220 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75a | 40pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||
Jantx1n6354cus/tr | - | ![]() | 9238 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-Jantx1n6354cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 137 V | 180 V | 1500 ohmios | |||||||||||||
Uz114 | 22.4400 | ![]() | 1723 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A, axial | 3 W | A, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ114 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 106 V | 140 V | 550 ohmios | |||||||||||||
SBR3050 | 51.2250 | ![]() | 7999 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | SBR3050 | Schottky | DO-203AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | SBR3050-NDR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 630 MV @ 30 A | 1.5 Ma @ 50 V | 30A | - | |||||||||
Jantxv1n756c-1/tr | 10.2410 | ![]() | 4384 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N756C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 6 V | 8.2 V | 8 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1N4134CUR-1/TR | 19.9367 | ![]() | 8084 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n4134cur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 69.2 V | 91 V | 1200 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N3670A | 34.7100 | ![]() | 8067 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N3670A | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 700 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 700 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 22A | - | ||||||||||
![]() | 1N4757ur-1 | 3.4650 | ![]() | 6616 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4757ur-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 38.8 V | 51 V | 95 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantx1n3042cur-1/tr | 33.2500 | ![]() | 1735 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3042CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | ||||||||||
Jantx1n5620us | 9.1650 | ![]() | 4239 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N5620 | Estándar | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 800 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - |
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