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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
UZ8710	22.4400	RFQ	3080	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial		1 W	A, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ8710	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 7.6 V				10 V	7 ohmios
1N4742	3.1350	RFQ	2040	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial		1 W	Do-41	-	Alcanzar sin afectado	150-1N4742	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V				12 V	9 ohmios
1N3784	38.6100	RFQ	1391	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial		400 MW	Do-7	-	Alcanzar sin afectado	150-1N3784	EAR99	8541.10.0050	1									6.7 V	10 ohmios
Uz8116	22.4400	RFQ	1694	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial		1 W	A, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ8116	EAR99	8541.10.0050	1					500 na @ 121 V				160 V	1100 ohmios
Jantxv1n6332cus	57.1050	RFQ	8401	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B		500 MW	B, SQ-Melf	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6332cus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 17 V				22 V	20 ohmios
CDLL5536C	12.1950	RFQ	5861	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA		500 MW	DO-213AA	-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL5536C	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100 ohmios
1N5261	2.1000	RFQ	1931	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-1N5261	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 34 V				47 V	105 ohmios
1N959A	2.7150	RFQ	3258	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial		500 MW	Do-7	-	Alcanzar sin afectado	150-1N959A	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 µA @ 6.2 V				8.2 V	6.5 ohmios
UZ5716	32.2650	RFQ	6111	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial		5 W	B, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ5716	EAR99	8541.10.0050	1					10 µA @ 12.2 V				16 V	3.5 ohmios
1N6626U	11.8500	RFQ	6976	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B	Estándar		B, SQ-Melf	-	Alcanzar sin afectado	150-1N6626U	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	220 V	1.35 v @ 2 a	45 ns	2 µA @ 220 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.75a	40pf @ 10V, 1 MHz
UZ340	32.2650	RFQ	1411	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial		3 W	A, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ340	EAR99	8541.10.0050	1
Jans1n6348d	350.3400	RFQ	7588	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-jans1n6348d	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 76 V				100 V	340 ohmios
Jantx1n6339d	39.7950	RFQ	8479	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n6339d	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 33 V				43 V	65 ohmios
S53150TS	158.8200	RFQ	8283	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo								-	Alcanzar sin afectado	150-S53150TS			1
Jantxv1n4490c	33.0000	RFQ	6099	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial		1.5 W	Do-41	-	Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4490C	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		250 na @ 88 V				110 V	300 ohmios
UZ856	22.4400	RFQ	4007	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial		3 W	A, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ856	EAR99	8541.10.0050	1
Jankca1n4130d	-	RFQ	3860	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-jankca1n4130d	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 51.68 V				68 V	700 ohmios
Jantx1n6339cus	39.7950	RFQ	1644	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B		500 MW	B, SQ-Melf	-	Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n6339cus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 33 V				43 V	65 ohmios
Jantxv1n4974d	23.4600	RFQ	9905	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial		5 W	E, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4974d	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 35.8 V				47 V	25 ohmios
UZ5810	32.2650	RFQ	8960	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial		5 W	B, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ5810	EAR99	8541.10.0050	1					75 µA @ 7.6 V				10 V	2 ohmios
UZ7809	468.9900	RFQ	7367	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje	Semental		10 W	Axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ7809	EAR99	8541.10.0050	1					150 µA @ 6.6 V				9.1 V	1 ohmios
Jankca1n4127c	-	RFQ	9422	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-Jankca1N4127C	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 42.6 V				56 V	300 ohmios
Jantx1n6344c	29.2350	RFQ	2447	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n6344c	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 52 V				68 V	155 ohmios
S504160	158.8200	RFQ	6458	Tecnología de Microchip	SR504	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	Estándar		DO-205AB (DO-9)	-	Alcanzar sin afectado	150-S504160	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1600 V	1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 1600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-
Jantxv1n4974dus	51.1200	RFQ	1695	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B		5 W	E-Mada	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4974dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 35.8 V				47 V	25 ohmios
CDS5522BUR-1	-	RFQ	6737	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo								-	Alcanzar sin afectado	150-cds5522bur-1	EAR99	8541.10.0050	50
1N2137R	74.5200	RFQ	3804	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	Polaridad Inversa Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N2137R	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	500 V	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 200 ° C	70a	-
1N2794	74.5200	RFQ	4593	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N2794	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	100 V	1.19 v @ 90 A	5 µs	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	5A	-
UZ5715	32.2650	RFQ	5376	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	B, axial		5 W	B, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ5715	EAR99	8541.10.0050	1					15 µA @ 11.4 V				15 V	3.5 ohmios
Jankca1n4614c	-	RFQ	7379	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-Jankca1n4614c	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		7.5 µA @ 1 V				1.8 V	1200 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²