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Diodos (34409)
| Imagen | Número de producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Paquete | Estado del producto | Tolerancia | Temperatura de funcionamiento | Tipo de montaje | Paquete / estuche | Número de producto base | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de proveedor | Ficha de datos | Estado de ROHS | Nivel de sensibilidad de humedad (MSL) | Estatus de alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - hacia adelante (vf) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Current: fuga inversa @ vr | Temperatura de funcionamiento - unión | Actual - promedio rectificado (io) | Capacitancia @ vr, f | Voltaje - Zener (Nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SMBG5356A/TR13 | 2.2200 |  | 2266 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, ala de gaviota de SMB | SMBG5356 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descargar | ROHS no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 13.7 V | 19 V | 3 ohmios | |||||||||
| 1N3742R | 158.8200 | | 5013 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | A granel | Activo | Montaje | Do-205ab, do-9, semental | Polaridad inversa estándar | DO-205AB (DO-9) | descargar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar no afectado | 150-1N3742R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperación estándar> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | |||||||||
| Jantx1n4473cus/tr | 28.3050 | | 3445 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-Jantx1n4473cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 17.6 V | 22 V | 14 ohmios | ||||||||||||
 | Jantx1n6346cus/tr | 39.9450 | | 2491 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-Jantx1n6346cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 62 V | 82 V | 220 ohmios | ||||||||||||
 | 1N4553B | 54.1050 | | 9421 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | A granel | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, soporte de semental | Do-203ab, do-5, semental | 1N4553 | 500 MW | Do-5 | descargar | ROHS no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 20 µA @ 1 V | 5.6 V | 0.12 ohmios | |||||||||
 | Jans1n4580aur-1/tr | 86.1150 | | 9386 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | MIL-PRF-19500/452 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-Jans1n4580aur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 2 µA @ 3 V | 25 ohmios | ||||||||||||||
| 1n5811us/tr | 7.5800 | | 7550 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N5811 | Estándar | B, SQ-Melf | descargar | ROHS no conforme | No aplicable | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 126 | Recuperación rápida =<500ns,>200MA (IO) | 150 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 10V, 1 mHz | |||||||
| SMBG5387A/TR13 | 2.2200 | | 8209 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, ala de gaviota de SMB | SMBG5387 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descargar | ROHS no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 137 V | 190 V | 450 ohmios | |||||||||
 | Jans1n4481us | 162.0150 | | 6830 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | A granel | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | ROHS no conforme | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 37.6 V | 47 V | 50 ohmios | |||||||||||
 | Jantxv1n5532d-1/tr | 26.0414 | | 3696 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A través del agujero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar no afectado | 150-JantXV1N5532D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.8 V | 12 V | 90 ohmios | ||||||||||
| 1N3174A | 216.8850 | | 9692 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | A granel | Activo | Montaje | Do-205ab, do-9, semental | 1N3174 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descargar | ROHS no conforme | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperación estándar> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.25 V @ 240 A | 75 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 240a | - | |||||||||
 | Jan1n6634us | - | | 3343 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | A granel | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS no conforme | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 175 µA @ 1 V | 3.9 V | 2 ohmios | |||||||||||
 | Jantxv1n5419/tr | 11.3850 | | 5952 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Tape & Reel (TR) | Activo | A través del agujero | B, axial | Estándar | B, axial | descargar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar no afectado | 150-JantXV1N5419/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperación rápida =<500ns,>200MA (IO) | 500 V | 1.5 v @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||
| 1N6622US | 8.7600 | | 9398 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | A granel | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N6622 | Estándar | A masa | descargar | ROHS no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperación rápida =<500ns,>200MA (IO) | 660 V | 1.4 V @ 1.2 A | 30 ns | 500 na @ 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.2a | 10pf @ 10V, 1 mHz | |||||||
| SMBG5386BE3/TR13 | 1.1400 | | 1847 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, ala de gaviota de SMB | SMBG5386 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descargar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 130 V | 180 V | 430 ohmios | |||||||||
| Jan1N5519B-1/TR | 5.0407 | | 6426 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A través del agujero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descargar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar no afectado | 150-enero1N5519B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | ||||||||||
 | 1N5350BE3/TR8 | 2.6850 | | 9031 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A través del agujero | T-18, axial | 1N5350 | 5 W | T-18 | descargar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 9.4 V | 13 V | 2.5 ohmios | |||||||||
| 1N5528C/TR | 11.5500 | | 2022 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A través del agujero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar no afectado | 150-1N5528C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7.5 V | 8.2 V | 40 ohmios | |||||||||||
| S4350TS | 112.3200 | | 2479 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | A granel | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, semental | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descargar | Alcanzar no afectado | 150-S4350TS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperación estándar> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.1 v @ 200 a | 50 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||||||||
| Jantxv1n4968us | 15.9750 | | 7753 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | A granel | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4968 | 5 W | D-5B | descargar | ROHS no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 20.6 V | 27 V | 7 ohmios | |||||||||
| Jan1n6491us | - | | 3609 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | A granel | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | ROHS no conforme | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 500 na @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | |||||||||||
| Jan1n4971dus/tr | 26.6100 | | 3199 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-mada | - | 150-enero1n4971dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11 ohmios | ||||||||||||
| Jan1n4971cus/tr | 21.3150 | | 4840 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-mada | - | 150-enero1n4971cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 27.4 V | 36 V | 11 ohmios | ||||||||||||
 | 1N4246 | 3.7800 | | 8631 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | A granel | Activo | A través del agujero | A, axial | 1N4246 | Estándar | A, axial | descargar | ROHS no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Recuperación estándar> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||
| 1N3037BUR-1/TR | 15.4500 | | 6333 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Do-213ab, melf (vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 38.8 V | 51 V | 95 ohmios | |||||||||||||
| Jan1N4477DUS | 34.6050 | | 8941 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | A granel | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4477 | 1.5 W | D-5A | descargar | ROHS no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 26.4 V | 33 V | 25 ohmios | |||||||||
 | 1N6015A | 1.9950 | | 4900 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | A granel | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A través del agujero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6015 | 500 MW | Do-35 | descargar | ROHS no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 27 V | 43 V | 180 ohmios | |||||||||
| Jantx1n4120ur-1 | 9.4950 | | 9239 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | A granel | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (vidrio) | 1N4120 | 500 MW | DO-213AA | descargar | ROHS no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200 ohmios | |||||||||
| Jantx1n966b-1 | 2.2650 | | 1007 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | A granel | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A través del agujero | Do-204AH, do-35, axial | 1N966 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descargar | ROHS no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | |||||||||
| 1N4744AP/TR12 | 1.8900 | | 5821 | 0.00000000 | Tecnología de microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A través del agujero | Do-204al, do-41, axial | 1N4744 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descargar | ROHS no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar no afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios |
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