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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S2160 | 33.4500 | ![]() | 9030 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | S21 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | S2160 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 22A | - | |||||||||||
CDLL3038 | 15.3000 | ![]() | 8982 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3038 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jantx1n4558b | - | ![]() | 1793 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 50 W | TO-204AD (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 150 µA @ 500 MV | 4.3 V | 0.16 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N5227Bur-1/TR | 3.0200 | ![]() | 1930 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 329 | 1.1 V @ 200 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Jantxv1n4487cus/tr | 45.2850 | ![]() | 7878 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jantxv1n4487cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 65.6 V | 82 V | 160 ohmios | ||||||||||||||
1N5945B/TR | 3.1787 | ![]() | 6290 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.25 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5945B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 51.2 V | 68 V | 120 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1n6014ur | 3.5850 | ![]() | 6225 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N6014 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
Jans1n5623us | 90.4050 | ![]() | 4003 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1.6 v @ 3 a | 500 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||||||
![]() | SMBG5345CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 3348 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5345 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 6.25 V | 8.7 V | 2 ohmios | |||||||||||
Jan1n6323d | 24.7800 | ![]() | 7984 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6323d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N5354AE3/TR8 | 2.6250 | ![]() | 5383 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5354 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 12.2 V | 17 V | 2.5 ohmios | |||||||||||
![]() | 1 PMT4120E3/TR7 | 0.4950 | ![]() | 5925 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4120 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N6000C | 4.1550 | ![]() | 8463 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6000 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 8 V | 10 V | 15 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantx1n6327dus/tr | 58.0500 | ![]() | 8592 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-JantX1N6327DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 9.9 V | 13 V | 8 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N4748PE3/TR12 | 0.9150 | ![]() | 1845 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4748 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 16.7 V | 22 V | 23 ohmios | |||||||||||
![]() | ST3060D | 63.3000 | ![]() | 4567 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | ST3060 | Estándar | TO-204AA (TO-3) | - | Alcanzar sin afectado | 150 ST3060D | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 600 V | 15A | 1.2 V @ 15 A | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | |||||||||||
![]() | CD5925B | 3.8437 | ![]() | 4121 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5925B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL5232A/TR | 2.7132 | ![]() | 2796 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5232A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 11 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N6029ur | 3.5850 | ![]() | 6015 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N6029 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n6323dus | 38.2200 | ![]() | 9642 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6323dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantx1n3028bur-1 | 14.5800 | ![]() | 6232 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3028 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 16.7 V | 22 V | 23 ohmios | |||||||||||
![]() | CDLL4777/TR | 76.1700 | ![]() | 4904 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-cdll4777/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 8.5 V | 200 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jan1n6633us | - | ![]() | 3357 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6633us | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 250 µA @ 1 V | 3.6 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jan1n3893ar | 333.0150 | ![]() | 5386 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 V @ 38 A | 150 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 115pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1N1124R | 38.3850 | ![]() | 8700 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N1124R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||||||
![]() | 1N3046B-1/TR | 7.4214 | ![]() | 5905 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115N | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-13 | 1N3046 | 1 W | DO-13 (DO-202AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N3046B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 µA @ 91.2 V | 120 V | 550 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1N4099ur-1/TR | 7.8736 | ![]() | 5308 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4099UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 200 ohmios | |||||||||||||
![]() | R20150 | 33.4500 | ![]() | 7130 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R20150 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
Jantx1n3032c-1 | 25.5600 | ![]() | 7869 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3032 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 45 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jan1n3050501sdur-1/TR | - | ![]() | 4279 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1.25 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | 150-Enero1n3050550dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 136.8 V | 180 V | 1200 ohmios |
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