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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N4686UR-1/TR	5.2400	RFQ	3965	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	186					1.5 V @ 100 Ma		5 µA @ 2 V				3.9 V
SMBG5372C/TR13	2.8650	RFQ	9931	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5372		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 44.6 V				62 V	42 ohmios
CD4955D	19.5600	RFQ	400	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-CD4955D			1
MSASC150W100LS/TR	506.2200	RFQ	3889	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-MSASC150W100LS/TR			1
1N5926CP/TR8	2.2800	RFQ	7966	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5926		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V				11 V	5.5 ohmios
CDLL5944B	3.9300	RFQ	6994	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5944		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V				62 V	100 ohmios
Apt2x61dc120j	-	RFQ	5888	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x61	Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY		Sot-227	-	Cumplimiento de Rohs	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	Sin tiempo de recuperación> 500MA (io)	2 Independientes	1200 V	60A	1.8 V @ 60 A	0 ns	1.2 Ma @ 1200 V
Jantx1n4148ubcd	30.9358	RFQ	3799	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/116	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	1N4148	Estándar		UBC	-			Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n4148ubcd	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	75 V	1A	800 MV @ 100 Ma	5 ns	25 na @ 20 V	-65 ° C ~ 200 ° C
UZ110	22.4400	RFQ	2066	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			3 W	A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ110	EAR99	8541.10.0050	1							1 µA @ 76 V				100 V	175 ohmios
1N4756AUR/TR	3.6200	RFQ	9933	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-					EAR99	8541.10.0050	272					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V				47 V	80 ohmios
CD4774	12.4650	RFQ	8137	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CD4774	EAR99	8541.10.0050	1
Jantxv1n4128cur-1	28.8000	RFQ	8487	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4128		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400 ohmios
1N3293ar	102.2400	RFQ	8355	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	1N3293	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3293ams	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 200 a		50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
SMBJ5372B/TR13	1.6650	RFQ	2140	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5372		5 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 44.6 V				62 V	42 ohmios
1N5933B	3.0300	RFQ	6210	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5933			DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
1N757A	2.3400	RFQ	1100	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial	1N757		500 MW	DO-7 (DO-204AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 7 V				9.1 V	10 ohmios
1N3665	41.6850	RFQ	9438	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	DO-208AA		Estándar		DO-21	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N3665	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 V @ 35 A		10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	35a	-
Jantxv1n5537bur-1/tr	17.2900	RFQ	5664	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n5537bur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100 ohmios
Jan1n3821aur-1/TR	12.4355	RFQ	4874	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N3821AUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 V	10 ohmios
1N5356B/TR8	2.6850	RFQ	2227	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5356		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 13.7 V				19 V	3 ohmios
Jantx1n3036d-1	27.4500	RFQ	5469	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3036		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 35.8 V				47 V	80 ohmios
Jan1n4965cus/tr	25.2300	RFQ	7680	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-ENERO1N4965 CUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 15.2 V				20 V	4.5 ohmios
Smaj5924be3/tr13	0.6450	RFQ	5194	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaj5924		3 W	DO-214AC (SMAJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 7 V				9.1 V	4 ohmios
1N5194	8.1000	RFQ	4902	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5194	Estándar		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		70 V		1 V @ 100 Ma		25 na @ 70 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	-
Jans1n4112dur-1/tr	137.5900	RFQ	9639	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4112dur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 13.7 V				18 V	100 ohmios
UFR7010	91.9200	RFQ	8595	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		975 MV @ 70 A	50 ns		175 ° C (Máximo)	70a	300pf @ 10V, 1 MHz
Jantxv1n5712-1	26.0700	RFQ	5126	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Schottky		DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		16 V		1 V @ 35 Ma		150 na @ 16 V	-65 ° C ~ 150 ° C	33MA	2pf @ 0V, 1 MHz
1N6631U/TR	18.9900	RFQ	8436	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Estándar		E-Mada	-			Alcanzar sin afectado	150-1N6631U/TR	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.6 V @ 1.4 A	60 ns	4 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.4a	-
1N4509	42.4950	RFQ	6112	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N4509	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C	22A	-
Jantxv1n3050d-1	-	RFQ	5761	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²