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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
UZ212	32.2650	RFQ	9091	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial		3 W	A, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ212	EAR99	8541.10.0050	1
CD4735B	2.0700	RFQ	3591	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		1 W	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD4735B	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 3 V				6.2 V	2 ohmios
1N5258	2.1000	RFQ	3861	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-1N5258	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 26 V				36 V	70 ohmios
Jans1n633336dus	527.5650	RFQ	4476	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B		500 MW	B, SQ-Melf	-	Alcanzar sin afectado	150-jans1n6336dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 25 V				33 V	40 ohmios
Jantx1n6343d	39.7950	RFQ	7032	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n6343d	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 47 V				62 V	125 ohmios
CD4692D	-	RFQ	8411	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD4692D	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 5.1 V				6.8 V
SBR6040R	148.2150	RFQ	4862	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	Schottky		DO-203AB (DO-5)	-	Alcanzar sin afectado	150-SBR6040R	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	40 V	600 MV @ 60 A		2 Ma @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	60A	-
Jan1n6873utk2	364.5450	RFQ	7908	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/469	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 2	Estándar		Thinkey ™ 2	-	Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N6873UTK2	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1 V @ 400 Ma			-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
CD963A	1.6950	RFQ	6528	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD963A	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.1 V				12 V	11.5 ohmios
1N4531ur-1	3.4050	RFQ	1767	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA	Estándar		DO-213AA	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N4531ur-1	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	75 V	1.2 V @ 100 Ma	20 ns	500 na @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	125 Ma	-
1N5088SM	27.0900	RFQ	2281	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un		3 W	A, SQ-Melf	-	Alcanzar sin afectado	150-1N5088SM	EAR99	8541.10.0050	1					1 µA @ 45.7 V				60 V	70 ohmios
Janhca1n5540c	-	RFQ	4817	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N5540C	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 18 V				20 V	100 ohmios
UTR4360	12.8400	RFQ	5008	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial	Estándar		B, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UTR4360	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	600 V	1.1 v @ 4 a	400 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	4A	160pf @ 0V, 1 MHz
Janhca1n4110c	-	RFQ	2567	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4110C	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.15 V				16 V	100 ohmios
1N2282R	74.5200	RFQ	6376	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N2282R	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	300 V	1.19 v @ 90 A	5 µs	10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 200 ° C	35a	-
Janhca1n5526c	-	RFQ	1979	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N5526C	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 6.2 V				6.8 V	30 ohmios
1N2230A	44.1600	RFQ	1492	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N2230A	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	5A	-
Jantxv1n4972d	23.4600	RFQ	7784	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial		5 W	E, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4972d	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 29.7 V				39 V	14 ohmios
CDS5541BUR-1	-	RFQ	8791	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo								-	Alcanzar sin afectado	150-cds5541bur-1	EAR99	8541.10.0050	50
Janhca1n4125d	-	RFQ	2272	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4125D	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 35.75 V				47 V	250 ohmios
1N4566	4.1850	RFQ	1824	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial		500 MW	Do-7	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N4566	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
CDS5522B-1	-	RFQ	9276	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo								-	Alcanzar sin afectado	150-CDS5522B-1	EAR99	8541.10.0050	50
1N4612A	15.9600	RFQ	3035	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo								-	Alcanzar sin afectado	150-1N4612A	EAR99	8541.10.0050	1
Jantxv1n3821c-1	25.4250	RFQ	7685	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial		1 W	Do-41	-	Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3821C-1	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 V	10 ohmios
CDS5240D-1	-	RFQ	9901	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo								-	Alcanzar sin afectado	150-CDS5240D-1	EAR99	8541.10.0050	50
CDLL6351	14.6400	RFQ	1529	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo								-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL6351	EAR99	8541.10.0050	1
Jantx1n6348c	29.2350	RFQ	7913	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n6348c	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 76 V				100 V	340 ohmios
Jankca1n4620d	-	RFQ	2214	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-jankca1n4620d	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		7.5 µA @ 1.5 V				3.3 V	1650 ohmios
CDLL5235D	8.4150	RFQ	2147	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA		10 MW	DO-213AA	-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL5235D	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 5 V				6.8 V	5 ohmios
Jan1n6341d	49.5300	RFQ	3276	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-Enero1n6341d	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 39 V				51 V	85 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²