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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jan1n5712ur-1 | 17.1600 | ![]() | 5428 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 16 V | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||
Jantxv1n6339 | 14.6700 | ![]() | 4450 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6339 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 33 V | 43 V | 65 ohmios | ||||||||||||
![]() | CD4753A | 1.8354 | ![]() | 9650 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4753A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n5620 | 8.0400 | ![]() | 4848 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5620 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | 1 PMT5954B/TR7 | 2.2200 | ![]() | 2014 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5954 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 121.6 V | 160 V | 700 ohmios | |||||||||||
![]() | Jans1n4990 | 103.9500 | ![]() | 7433 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 167 V | 220 V | 550 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1 PMT4135E3/TR7 | 0.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4135 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 76 V | 100 V | 250 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N1201B | 34.7100 | ![]() | 8915 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1201 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N1201BMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | CDLL5227C | 6.7200 | ![]() | 9227 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5227C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 15 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||||||
![]() | Apt40dq100bctg | - | ![]() | 4165 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Apt40 | Estándar | To-247 [b] | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 1000 V | 40A | 3 V @ 40 A | 250 ns | 100 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
CDLL5527A | 6.4800 | ![]() | 4404 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5527 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 6 V | 7.5 V | 35 ohmios | ||||||||||||
![]() | SMBJ4733A/TR13 | 0.8850 | ![]() | 8150 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4733 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | |||||||||||
![]() | Jans1n4109cur-1 | 98.9100 | ![]() | 5647 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.4 V | 15 V | 100 ohmios | |||||||||||||
Jantx1n4480us | 16.4550 | ![]() | 2600 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4480 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 34.4 V | 43 V | 40 ohmios | ||||||||||||
Jan1n6857-1 | - | ![]() | 3155 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 16 V | 750 MV @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | 4.5pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | R20150 | 33.4500 | ![]() | 7130 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R20150 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
Jantx1n4955us | 10.2150 | ![]() | 4749 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4955 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 1.5 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4742P/TR8 | 1.8600 | ![]() | 1808 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4742 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | |||||||||||
![]() | SBR6020 | 148.2150 | ![]() | 6310 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Schottky | DO-5 (DO-203AB) | - | Alcanzar sin afectado | 150-SBR6020 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 600 MV @ 60 A | 2 Ma @ 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 60A | - | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n4954us/tr | 13.5000 | ![]() | 9698 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4954US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 117 | 1.5 v @ 1 a | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 1 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N5368/TR8 | 2.6250 | ![]() | 9630 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5368 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 33.8 V | 47 V | 25 ohmios | |||||||||||
![]() | R306100 | 40.6350 | ![]() | 2604 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | R306100 | Estándar | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.25 V @ 200 A | 5 µs | 25 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 70a | - | ||||||||||
![]() | 1N5194 | 8.1000 | ![]() | 4902 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5194 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 1 V @ 100 Ma | 25 na @ 70 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||
UZ110 | 22.4400 | ![]() | 2066 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A, axial | 3 W | A, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ110 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 76 V | 100 V | 175 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Jan1n4470dus/tr | 33.6000 | ![]() | 8156 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-ENERO1N4470DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 12.8 V | 16 V | 10 ohmios | ||||||||||||||
Jan1n5623 | 7.7100 | ![]() | 7119 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5623 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.6 v @ 3 a | 500 ns | 500 na @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | DT890501A/TR | - | ![]() | 6303 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-DT890501A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3164r | - | ![]() | 4921 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/211 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.55 V @ 940 A | 10 Ma @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | ||||||||||||
Jantxv1n5619us/tr | 9.8550 | ![]() | 4345 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n5619us/tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 v @ 3 a | 250 ns | 500 na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||
![]() | CD3825A | 4.3624 | ![]() | 6118 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD3825A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios |
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