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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 5822SMGE3/TR13 | 0.8100 | ![]() | 5928 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AB, Ala de Gaviota SMC | 5822SMGE3 | Schottky | DO-215AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 1.5 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||
![]() | 1N4760PE3/TR12 | 0.9150 | ![]() | 2256 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4760 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | |||||||||
![]() | 1N5952A | 3.4050 | ![]() | 7374 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N5952 | 1.25 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 98.8 V | 130 V | 450 ohmios | ||||||||||
CDLL4477 | 11.3550 | ![]() | 5495 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4477 | 1.5 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 26.4 V | 33 V | 25 ohmios | ||||||||||
Jans1n4973cus/tr | 343.7610 | ![]() | 2272 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4973cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 32.7 V | 43 V | 20 ohmios | |||||||||||
![]() | UFS530G/TR13 | 4.1400 | ![]() | 7220 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AB, Ala de Gaviota SMC | UFS530 | Estándar | DO-215AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.2 v @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||
![]() | 1N4575AUR-1 | 5.5800 | ![]() | 3248 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4575 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 50 ohmios | ||||||||||||
Jantx1n4977 | 7.1400 | ![]() | 8043 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4977 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 47.1 V | 62 V | 42 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantxv1n2823rb | - | ![]() | 2314 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2823 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 22.8 V | 30 V | 3 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantxv1n4618dur-1/tr | 34.0081 | ![]() | 8940 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4618dur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 1 V | 2.7 V | 1500 ohmios | ||||||||||
![]() | Jan1n3826dur-1 | 44.4150 | ![]() | 7326 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3826 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | |||||||||
Jantxv1n6625us | 20.9100 | ![]() | 2381 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N6625 | Estándar | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1100 V | 1.75 v @ 1 a | 60 ns | 1 µA @ 1100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||
![]() | SMBJ5349C/TR13 | 2.1900 | ![]() | 1038 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5349 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 2 µA @ 8.6 V | 12 V | 2.5 ohmios | |||||||||
![]() | Jans1n4616dur-1 | 155.7750 | ![]() | 7381 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 2.2 V | 1300 ohmios | |||||||||||
Jan1N4100D-1 | 13.1400 | ![]() | 5955 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4100 | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 200 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1N7053-1 | 7.6500 | ![]() | 5419 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N7053 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | 1N4769 | 144.1350 | ![]() | 1136 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4769 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 V | 350 ohmios | |||||||||||
![]() | S3560pf | 60.2100 | ![]() | 1125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Presiona Ajuste | DO-208AA | S3560 | Estándar | DO-21 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | |||||||||
![]() | 1N1197A | 75.5700 | ![]() | 3413 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N1197 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.19 v @ 90 A | 10 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 40A | - | |||||||||
Jan1n966d-1 | 6.3450 | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N966 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | ||||||||||
1N5623 | 7.2150 | ![]() | 3950 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5623 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.6 v @ 3 a | 500 ns | 500 na @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 15pf @ 12V, 1 MHz | ||||||||
![]() | 1N827AUR-1 | 10.2900 | ![]() | 3240 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N827 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N5355C/TR8 | 3.3900 | ![]() | 6695 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5355 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 13 V | 18 V | 2.5 ohmios | |||||||||
Jantx1n4967cus | 24.6000 | ![]() | 1972 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4967 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 18.2 V | 24 V | 5 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantxv1n3019dur-1 | 57.6750 | ![]() | 7444 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3019 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 6 ohmios | |||||||||
![]() | 1N5803E3 | 6.0300 | ![]() | 8360 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Estándar | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5803E3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 875 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||
![]() | 1N6326US/TR | 13.1404 | ![]() | 5434 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6326US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 9 V | 12 V | 7 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N5941APE3/TR12 | 0.9150 | ![]() | 5623 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5941 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 35.8 V | 47 V | 67 ohmios | |||||||||
![]() | Jantx1n3912r | - | ![]() | 1273 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/308 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.4 V @ 50 A | 200 ns | -65 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | ||||||||||
CDLL5232 | 2.8650 | ![]() | 8609 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5232 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 11 ohmios |
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