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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Jan1n6326us | 13.4700 | ![]() | 5490 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6326 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 9.9 V | 12 V | 7 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n5534bur-1/tr | 17.2900 | ![]() | 2834 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n5534bur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 12.6 V | 14 V | 100 ohmios | ||||||||||||
1N4680/TR | 3.6575 | ![]() | 5758 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4680/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 4 µA @ 1 V | 2.2 V | ||||||||||||||
1N6621U/TR | 13.2300 | ![]() | 7842 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Polaridad Inversa Estándar | A, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6621U/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 440 V | 1.4 V @ 1.2 A | 45 ns | 500 na @ 440 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.2a | - | ||||||||||||
![]() | 1N5933BP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 4709 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5933 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 16.7 V | 22 V | 17.5 ohmios | |||||||||||
![]() | SMBJ5945C/TR13 | 2.0850 | ![]() | 9936 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5945 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 51.2 V | 68 V | 120 ohmios | |||||||||||
![]() | S36150 | 61.1550 | ![]() | 2798 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S36150 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
Jantxv1n4474dus | 56.4150 | ![]() | 9919 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4474dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 19.2 V | 24 V | 16 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Jan1n3041cur-1 | 32.5950 | ![]() | 8357 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3041 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantx1n6674r | - | ![]() | 4965 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/617 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | 1N6674 | Estándar | Un 254AA | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 500 V | 15A | 1.55 V @ 20 A | 35 ns | 5 Ma @ 400 V | - | |||||||||
![]() | 1N3295ar | 102.2400 | ![]() | 7877 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | 1N3295 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3295 brazos | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 200 a | 50 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||||||||
![]() | Jan1N989Bur-1/TR | - | ![]() | 2726 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 400 MW | DO-213AA | descascar | 150-ENERO1N989BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 114 V | 150 V | 1500 ohmios | ||||||||||||||
1N4575A-1/TR | 4.2600 | ![]() | 2062 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4575A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||||||
Jantxv1n3017b-1 | 11.8800 | ![]() | 2387 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3017 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 4 ohmios | ||||||||||||
![]() | CDLL5265A/TR | 3.3516 | ![]() | 6236 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5265A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 47 V | 62 V | 185 ohmios | ||||||||||||
Jantx1n6345d | 39.7950 | ![]() | 9894 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6345d | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 56 V | 75 V | 180 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N7055UR-1/TR | 9.4500 | ![]() | 8061 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 102 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4101 | 2.4750 | ![]() | 2195 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N4101 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | Apt2x100d20j | 29.2200 | ![]() | 9913 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | Apt2x100 | Estándar | ISOTOP® | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 200 V | 100A | 1.1 V @ 100 A | 60 ns | 500 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||
![]() | 1N648-1 | - | ![]() | 8721 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | |||||||||||
![]() | Jan1n4986us/tr | 13.4100 | ![]() | 8978 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-ENERO1N4986US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 114 V | 150 V | 330 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Jantx1n2977rb | - | ![]() | 8568 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 3 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1 PMT5946AE3/TR7 | 0.7350 | ![]() | 7433 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5946 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 ohmios | |||||||||||
![]() | 1 PMT4118CE3/TR13 | 0.4950 | ![]() | 7215 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4118 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 20.45 V | 27 V | 150 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N5535CUR-1/TR | 13.1400 | ![]() | 3271 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 13.5 V | 15 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
![]() | SMBJ5938A/TR13 | 1.5600 | ![]() | 2425 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5938 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 27.4 V | 36 V | 38 ohmios | |||||||||||
Jantx1n759d-1/tr | 6.8362 | ![]() | 1335 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N759D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 30 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n4627ur-1/tr | 18.0481 | ![]() | 9186 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4627UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 5 V | 6.2 V | 1200 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jan1n4148ub2r/TR | 23.1600 | ![]() | 1502 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/116 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | Polaridad Inversa Estándar | UB2 | - | 150-Enero1n4148ub2r/TR | 100 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 20 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||
![]() | 1N4109D | 7.5750 | ![]() | 6345 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4109D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.4 V | 15 V | 100 ohmios |
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