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Diodos (34409)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
MBR60200PTE3/TU Microchip Technology MBR60200PE3/TU 2.0100
RFQ
 ECAD 6493 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tubo Activo MBR60200 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 2,000
CD5818 Microchip Technology CD5818 4.7250
RFQ
 ECAD 8367 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/586 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Morir Schottky Morir descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CD5818 EAR99 8541.10.0040 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 600 MV @ 1 A 100 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1A -
1N3600UR/TR Microchip Technology 1N3600UR/TR 5.4400
RFQ
 ECAD 9091 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-213AA Estándar DO-213AA - 179 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1 V @ 200 Ma 4 ns 100 na @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 300mA 2.5pf @ 0V, 1 MHz
SMBJ5342AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5342AE3/TR13 0.8100
RFQ
 ECAD 2723 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5342 5 W SMBJ (DO-214AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 10 µA @ 4.9 V 6.8 V 1 ohmios
JANTXV1N5525CUR-1 Microchip Technology Jantxv1n5525cur-1 49.5150
RFQ
 ECAD 8702 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N5525 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 5 V 6.2 V 30 ohmios
JANTXV1N5552US Microchip Technology Jantxv1n5552us 14.2050
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/420 Una granela Activo Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N5552 Estándar D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 v @ 9 a 2 µs 1 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
JANTX1N6659R Microchip Technology Jantx1n6659r 298.6050
RFQ
 ECAD 8894 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) Estándar Un 254 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.2 V @ 20 A 35 ns 10 µA @ 200 V - 15A 150pf @ 10V, 1 MHz
R3750 Microchip Technology R3750 49.0050
RFQ
 ECAD 3623 0.00000000 Tecnología de Microchip * Una granela Activo - Alcanzar sin afectado 150-R3750 1
JANTX1N5614US Microchip Technology Jantx1n5614us 9.4050
RFQ
 ECAD 9920 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Una granela Activo Montaje en superficie Sq-melf, un 1N5614 Estándar D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.3 V @ 3 A 2 µs 500 na @ 200 V -65 ° C ~ 200 ° C 1A -
SMBJ5347CE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5347CE3/TR13 1.0800
RFQ
 ECAD 6964 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5347 5 W SMBJ (DO-214AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 5 µA @ 7.2 V 10 V 2 ohmios
1N2828A Microchip Technology 1N2828A 94.8900
RFQ
 ECAD 6608 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero A-204AD 1N2828 50 W TO-204AD (TO-3) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 34.2 V 45 V 4.5 ohmios
UFS515JE3/TR13 Microchip Technology UFS515JE3/TR13 1.8900
RFQ
 ECAD 6347 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC UFS515 Estándar DO-214AB descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 5 A 30 ns 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 5A -
MSASC100H15HS/TR Microchip Technology MSASC100H15HS/TR -
RFQ
 ECAD 3468 0.00000000 Tecnología de Microchip * Tape & Reel (TR) Activo - Alcanzar sin afectado 150-MSASC100H15HS/TR 100
1N5365AE3/TR13 Microchip Technology 1N5365AE3/TR13 0.9900
RFQ
 ECAD 8688 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5365 5 W T-18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1.250 1.2 v @ 1 a 500 na @ 25.9 V 36 V 11 ohmios
JANS1N3155UR-1/TR Microchip Technology Jans1n3155ur-1/tr -
RFQ
 ECAD 3731 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/158 Tape & Reel (TR) Activo - -65 ° C ~ 175 ° C (TA) Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-Jans1n3155ur-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 10 µA @ 5.5 V 8.4 V 15 ohmios
1N5372B/TR12 Microchip Technology 1N5372B/TR12 2.6850
RFQ
 ECAD 8654 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5372 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 44.6 V 62 V 42 ohmios
JANTX1N6626 Microchip Technology Jantx1n6626 15.3600
RFQ
 ECAD 9297 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/590 Una granela Activo A Través del Aguetero E, axial 1N6626 Estándar descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 220 V 1.35 v @ 2 a 30 ns 2 µA @ 220 V -65 ° C ~ 150 ° C 1.75a 40pf @ 10V, 1 MHz
JANTX1N4982US Microchip Technology Jantx1n4982us 12.7500
RFQ
 ECAD 5590 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/356 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N4982 5 W D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 76 V 100 V 110 ohmios
JANTX1N3293R Microchip Technology Jantx1n3293r -
RFQ
 ECAD 1061 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/246 Una granela Activo Montaje DO-205AA, DO-8, Semento Estándar DO-205AA (DO-8) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.55 V @ 310 A 10 Ma @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C 100A -
DSB5822/TR Microchip Technology Dsb5822/tr -
RFQ
 ECAD 5384 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo A Través del Aguetero Axial Schottky B, D-5D - Alcanzar sin afectado 150-DSB5822/TR EAR99 8541.10.0080 100 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 40 V 500 MV @ 3 A 100 µA @ 40 V -65 ° C ~ 125 ° C 3A -
SMBJ5937BE3/TR13 Microchip Technology SMBJ5937BE3/TR13 0.8850
RFQ
 ECAD 5697 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5937 2 W SMBJ (DO-214AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 25.1 V 33 V 33 ohmios
CDLL4716C Microchip Technology CDLL4716C 5.9185
RFQ
 ECAD 1901 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL4716C EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 na @ 29.8 V 39 V
SMBG5357CE3/TR13 Microchip Technology SMBG5357CE3/TR13 1.4400
RFQ
 ECAD 5916 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5357 5 W SMBG (DO-215AA) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 14.4 V 20 V 3 ohmios
CDLL5228A/TR Microchip Technology CDLL5228A/TR 2.7132
RFQ
 ECAD 6927 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 10 MW DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL5228A/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 10 µA @ 1 V 3.9 V 23 ohmios
1N2136RA Microchip Technology 1N2136RA 74.5200
RFQ
 ECAD 6525 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Polaridad Inversa Estándar DO-5 (DO-203AB) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N2136RA EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 450 V 1.25 V @ 200 A 25 µA @ 450 V -65 ° C ~ 200 ° C 70a -
JANTXV1N968DUR-1 Microchip Technology Jantxv1n968dur-1 24.2250
RFQ
 ECAD 3964 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N968 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 15 V 20 V 25 ohmios
1N3315RA Microchip Technology 1N3315RA 49.3800
RFQ
 ECAD 8788 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Chasis, Soporte de semento Do-203ab, do-5, semental 1N3315 50 W Do-5 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 12.2 V 16 V 1.6 ohmios
UES2606 Microchip Technology UES2606 62.0850
RFQ
 ECAD 6308 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo A Través del Aguetero TO-204AA, TO-3 UES2606 Estándar TO-204AD (TO-3) descascar Rohs no conforme No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.25 V @ 15 A 50 ns 50 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 30A -
1N4745UR Microchip Technology 1N4745ur 3.4650
RFQ
 ECAD 2250 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - Alcanzar sin afectado 150-1N4745ur EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 12.2 V 16 V 16 ohmios
60HQ100 Microchip Technology 60HQ100 140.8500
RFQ
 ECAD 5013 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje Do-203ab, do-5, semental Schottky Do-5 - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 60HQ100 ms EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 890 MV @ 60 A - 60A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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