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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
UZ8816	22.4400	RFQ	6619	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial		1 W	A, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ8816	EAR99	8541.10.0050	1							500 na @ 11.5 V				16 V	16 ohmios
CDS5522D-1	-	RFQ	9976	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo								-	Alcanzar sin afectado	150-CDS5522D-1	EAR99	8541.10.0050	50
CD4771A	12.4650	RFQ	2901	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD4771A	EAR99	8541.10.0050	1											9.1 V	200 ohmios
CD4747C	-	RFQ	7407	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		1 W	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD4747C	EAR99	8541.10.0050	228					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 15.2 V				20 V	22 ohmios
1N6930UTK1CS	259.3500	RFQ	5437	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo								-	Alcanzar sin afectado	150-1N6930UTK1CS			1
CDLL5230C	6.7200	RFQ	2773	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA		10 MW	DO-213AA	-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL5230C	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				4.7 V	19 ohmios
Janhca1n5533c	-	RFQ	4207	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N5533C	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90 ohmios
Janhca1n5533d	-	RFQ	1840	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N5533D	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 11.7 V				13 V	90 ohmios
1N1125RA	38.3850	RFQ	5314	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	Polaridad Inversa Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N1125RA	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 200 ° C	12A	-
1N4000A	53.5950	RFQ	4567	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		10 W	DO-4 (DO-203AA)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N4000A	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 3 V				7.5 V	1.3 ohmios
30FQ045	64.5600	RFQ	2315	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	Schottky		DO-4 (DO-203AA)	-	Alcanzar sin afectado	150-30FQ045	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		630 MV @ 30 A		1.5 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
1N5806urs	32.3850	RFQ	1723	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	Estándar		A, SQ-Melf	-	Alcanzar sin afectado	150-1N5806urs	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		160 V		875 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1 MHz
UZ8709	22.4400	RFQ	5595	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial		1 W	A, axial	-	Alcanzar sin afectado	150-UZ8709	EAR99	8541.10.0050	1							3 µA @ 6.9 V				9.1 V	5 ohmios
R714xe	55.6500	RFQ	6613	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3	Estándar		TO-204AA (TO-3)	-	Alcanzar sin afectado	150-R714XE	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 V @ 15 A	200 ns	1 ma @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	15A	-
1N2131	74.5200	RFQ	2193	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N2131	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	70a	-
CD5271	1.6350	RFQ	2729	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD5271	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 76 V				100 V	500 ohmios
CDLL6634	14.7300	RFQ	1737	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo								-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL6634	EAR99	8541.10.0050	1
1N412B	147.9750	RFQ	6816	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N412B	EAR99	8541.10.0050	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.2 v @ 200 a		50 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
Janhca1n4126c	-	RFQ	6097	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4126C	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 38.76 V				51 V	300 ohmios
Jantx1n6873utk2cs	413.4000	RFQ	5011	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/469	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 2	Estándar		Thinkey ™ 2	-	Alcanzar sin afectado	150-JantX1N6873UTK2CS	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)				1 V @ 400 Ma			-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
R36150	49.0050	RFQ	4781	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo								-	Alcanzar sin afectado	150-R36150			1
Jans1n4990dus	527.9550	RFQ	8391	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B		5 W	E-Mada	-	Alcanzar sin afectado	150-jans1n4990dus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 167 V				220 V	550 ohmios
Janhca1n754c	-	RFQ	5305	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N754C	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 1 V				6.8 V	5 ohmios
CD4625A	2.0700	RFQ	9839	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir		500 MW	Morir	-	Alcanzar sin afectado	150-CD4625A	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 3 V				5.1 V	1500 ohmios
UFT3280D	94.8750	RFQ	5026	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3	Estándar		TO-204AA (TO-3)	-	Alcanzar sin afectado	150-Uft3280d	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	800 V	30A	1.2 V @ 15 A	60 ns	15 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C
1N753D-1	5.5800	RFQ	4324	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Alcanzar sin afectado	150-1N753D-1	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 1 V				6.2 V	7 ohmios
CDS746A-1	-	RFQ	2182	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo								-	Alcanzar sin afectado	150-CDS746A-1	EAR99	8541.10.0050	50
Jans1n4956dus	577.5900	RFQ	6115	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B		5 W	E-Mada	-	Alcanzar sin afectado	150-jans1n4956dus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 µA @ 6.2 V				8.2 V	1.5 ohmios
CDLL5238C	6.7200	RFQ	9823	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA		10 MW	DO-213AA	-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL5238C	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 6.5 V				8.7 V	8 ohmios
CDLL5273	3.5850	RFQ	2317	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			DO-213AA	-	Alcanzar sin afectado	150-CDLL5273	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 86 V				120 V	900 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²