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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UFS515JE3/TR13 | 1.8900 | ![]() | 6347 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | UFS515 | Estándar | DO-214AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 5 A | 30 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||
![]() | MSASC100H15HS/TR | - | ![]() | 3468 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100H15HS/TR | 100 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5365AE3/TR13 | 0.9900 | ![]() | 8688 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5365 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 25.9 V | 36 V | 11 ohmios | |||||||||
![]() | Jans1n3155ur-1/tr | - | ![]() | 3731 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n3155ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 V | 15 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N5372B/TR12 | 2.6850 | ![]() | 8654 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5372 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 44.6 V | 62 V | 42 ohmios | |||||||||
![]() | Jantx1n6626 | 15.3600 | ![]() | 9297 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/590 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | E, axial | 1N6626 | Estándar | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 220 V | 1.35 v @ 2 a | 30 ns | 2 µA @ 220 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75a | 40pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||
Jantx1n4982us | 12.7500 | ![]() | 5590 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4982 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 76 V | 100 V | 110 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantx1n3293r | - | ![]() | 1061 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/246 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.55 V @ 310 A | 10 Ma @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | ||||||||||
![]() | Dsb5822/tr | - | ![]() | 5384 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Schottky | B, D-5D | - | Alcanzar sin afectado | 150-DSB5822/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 500 MV @ 3 A | 100 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | SMBJ5937BE3/TR13 | 0.8850 | ![]() | 5697 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5937 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 25.1 V | 33 V | 33 ohmios | |||||||||
![]() | CDLL4716C | 5.9185 | ![]() | 1901 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4716C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.8 V | 39 V | |||||||||||
![]() | SMBG5357CE3/TR13 | 1.4400 | ![]() | 5916 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5357 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 14.4 V | 20 V | 3 ohmios | |||||||||
![]() | CDLL5228A/TR | 2.7132 | ![]() | 6927 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5228A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N2136RA | 74.5200 | ![]() | 6525 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Polaridad Inversa Estándar | DO-5 (DO-203AB) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2136RA | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 450 V | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 450 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 70a | - | ||||||||||
![]() | Jantxv1n968dur-1 | 24.2250 | ![]() | 3964 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N968 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | |||||||||
![]() | 1N3315RA | 49.3800 | ![]() | 8788 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3315 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 1.6 ohmios | |||||||||
![]() | UES2606 | 62.0850 | ![]() | 6308 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | UES2606 | Estándar | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 V @ 15 A | 50 ns | 50 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 30A | - | |||||||
![]() | 1N4745ur | 3.4650 | ![]() | 2250 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4745ur | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | |||||||||||
![]() | 60HQ100 | 140.8500 | ![]() | 5013 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Schottky | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 60HQ100 ms | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 890 MV @ 60 A | - | 60A | - | ||||||||||
Jan1n4967 | 5.8950 | ![]() | 7765 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4967 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 18.2 V | 24 V | 5 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1n5711ubd | 84.8400 | ![]() | 6302 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Schottky | UB | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||
CDLL5252B | 3.5850 | ![]() | 7414 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5252 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | ||||||||||
1N975B-1 | 1.8354 | ![]() | 4941 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N975B-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantx1n4993us/tr | 19.4446 | ![]() | 6565 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4993US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 228 V | 300 V | 950 ohmios | ||||||||||
Jantx1n5536c-1 | 19.5300 | ![]() | 1454 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5536 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 V | 16 V | 100 ohmios | ||||||||||
![]() | CD759C | - | ![]() | 7175 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD759C | EAR99 | 8541.10.0050 | 278 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 30 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N1196A | 75.5700 | ![]() | 7489 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N1196 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.19 v @ 90 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 40A | - | |||||||||
![]() | Jan1n5189 | 9.4800 | ![]() | 6868 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/424 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | 1N5189 | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2 V @ 9 A | 300 ns | 2 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||
![]() | Jantxv1n2845b | - | ![]() | 7470 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2845 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 136.8 V | 180 V | 90 ohmios | ||||||||||
![]() | CD4749A | 1.8354 | ![]() | 3059 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4749A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios |
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