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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5935CPE3/TR8 | 1.2000 | ![]() | 3174 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5935 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 28 V | 23 ohmios | |||||||||
![]() | 1N1124 | 38.3850 | ![]() | 1276 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1124 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | |||||||||
![]() | Jans1n4122cur-1 | 97.9650 | ![]() | 7403 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N4150UR-1/TR | 1.4000 | ![]() | 9975 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4150 | Estándar | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 676 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||
![]() | SMBJ5356B/TR13 | 1.6650 | ![]() | 2072 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5356 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 13.7 V | 19 V | 3 ohmios | |||||||||
![]() | 1N1201A | 34.7100 | ![]() | 2112 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Alcanzar sin afectado | 1N1201ams | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.2 V @ 30 A | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | |||||||||||
![]() | Jantx1n4995d | - | ![]() | 7546 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 274 V | 360 V | 1400 ohmios | |||||||||||
1N5968 | 64.9050 | ![]() | 8123 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N5968 | 5 W | - | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5000 µA @ 4.28 V | 5.6 V | 1 ohmios | ||||||||||
Jans1n4466us | 91.8900 | ![]() | 5794 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 300 na @ 8.8 V | 11 V | 6 ohmios | ||||||||||||
Jan1n4987d | 40.2000 | ![]() | 4800 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4987 | 5 W | E, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 121.6 V | 160 V | 350 ohmios | ||||||||||
![]() | R4260F | 59.8350 | ![]() | 5793 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | R4260 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | |||||||||
![]() | UZ5224 | 32.2650 | ![]() | 2197 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5224 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 173 V | 240 V | 650 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N5341CE3/TR13 | - | ![]() | 8058 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5341 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6.2 V | 1 ohmios | |||||||||
![]() | Jantx1n5816 | 142.3200 | ![]() | 7361 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/478 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N5816 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 300pf @ 10V, 1 MHz | |||||||
![]() | 1N5943BPE3/TR12 | 0.9450 | ![]() | 8626 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5943 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 42.6 V | 56 V | 86 ohmios | |||||||||
![]() | Jantxv1n4115cur-1 | 32.7450 | ![]() | 3515 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4115 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.8 V | 22 V | 150 ohmios | |||||||||
![]() | CDLL4107/TR | 4.9609 | ![]() | 7920 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4107/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 13 V | 200 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N536666AE3/TR8 | - | ![]() | 5391 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5366 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 28.1 V | 39 V | 14 ohmios | |||||||||
![]() | Jan1n3025dur-1/TR | 36.2558 | ![]() | 4011 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n3025dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | ||||||||||
![]() | CD4976 | 6.3574 | ![]() | 9221 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4976 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n6314cus/tr | 285.2250 | ![]() | 6133 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-jans1n6314cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jans1n4487us/tr | 162.1650 | ![]() | 6479 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jans1n4487us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 65.6 V | 82 V | 160 ohmios | ||||||||||||
Jantx1n976b-1 | 2.7750 | ![]() | 4589 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N976 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 33 V | 43 V | 93 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N6642ubd | 17.5200 | ![]() | 6036 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 4-SMD, sin Plomo | Estándar | UB | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1.2 V @ 100 Ma | 5 ns | - | - | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||
Jan1n4987us | 13.2600 | ![]() | 6103 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4987 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 121.6 V | 160 V | 350 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantxv1n5806urs/tr | 28.0800 | ![]() | 2173 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | - | 150-JantXV1N5806URS/TR | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 875 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||
1N5279A | 3.1200 | ![]() | 4471 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5279 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 137 V | 180 V | 2200 ohmios | |||||||||||
Jantx1n4480us/tr | 16.6200 | ![]() | 7979 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4480US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 34.4 V | 43 V | 40 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jan1N3827C-1/TR | 15.5078 | ![]() | 5887 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3827C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | ||||||||||
1N4766A-1 | 88.5300 | ![]() | 9740 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 250 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4766A-1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9.1 V | 350 ohmios |
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