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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantx1n963cur-1	21.8850	RFQ	8680	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N963		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 9.1 V				12 V	11.5 ohmios
Jantx1n988bur-1	-	RFQ	7451	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 99 V				130 V	1100 ohmios
Jantxv1n970cur-1/tr	17.3166	RFQ	1523	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n970cur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 18 V				24 V	33 ohmios
1N5346A/TR12	2.6250	RFQ	2979	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5346		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		7.5 µA @ 6.6 V				9.1 V	2 ohmios
CDLL6318	16.1400	RFQ	1459	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL6318		500 MW	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2.5 V				5.6 V	8 ohmios
1N1192	75.5700	RFQ	9636	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			-	-	1N1192	Estándar		-	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	100 V	1.19 v @ 90 A	5 µs	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	40A	-
1N4621	2.6250	RFQ	7759	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4621	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		7.5 µA @ 2 V				3.6 V	1700 ohmios
Jantx1n6642ubcc/tr	26.0813	RFQ	1012	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/578	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo		Estándar		UB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n6642ubcc/TR	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	75 V	1.2 V @ 100 Ma	20 ns	500 na @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	300mA	-
Jan1n3893	257.4000	RFQ	4771	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/304	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.5 V @ 38 A	200 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	12A	115pf @ 10V, 1 MHz
1 PMT4105/TR7	0.9600	RFQ	3591	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4105		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 8.44 V				11 V	200 ohmios
Jantxv1n6776	-	RFQ	9963	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	150 V	1.15 v @ 15 a	35 ns	10 µA @ 800 MV	-65 ° C ~ 150 ° C	15A	300pf @ 5V, 1MHz
Jan1n5811urs	17.4750	RFQ	6429	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N5811	Estándar		B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	150 V	875 MV @ 4 A	30 ns	5 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 10V, 1 MHz
Jantx1n759d-1	7.5450	RFQ	4165	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N759		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 9 V				12 V	30 ohmios
Jans1n6873utk2/tr	608.5500	RFQ	2149	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n6873utk2/tr			50
1N4762AGE3/TR	3.5250	RFQ	7911	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial			1 W	Do-41	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4762AGE3/TR	EAR99	8541.10.0050	269			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 62.2 V				82 V	200 ohmios
HSM380JE3/TR13	1.0200	RFQ	5586	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	HSM380	Schottky		DO-214AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	80 V	810 MV @ 3 A		100 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
60HFU-100	116.5650	RFQ	9490	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		DO-203AB (DO-5)	-			Alcanzar sin afectado	150-60HFU-100			1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	100 V				-65 ° C ~ 175 ° C	-	-
Jan1n5616us	7.3200	RFQ	5404	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/427	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N5616	Estándar		D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
1N2818A	94.8900	RFQ	8963	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2818		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 15.2 V				20 V	2.4 ohmios
1N5518A	2.7150	RFQ	6559	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5518A	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 900 MV				3.3 V
Jan1n6625us	14.1900	RFQ	8002	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/585	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N6625	Estándar		D-5A	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1100 V	1.75 v @ 1 a	60 ns	1 µA @ 1100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 10V, 1 MHz
1N5923E3/TR13	-	RFQ	6069	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5923		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V				8.2 V	3.5 ohmios
1 PMT4130CE3/TR7	0.4950	RFQ	4547	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4130		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 51.68 V				68 V	250 ohmios
1N4688-1	3.5245	RFQ	9799	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4688-1	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 3 V				4.7 V
S53100	158.8200	RFQ	4803	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S53100			1
CDLL5230D/TR	8.5950	RFQ	8129	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5230D/TR	EAR99	8541.10.0050	110			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V				4.7 V	19 ohmios
1N4622ur	3.3000	RFQ	8165	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4622		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2.5 µA @ 2 V				3.9 V	1650 ohmios
1N6319US/TR	13.1404	RFQ	3999	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N6319US/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		5 µA @ 3.5 V				6.2 V	3 ohmios
Jan1n4472cus/tr	27.8250	RFQ	6182	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-Enero1n4472cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		50 na @ 16 V				20 V	12 ohmios
Jantx1n6319c	31.8300	RFQ	2229	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6319		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		5 µA @ 3.5 V				6.2 V	3 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²