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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantx1n6330dus | 42.0900 |  | 6624 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6330 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 14 V | 18 V | 14 ohmios | |||||||||
 | LSM140GE3/TR13 | 0.6900 | | 3349 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | LSM140 | Schottky | DO-215AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 580 MV @ 1 A | 1 ma @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||
 | Jantx1n4126ur-1/tr | 8.5652 | | 7307 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4126UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 38.8 V | 51 V | 300 ohmios | ||||||||||
| Jantx1n3004b | - | | 3666 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 69.2 V | 91 V | 35 ohmios | |||||||||||
| Jans1n4103cur-1 | 97.9650 | | 9138 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7 V | 9.1 V | 200 ohmios | |||||||||||
 | 1N4745AP/TR12 | 1.8900 | | 6740 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4745 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n4491us | 14.3550 | | 2395 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 96 V | 120 V | 400 ohmios | ||||||||||||
 | Jantxv1n755c-1/tr | 11.9700 | | 1648 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N755C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 V | 6 ohmios | ||||||||||
| CDLL6012B | 2.7150 | | 7379 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL6012B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 25 V | 33 V | 88 ohmios | |||||||||||
| S43120TS | 112.3200 | | 8839 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-S43120TS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.1 v @ 200 a | 50 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||||||||
 | Jantx1n3035bur-1/tr | 13.0739 | | 8011 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n3035bur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | ||||||||||
| 1N1186R | 74.5200 | | 9293 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N1186 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N1186RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | ||||||||
 | 1N4899A | 179.3850 | | 6763 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 100 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N4899 | 400 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 12.8 V | 400 ohmios | |||||||||||
| Jantx1n4986dus/tr | 44.0850 | | 1057 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-Jantx1n4986dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 114 V | 150 V | 330 ohmios | ||||||||||||
 | HSM845J/TR13 | 2.4000 | | 2969 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | HSM845 | Schottky | DO-214AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 620 MV @ 8 A | 250 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | ||||||||
| Janntx1n4153ur-1/tr | - | | 4012 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/337 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Polaridad Inversa Estándar | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANNTX1N4153UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 100 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 880 MV @ 20 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||
| 1N5934P/TR12 | - | | 4185 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5934 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19 ohmios | |||||||||
| Janhca1n4130d | - | | 3419 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4130D | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 51.68 V | 68 V | 700 ohmios | |||||||||||
 | Jantxv1n3020d-1 | 38.0400 | | 4132 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3020 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µA @ 7.6 V | 10 V | 7 ohmios | |||||||||
 | 1N5946B | 3.4050 | | 5308 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N5946 | 1.25 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N5946BMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 56 V | 75 V | 140 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n6329 | 14.6100 | | 4877 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 500 MW | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 12 V | 16 V | 12 ohmios | ||||||||||||
| 1N5241/TR | 4.1100 | | 3349 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5241/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 231 | 1.5 V @ 200 Ma | 2 µA @ 8 V | 11 V | 22 ohmios | |||||||||||
| SMBG5340AE3/TR13 | 1.1250 | | 7304 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5340 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6 V | 1 ohmios | |||||||||
 | 1 PMT5935E3/TR13 | 0.7350 | | 1085 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5935 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 27 V | 23 ohmios | |||||||||
| Jan1n6326us | 13.4700 | | 5490 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6326 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 9.9 V | 12 V | 7 ohmios | |||||||||
| Jantxv1n5534bur-1/tr | 17.2900 | | 2834 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n5534bur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 12.6 V | 14 V | 100 ohmios | ||||||||||
| 1N4680/TR | 3.6575 | | 5758 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4680/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 4 µA @ 1 V | 2.2 V | |||||||||||
| 1N6621U/TR | 13.2300 | | 7842 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Polaridad Inversa Estándar | A, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6621U/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 440 V | 1.4 V @ 1.2 A | 45 ns | 500 na @ 440 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.2a | - | |||||||||
| 1N5933BP/TR8 | 1.8900 | | 4709 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5933 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 16.7 V | 22 V | 17.5 ohmios | |||||||||
 | SMBJ5945C/TR13 | 2.0850 | | 9936 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5945 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 51.2 V | 68 V | 120 ohmios |
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