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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jans1n4134dur-1	147.2700	RFQ	7721	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 69.2 V				91 V	1200 ohmios
S36150	61.1550	RFQ	2798	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-S36150			1
Jantxv1n4474dus	56.4150	RFQ	9919	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4474dus	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 na @ 19.2 V				24 V	16 ohmios
Jan1n3041cur-1	32.5950	RFQ	8357	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3041		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 56 V				75 V	175 ohmios
Jantx1n6674r	-	RFQ	4965	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/617	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS)	1N6674	Estándar		Un 254AA	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	500 V	15A	1.55 V @ 20 A	35 ns	5 Ma @ 400 V	-
1N3295ar	102.2400	RFQ	7877	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	1N3295	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3295 brazos	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.1 v @ 200 a		50 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
Jan1N989Bur-1/TR	-	RFQ	2726	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			400 MW	DO-213AA	descascar				150-ENERO1N989BUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 114 V				150 V	1500 ohmios
1N4575A-1/TR	4.2600	RFQ	2062	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4575A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V				6.4 V	50 ohmios
Jantxv1n3017b-1	11.8800	RFQ	2387	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3017		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 µA @ 5.7 V				7.5 V	4 ohmios
CDLL5265A/TR	3.3516	RFQ	6236	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			10 MW	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5265A/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 47 V				62 V	185 ohmios
Jantx1n6345d	39.7950	RFQ	9894	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n6345d	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 56 V				75 V	180 ohmios
1N7055UR-1/TR	9.4500	RFQ	8061	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-					EAR99	8541.10.0050	102
1N4101	2.4750	RFQ	2195	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					1N4101				descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Apt2x100d20j	29.2200	RFQ	9913	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x100	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	200 V	100A	1.1 V @ 100 A	60 ns	500 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
1N648-1	-	RFQ	8721	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		500 V		1 V @ 400 Ma		50 na @ 500 V	-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
Jan1n4986us/tr	13.4100	RFQ	8978	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-ENERO1N4986US/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 114 V				150 V	330 ohmios
Jantx1n2977rb	-	RFQ	8568	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 9.9 V				13 V	3 ohmios
1 PMT5946AE3/TR7	0.7350	RFQ	7433	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5946		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 V	140 ohmios
1 PMT4118CE3/TR13	0.4950	RFQ	7215	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4118		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 20.45 V				27 V	150 ohmios
1N5535CUR-1/TR	13.1400	RFQ	3271	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 13.5 V				15 V	100 ohmios
SMBJ5938A/TR13	1.5600	RFQ	2425	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5938		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 27.4 V				36 V	38 ohmios
Jantx1n759d-1/tr	6.8362	RFQ	1335	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N759D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 9 V				12 V	30 ohmios
Jantxv1n4627ur-1/tr	18.0481	RFQ	9186	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4627UR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 5 V				6.2 V	1200 ohmios
Jan1n4148ub2r/TR	23.1600	RFQ	1502	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/116	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	2-smd, sin plomo		Polaridad Inversa Estándar		UB2	-				150-Enero1n4148ub2r/TR			100	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		75 V		1.2 V @ 100 Ma	20 ns	500 na @ 75 V	-65 ° C ~ 200 ° C	200 MMA	4PF @ 0V, 1MHz
1N4109D	7.5750	RFQ	6345	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4109D	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 11.4 V				15 V	100 ohmios
Jantx1n3036dur-1/tr	41.5359	RFQ	8159	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantx1n3036dur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 35.8 V				47 V	80 ohmios
Jan1n964b-1	1.9050	RFQ	3536	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N964		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 9.9 V				13 V	13 ohmios
Jans1n4974d	374.1920	RFQ	8442	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4974d	EAR99	8541.10.0050	1
1N4103-1/TR	2.3408	RFQ	4563	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4103-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 7 V				9.1 V	200 ohmios
CDLL4918	121.1400	RFQ	4815	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4918		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							15 µA @ 12 V				19.2 V	600 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²