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Diodos (34409)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
1N4623-1 Microchip Technology 1N4623-1 2.6400
RFQ
 ECAD 1766 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AA, do-7, axial 1N4623 500 MW Do-7 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 2 V 4.3 V 1600 ohmios
1N4728AUR Microchip Technology 1N4728AUR 3.4650
RFQ
 ECAD 7228 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 1N4728 1 W DO-213AB descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 V 10 ohmios
JAN1N4966US/TR Microchip Technology Jan1n4966us/tr 9.3600
RFQ
 ECAD 9535 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 5 W E-Mada - 150-ENERO1N4966US/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 16.7 V 22 V 5 ohmios
1N1206BR Microchip Technology 1N1206BR 34.7100
RFQ
 ECAD 3511 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo Montaje DO-203AA, DO-4, semento 1N1206 Polaridad Inversa Estándar DO-4 (DO-203AA) descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.2 V @ 30 A 10 µA @ 600 V -65 ° C ~ 200 ° C 12A -
JAN1N6642UB/TR Microchip Technology Jan1n6642ub/tr 18.4604
RFQ
 ECAD 4976 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/578 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo Estándar UB - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-ENERO1N6642UB/TR EAR99 8541.10.0070 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 75 V 1.2 V @ 100 Ma 5 ns 500 na @ 75 V -65 ° C ~ 175 ° C 300mA 5PF @ 0V, 1MHz
CD4728 Microchip Technology CD4728 2.0700
RFQ
 ECAD 6616 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Morir 1 W Morir - Alcanzar sin afectado 150-CD4728 EAR99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 Ma 100 µA @ 1 V 3.3 V 10 ohmios
JAN1N4980DUS/TR Microchip Technology Jan1n4980dus/tr 29.6100
RFQ
 ECAD 4611 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/356 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SQ-Melf, B 5 W E-Mada - 150-ENERO1N4980DUS/TR EAR99 8541.10.0050 100 1.5 v @ 1 a 2 µA @ 62.2 V 82 V 80 ohmios
1N4565AUR-1 Microchip Technology 1N4565AUR-1 5.2050
RFQ
 ECAD 5807 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo - -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA 1N4565 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 2 µA @ 3 V 200 ohmios
JANTXV1N3005RB Microchip Technology Jantxv1n3005rb -
RFQ
 ECAD 4430 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/124 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje DO-203AA, DO-4, semento 10 W DO-213AA (DO-4) - Rohs no conforme Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 2 a 10 µA @ 76 V 100 V 40 ohmios
JANTXV1N5551US Microchip Technology Jantxv1n5551us 15.9150
RFQ
 ECAD 3095 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/420 Una granela Activo Montaje en superficie SQ-Melf, E 1N5551 Estándar D-5B descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.2 v @ 9 a 2 µs 1 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C 3A -
1N757A/TR Microchip Technology 1N757A/TR 2.5200
RFQ
 ECAD 7653 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Alcanzar sin afectado 150-1N757A/TR EAR99 8541.10.0050 374 1.1 V @ 200 Ma 1 µA @ 7 V 9.1 V 10 ohmios
JANTX1N3045C-1 Microchip Technology Jantx1n3045c-1 25.5600
RFQ
 ECAD 8414 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204al, do041, axial 1 W Do-41 - Alcanzar sin afectado 150-JantX1N3045C-1 EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 83.6 V 110 V 450 ohmios
SMBG5341C/TR13 Microchip Technology SMBG5341C/TR13 2.8650
RFQ
 ECAD 4864 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB SMBG5341 5 W SMBG (DO-215AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 1 µA @ 3 V 6.2 V 1 ohmios
1N3039B-1 Microchip Technology 1N3039B-1 8.1900
RFQ
 ECAD 3225 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204al, do-41, axial 1N3039 1 W DO-204Al (DO-41) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 47.1 V 62 V 125 ohmios
CDLL4918/TR Microchip Technology CDLL4918/TR 121.3200
RFQ
 ECAD 4879 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 100 ° C Montaje en superficie DO-213AA 500 MW DO-213AA descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL4918/TR EAR99 8541.10.0050 1 15 µA @ 12 V 19.2 V 600 ohmios
1N5360A/TR12 Microchip Technology 1N5360A/TR12 -
RFQ
 ECAD 6458 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C A Través del Aguetero T-18, axial 1N5360 5 W T-18 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 1 a 500 na @ 18 V 25 V 4 ohmios
JAN1N6490US Microchip Technology Jan1n6490us -
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Sq-melf, un 1N6490 1.5 W D-5A descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 1 µA @ 1 V 5.1 V 7 ohmios
1N4467US Microchip Technology 1N4467US 11.4600
RFQ
 ECAD 9835 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/406 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Sq-melf, un 1N4467 1.5 W A, SQ-Melf descascar Rohs no conforme Alcanzar sin afectado 1N4467USMS EAR99 8541.10.0050 1 1.5 v @ 1 a 200 na @ 9.6 V 12 V 7 ohmios
SMBJ5943A/TR13 Microchip Technology SMBJ5943A/TR13 1.5600
RFQ
 ECAD 1672 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AA, SMB SMBJ5943 2 W SMBJ (DO-214AA) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 42.6 V 56 V 86 ohmios
CDLL4114/TR Microchip Technology CDLL4114/TR 2.9526
RFQ
 ECAD 9476 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie Do-213ab, melf 500 MW DO-213AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-CDLL4114/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 50 na @ 15.2 V 20 V 150 ohmios
JANTXV1N5711UBD/TR Microchip Technology Jantxv1n5711ubd/tr 120.7350
RFQ
 ECAD 7207 0.00000000 Tecnología de Microchip MIL-PRF-19500/444 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo Schottky UB - 150-jantxv1n5711ubd/tr 100 Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad Conexión de la Serie de 1 par 50 V 1 V @ 15 Ma 200 na @ 50 V -65 ° C ~ 150 ° C
MSASC150H45L/TR Microchip Technology MSASC150H45L/TR 220.7700
RFQ
 ECAD 8189 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie Thinkey ™ 3 Schottky Thinkey ™ 3 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-MSASC150H45L/TR EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 600 MV @ 150 A 10 Ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 150a -
JANTXV1N6350C Microchip Technology Jantxv1n6350c 37.5300
RFQ
 ECAD 9427 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/533 Una granela Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - Alcanzar sin afectado 150-JantXV1N6350C EAR99 8541.10.0050 1 1.4 v @ 1 a 50 na @ 91 V 120 V 600 ohmios
JANTXV1N972DUR-1 Microchip Technology Jantxv1n972dur-1 24.2250
RFQ
 ECAD 8299 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 1% -65 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AA (Vidrio) 1N972 500 MW DO-213AA descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 23 V 30 V 49 ohmios
UZ8830 Microchip Technology UZ8830 20.5751
RFQ
 ECAD 5436 0.00000000 Tecnología de Microchip - Una granela Activo ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Axial 1 W A, axial - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-UZ8830 EAR99 8541.10.0050 1 500 na @ 22.8 V 30 V 40 ohmios
JANTXV1N7037CCU1/TR Microchip Technology Jantxv1n7037ccu1/tr 241.9800
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 3-SMD, sin Plomo 1N7037 Schottky U1 (SMD-1) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n7037ccu1/tr EAR99 8541.10.0080 1 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 100 V 35a 1.22 v @ 35 a 500 µA @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C
JANTX1N5523C-1/TR Microchip Technology Jantx1n5523c-1/tr 13.5527
RFQ
 ECAD 6045 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/437 Tape & Reel (TR) Activo ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 500 MW DO-35 (DO-204AH) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-JantX1N5523C-1/TR EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 2 µA @ 2.5 V 5.1 V 26 ohmios
SMAJ4760AE3/TR13 Microchip Technology Smaj4760ae3/tr13 0.6450
RFQ
 ECAD 7241 0.00000000 Tecnología de Microchip - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C Montaje en superficie DO-214AC, SMA Smaj4760 2 W DO-214AC descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 7,500 1.2 v @ 200 ma 5 µA @ 51.7 V 68 V 150 ohmios
JANTX1N970B-1 Microchip Technology Jantx1n970b-1 2.2500
RFQ
 ECAD 7317 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/117 Una granela Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C A Través del Aguetero Do-204AH, do-35, axial 1N970 500 MW DO-35 (DO-204AH) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 Ma 500 na @ 18 V 24 V 33 ohmios
JANTXV1N3021DUR-1/TR Microchip Technology Jantxv1n3021dur-1/tr 50.5932
RFQ
 ECAD 7376 0.00000000 Tecnología de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/115 Tape & Reel (TR) Activo ± 1% -55 ° C ~ 175 ° C Montaje en superficie DO-213AB, MELL (Vidrio) 1 W DO-213AB (Melf, LL41) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 150-jantxv1n3021dur-1/tr EAR99 8541.10.0050 1 1.2 v @ 200 ma 10 µA @ 8.4 V 11 V 8 ohmios
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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