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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jan1n2984b	-	RFQ	6735	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a		10 µA @ 15.2 V				20 V	4 ohmios
Enero1n6663/tr	-	RFQ	2665	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N6663/TR	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1 V @ 400 Ma		50 na @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	-
Jantxv1n4491cus/tr	45.2850	RFQ	5261	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-jantxv1n4491cus/tr	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		250 na @ 96 V				120 V	400 ohmios
Jans1n5415/tr	56.0100	RFQ	7347	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/411	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n5415/tr	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.5 v @ 9 a	150 ns	1 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N3321B	49.3800	RFQ	5821	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3321		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 18.2 V				24 V	2.6 ohmios
CDLL6318	16.1400	RFQ	1459	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL6318		500 MW	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 2.5 V				5.6 V	8 ohmios
1N4621	2.6250	RFQ	7759	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4621	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		7.5 µA @ 2 V				3.6 V	1700 ohmios
Smaj4752ae3/tr13	0.6450	RFQ	4443	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaj4752		2 W	DO-214AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V				33 V	45 ohmios
1N7050UR-1	9.3000	RFQ	9361	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N7050		250 MW	DO-213AB (Melf, LL41)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											4.8 V	35 ohmios
Jantx1n4148ur-1/tr	1.8600	RFQ	6210	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo					1N4148				-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	424
MSASC100H60H/TR	235.9500	RFQ	3642	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-MSASC100H60H/TR			1
Jans1n6328/tr	107.0906	RFQ	3296	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n6328/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 11 V				15 V	10 ohmios
Jan1n4976dus	29.4600	RFQ	6354	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4976		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 42.6 V				56 V	35 ohmios
Jans1n5809us	42.7650	RFQ	1370	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Estándar		B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		875 MV @ 4 A	30 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N4748PE3/TR12	0.9150	RFQ	1845	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4748		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V				22 V	23 ohmios
Jans1n6632dus	-	RFQ	6759	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		300 µA @ 1 V				3.3 V	3 ohmios
1N1347A	45.3600	RFQ	8327	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1347	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		500 V		1.3 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65 ° C ~ 200 ° C	16A	-
Jantx1n966c-1	5.7600	RFQ	5149	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N966		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 12 V				16 V	17 ohmios
CDLL6325	14.6400	RFQ	4788	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL6325		500 MW	DO-213AB	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 8.5 V				11 V	7 ohmios
ST3060D	63.3000	RFQ	4567	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3	ST3060	Estándar		TO-204AA (TO-3)	-			Alcanzar sin afectado	150 ST3060D	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	600 V	15A	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C
Jantxv1n6344cus	57.1050	RFQ	1439	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n6344cus	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 52 V				68 V	155 ohmios
HSM845G/TR13	2.3850	RFQ	2957	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-215AB, Ala de Gaviota SMC	HSM845	Schottky		DO-215AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		620 MV @ 8 A		250 µA @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
S2160	33.4500	RFQ	9030	Tecnología de Microchip	S21	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	S2160	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 V @ 30 A		10 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	22A	-
1N2274	74.5200	RFQ	5110	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2274	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.19 v @ 90 A	5 µs	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	6A	-
Jantx1n6334us	18.2700	RFQ	2806	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6334		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a		50 na @ 21 V				27 V	27 ohmios
1 PMT4120E3/TR7	0.4950	RFQ	5925	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4120		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200 ohmios
Jantx1n3028bur-1	14.5800	RFQ	6232	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3028		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 16.7 V				22 V	23 ohmios
Jan1n3893ar	333.0150	RFQ	5386	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/304	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.5 V @ 38 A	150 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	20A	115pf @ 10V, 1 MHz
UPS5819/TR7	0.6150	RFQ	8250	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-216AA	UPS5819	Schottky		Powermite	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		550 MV @ 1 A		1 ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
1N4470US	11.4600	RFQ	9065	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4470		1.5 W	A, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N4470 USMS	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 na @ 12.8 V				16 V	10 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²