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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N4775A-1	16.8000	RFQ	9598	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			250 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4775A-1	EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				8.5 V	200 ohmios
CDLL1A40	2.5669	RFQ	5558	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL1A40	Schottky		DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		600 MV @ 1 A		100 µA @ 40 V	-	1A	0.9pf @ 5V, 1 MHz
Jan1n5195	29.9250	RFQ	4865	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/118	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		180 V		1 V @ 100 Ma		1 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	-
Jantx1n4621d-1	15.5700	RFQ	8721	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4621		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							3.5 µA @ 2 V				3.6 V	1700 ohmios
CD4681C	8.2950	RFQ	9677	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD4681C	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V				2.4 V
1N4733CPE3/TR12	1.1550	RFQ	4632	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4733		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 1 V				5.1 V	7 ohmios
Jantx1n4110dur-1	30.8550	RFQ	2656	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4110		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.2 V				16 V	100 ohmios
1N4525	62.1150	RFQ	4965	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N4525	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.19 v @ 90 A		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	40A	-
1N4625D-1	6.5700	RFQ	8204	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4625D-1	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3 V				5.1 V	1500 ohmios
1N5550US/TR	6.5900	RFQ	7200	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/420	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Estándar		B, SQ-Melf	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5550US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.2 v @ 9 a	2 µs	1 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
JTXM19500/483-02	581.0550	RFQ	6259	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					JTXM19500				-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1
1N5941BE3/TR13	-	RFQ	4937	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5941		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67 ohmios
Jan1N5525Bur-1	14.4600	RFQ	4717	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N5525		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5 V				6.2 V	30 ohmios
1N6882UTK4AS	259.3500	RFQ	2958	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-1N6882UTK4AS			1
Jantx1n4469us/tr	9.9883	RFQ	2908	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4469US/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 na @ 12 V				15 V	9 ohmios
Jan1n4984dus	41.7000	RFQ	7916	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4984		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 91.2 V				120 V	170 ohmios
1N3261	151.2750	RFQ	8234	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3261	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3261MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-
Jan1n3822cur-1	35.5050	RFQ	8102	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3822		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.6 V	10 ohmios
Jans1n4492dus/tr	330.4050	RFQ	7896	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-jans1n4492dus/tr	EAR99	8541.10.0050	50					1.5 v @ 1 a		250 na @ 104 V				130 V	500 ohmios
R35140	36.6600	RFQ	2753	Tecnología de Microchip	R35	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	R35140	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 1400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	70a	-
Jantxv1n4104c-1/tr	20.6815	RFQ	5738	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4104C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 7.6 V				10 V	200 ohmios
1N5936BUR-1	4.5300	RFQ	7803	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N5936		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28 ohmios
1 PMT5947B/TR7	2.2200	RFQ	5996	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5947		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V				82 V	160 ohmios
Apt2x30d20j	20.8000	RFQ	5925	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x30	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	200 V	30A	1.3 V @ 30 A	24 ns	250 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C
1N5530C/TR	11.5500	RFQ	9368	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5530C/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 9.1 V				10 V	60 ohmios
Jantx1n5822us/tr	65.7450	RFQ	3235	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/620	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N5822	Schottky		B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 3 A		100 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
Jantxv1n3295	-	RFQ	8347	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/246	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)				1.55 V @ 310 A		10 Ma @ 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
CDLL4704C/TR	7.5450	RFQ	8518	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL4704C/TR	EAR99	8541.10.0050	125					1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 12.9 V				17 V
UFR3130R	56.6250	RFQ	6323	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 V @ 30 A	50 ns		175 ° C (Máximo)	30A	115pf @ 10V, 1 MHz
1N3261R	158.8200	RFQ	1862	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3261	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3261RMS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²