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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N4622/TR | 2.8050 |  | 7451 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4622/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 336 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 3.9 V | 1650 ohmios | |||||||||||
 | 1N4710 | 3.9300 | | 9237 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4710 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 19 V | 25 V | |||||||||||
 | Jan1n759Cur-1/TR | 10.2410 | | 4207 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N759CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 30 ohmios | ||||||||||
 | 1N5944CPE3/TR12 | 1.2000 | | 1455 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5944 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 47.1 V | 62 V | 100 ohmios | |||||||||
| 1N5936BE3/TR13 | - | | 9365 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5936 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28 ohmios | |||||||||
| Jans1n4128-1/tr | 31.6700 | | 3954 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4128-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 45.6 V | 60 V | 400 ohmios | ||||||||||
| 1N2984A | 36.9900 | | 9034 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N2984 | 10 W | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 15.2 V | 20 V | 4 ohmios | |||||||||
| CDLL4620D/TR | 8.8800 | | 1000 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4620D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 107 | 1.1 V @ 200 Ma | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | 1650 ohmios | |||||||||||
 | Jantx1n6491us | - | | 8892 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 500 na @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | |||||||||||
 | 1N4749AUR/TR | 3.2319 | | 5275 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1 W | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4749AUR/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 18.2 V | 24 V | 25 ohmios | ||||||||||
 | Jan1n6626/tr | 11.4450 | | 6410 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/590 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | E, axial | Estándar | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6626/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 220 V | 1.35 V @ 1.2 A | 30 ns | 2 µA @ 220 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75a | 40pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||
| Jan1n4626dur-1/TR | 22.6765 | | 4863 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4626DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4 V | 5.6 V | 1400 ohmios | ||||||||||
 | MBR6060PTE3/TU | 2.0100 | | 5107 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tubo | Activo | MBR6060 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | |||||||||||||||||||
| 1N1347B | 45.3600 | | 6931 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1347 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 16A | - | |||||||||
 | SMBJ5947B/TR13 | 1.5600 | | 6370 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5947 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 62.2 V | 82 V | 160 ohmios | |||||||||
| Jantx1n4106cur-1/tr | 22.0647 | | 5026 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4106CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.2 V | 12 V | 200 ohmios | ||||||||||
| 1N4122ur | 3.7950 | | 8280 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4122 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27.38 V | 36 V | 200 ohmios | |||||||||
| 1N720A | 1.9200 | | 9831 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N720 | 250 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 18 V | 17 ohmios | |||||||||||
| UZ7706R | 468.9900 | | 5396 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Semental | 10 W | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ7706R | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Ma @ 5.2 V | 6.8 V | 0.6 ohmios | ||||||||||||
 | CD965B | 1.5162 | | 7507 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD965B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | ||||||||||
| Jantxv1n754cur-1 | 19.3500 | | 8696 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N754 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 4 V | 6.8 V | 5 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n4485c | 19.7700 | | 5889 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4485 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 54.4 V | 68 V | 100 ohmios | |||||||||
 | Jan1n4961 | - | | 3080 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 3 ohmios | |||||||||||
| 1N6005ur | 3.5850 | | 3659 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N6005 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5417/tr | 9.3150 | | 4078 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXv1N5417/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.5 v @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||
 | CDLL3042B | 15.3000 | | 5212 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3042 | 1 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | |||||||||
 | Jantxv1n4958us | 15.9750 | | 7549 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4958 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 7.6 V | 10 V | 2 ohmios | |||||||||
| 1N5944D | 8.2950 | | 1067 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N5944 | 1.25 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 47.1 V | 62 V | 100 ohmios | ||||||||||
| Jans1n4962cus | 343.6210 | | 5344 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4962cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
| Jantxv1n4989cus | 40.8900 | | 7964 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n4989cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 152 V | 200 V | 500 ohmios |
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