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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
LSM140JE3/TR13	0.4350	RFQ	6515	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214BA	LSM140	Schottky		DO-214BA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	40 V	580 MV @ 1 A		1 ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
Jantxv1n6638us	10.2750	RFQ	1250	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Estándar		B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	125 V	1.1 V @ 200 Ma	4.5 ns		-65 ° C ~ 175 ° C	300mA	-
SBR8040	131.4300	RFQ	4951	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Schottky		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	40 V	740 MV @ 80 A			-65 ° C ~ 175 ° C	80A	-
1N3998	44.6400	RFQ	1961	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N3998		10 W	DO-203AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 2 V				6.2 V	1.1 ohmios
Jan1n3038bur-1	12.7350	RFQ	2306	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3038		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 42.6 V				56 V	110 ohmios
1N4112ur/TR	3.5245	RFQ	2934	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4112ur/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 13.67 V				18 V	100 ohmios
Jan1n3291r	-	RFQ	5472	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/246	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.55 V @ 310 A		10 Ma @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
1N3212R	65.8800	RFQ	5942	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N3212	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3212RMS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.19 v @ 90 A		10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	40A	-
1N1202A	34.7100	RFQ	6180	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/260	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar			Alcanzar sin afectado	1N1202ams	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.35 V @ 38 A		5 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
1N4756AP/TR8	1.8900	RFQ	8304	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4756		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V				47 V	80 ohmios
LSM535GE3/TR13	0.7500	RFQ	4156	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-215AB, Ala de Gaviota SMC	LSM535	Schottky		DO-215AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	35 V	520 MV @ 5 A		2 Ma @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C	5A	-
Jantxv1n4465	12.0150	RFQ	1969	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4465		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		300 na @ 8 V				10 V	5 ohmios
Jans1n6341dus	527.5650	RFQ	3528	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n6341dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 39 V				51 V	85 ohmios
R304100	40.6350	RFQ	3037	Tecnología de Microchip	R304	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	R304100	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1000 V	1.19 v @ 90 A		10 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 200 ° C	40A	-
1N5279Bur-1/TR	5.3400	RFQ	1753	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	182			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 137 V				180 V	2200 ohmios
1N3891	44.6400	RFQ	4710	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/304	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1N3891MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.5 V @ 38 A	200 ns	25 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	12A	115pf @ 10V, 1 MHz
Jantxv1n5614/tr	8.8950	RFQ	5849	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/427	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5614/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
SMBJ5941BE3/TR13	0.8850	RFQ	3273	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5941		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V				47 V	67 ohmios
Msasc100h45hr	-	RFQ	3679	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 1		Schottky		Thinkey ™ 1	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	45 V	650 MV @ 80 A			-65 ° C ~ 150 ° C	100A	-
LSM130GE3/TR13	0.6450	RFQ	4180	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo					LSM130				-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000
Jans1n6329c	358.7400	RFQ	1707	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			500 MW	B, axial	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 12 V				16 V	12 ohmios
Jan1N4128-1	-	RFQ	5853	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400 ohmios
1 PMT5939E3/TR13	-	RFQ	7660	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5939		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 V	45 ohmios
1 PMT5939AE3/TR13	0.7350	RFQ	6325	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5939		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 29.7 V				39 V	45 ohmios
SBR3050	51.2250	RFQ	7999	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	SBR3050	Schottky		DO-203AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	SBR3050-NDR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	630 MV @ 30 A		1.5 Ma @ 50 V		30A	-
SMBJ5940CE3/TR13	1.3350	RFQ	4051	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5940		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V				43 V	53 ohmios
1N3670A	34.7100	RFQ	8067	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N3670A	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	700 V	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 700 V	-65 ° C ~ 200 ° C	22A	-
Jantxv1n5554	11.4300	RFQ	1097	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/420	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial	1N5554	Estándar		B, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1000 V	1.3 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	-
1N5803E3	6.0300	RFQ	8360	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Axial		Estándar		Axial	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5803E3	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	80 V	875 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1 MHz
Jantxv1n3172r	-	RFQ	2728	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/211	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	800 V	1.55 V @ 940 A		10 Ma @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²