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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL753A | 2.8950 |  | 3991 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL753 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 V | 7 ohmios | |||||||||
 | CD4461 | 4.3624 | | 3270 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4461 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||
 | 1N4620ure3/TR | 3.2000 | | 9986 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4620ure3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Jan1n6627us/tr | 14.3550 | | 3523 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/590 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | Estándar | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N6627US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 440 V | 1.35 V @ 1.2 A | 30 ns | 2 µA @ 440 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75a | 40pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||
 | Jantxv1n4485cus/tr | 45.2850 | | 6777 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jantxv1n4485cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 54.4 V | 68 V | 100 ohmios | ||||||||||||
| CDLL5822 | 6.5700 | | 1505 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5822 | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | Jantx1n3020d-1/tr | 24.4853 | | 8068 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3020D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 25 µA @ 7.6 V | 10 V | 7 ohmios | ||||||||||
 | 1N5343E3/TR12 | 2.6250 | | 3451 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5343 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 5.4 V | 7.5 V | 1.5 ohmios | |||||||||
 | 1N5233 | 1.8600 | | 2969 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5233 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.3 V | 6 V | 7 ohmios | |||||||||||
 | CDLL5543D/TR | 16.3950 | | 2950 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5543D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.4 V | 25 V | 100 ohmios | |||||||||||
 | DSB0.5A40 | - | | 6635 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DSB0.5 | Schottky | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 650 MV @ 500 Ma | 10 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 500mA | 60pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||
| 1N4991us/TR | 16.4800 | | 3786 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 182 V | 240 V | 650 ohmios | |||||||||||||
| Jantx1n2971b | - | | 5317 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 100 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 1.3 ohmios | ||||||||||||
| Jan1N3021D-1/TR | 22.7164 | | 2689 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3021D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 8 ohmios | ||||||||||
| Jan1N2825RB | - | | 4287 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2825 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 27.4 V | 36 V | 3.5 ohmios | ||||||||||
| CDLL5537C/TR | 11.0124 | | 3476 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5537C/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.3 V | 17 V | 100 ohmios | ||||||||||
| CD4709 | 2.3408 | | 1765 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4709 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 10 na @ 18.2 V | 24 V | |||||||||||
| 1N5921AE3/TR13 | - | | 9705 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5921 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 2.5 ohmios | |||||||||
| R3730 | 49.0050 | | 9050 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R3730 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| Jans1n4480dus/tr | 330.4050 | | 3571 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-Jans1n4480dus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 34.4 V | 43 V | 40 ohmios | ||||||||||||
| R3720 | 59.0400 | | 8005 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SR37 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 V @ 200 A | -65 ° C ~ 200 ° C | 85a | - | |||||||||||
| 1N938B-1/TR | 8.9700 | | 6378 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N938B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 9 V | 20 ohmios | |||||||||||||
| Jans1n4461cus/tr | 283.9800 | | 3823 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jans1n4461cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 5 µA @ 4.08 V | 6.8 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||
| 1N2138 | 74.5200 | | 3069 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-5 (DO-203AB) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2138 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 70a | - | ||||||||||
| Jan1N5536Bur-1/TR | 12.9542 | | 3183 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5536BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 14.4 V | 16 V | 100 ohmios | ||||||||||
 | Jantx1n3016dur-1/tr | 41.9482 | | 9784 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n3016dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 150 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | ||||||||||
| Jantxv1n4579aur-1 | 39.3150 | | 4270 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4579 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 50 ohmios | ||||||||||
 | Jans1n6342dus | 527.5650 | | 8342 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6342dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 43 V | 56 V | 100 ohmios | |||||||||||
 | Cdll6317/tr | 12.5020 | | 2694 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-cdll6317/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 14 ohmios | ||||||||||
| 1N935A-1/TR | 5.7300 | | 6613 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N935A-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 165 | 9 V | 20 ohmios |
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