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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N6353	14.9700	RFQ	8550	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial	1N6353		500 MW	B, axial	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 122 V				160 V	1200 ohmios
1N5370AE3/TR8	2.6250	RFQ	7417	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5370		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 40.3 V				56 V	35 ohmios
Jantxv1n4577aur-1	13.8900	RFQ	9799	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/452	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4577		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	50 ohmios
1 PMT4626E3/TR13	0.4950	RFQ	6079	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4626		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 4 V				5.6 V	1400 ohmios
MSASC25W100K	-	RFQ	2464	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	-	MSASC25	Schottky		2-thinkey ™	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	910 MV @ 25 A		500 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	25A	-
1N3047Bur-1	16.1100	RFQ	8925	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3047		1.5 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		500 na @ 98.8 V				130 V	700 ohmios
1N968B/TR	2.0083	RFQ	9483	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N968B/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 15.2 V				20 V	25 ohmios
Jans1n4957d	519.7200	RFQ	5094	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n4957d	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		25 µA @ 6.9 V				9.1 V	2 ohmios
1N4573	12.4050	RFQ	9097	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4573	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	100 ohmios
Jantx1n3307rb	-	RFQ	3510	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		50 µA @ 5.4 V				8.2 V	0.4 ohmios
Jan1N754Cur-1/TR	10.2410	RFQ	8812	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N754CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 4 V				6.8 V	5 ohmios
Jan1n6642u	7.7800	RFQ	5654	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/578	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, D	1N6642	Estándar		D-5D	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	75 V	1.2 V @ 100 Ma	5 ns	500 na @ 75 V	-65 ° C ~ 175 ° C	300mA	-
Jantx1n750aur-1/tr	4.3092	RFQ	7617	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-JantX1N750AUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1.5 V				4.7 V	15 ohmios
Jantxv1n3024cur-1	45.5250	RFQ	5989	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3024		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 V	14 ohmios
1N4738CPE3/TR8	1.1550	RFQ	9574	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4738		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 6 V				8.2 V	4.5 ohmios
1N4626ur	4.3200	RFQ	99	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4626		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5.2 V				5.6 V	1400 ohmios
1N5834	57.4200	RFQ	5340	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N5834	Schottky		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N5834MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	40 V	590 MV @ 40 A		20 Ma @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	40A	-
Jan1n3019d-1	24.4650	RFQ	4764	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3019		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				9.1 V	6 ohmios
1N4621UR-1	3.1050	RFQ	8203	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	1N4621		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		3.5 µA @ 2 V				3.6 V	1700 ohmios
1N5195	8.1000	RFQ	3774	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5195	Estándar		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	180 V	1 V @ 100 Ma		25 na @ 180 V	-65 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	-
1N937B-1	9.9750	RFQ	1747	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N937B-1	EAR99	8541.10.0050	1									9 V	20 ohmios
CDS964BUR-1/TR	-	RFQ	3680	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-cds964bur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	50
1N972Be3/TR	2.4450	RFQ	7271	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-			Alcanzar sin afectado	150-1N972BE3/TR	EAR99	8541.10.0050	385			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 22.8 V				30 V	49 ohmios
UZ720	22.4400	RFQ	5944	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			3 W	A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ720	EAR99	8541.10.0050	1					5 µA @ 15.2 V				20 V	9 ohmios
1N4486US/TR	10.2410	RFQ	1359	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	A, SQ-Melf	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4486U/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		250 na @ 60 V				75 V	130 ohmios
1N3824A-1/TR	5.6791	RFQ	8436	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N3824A-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 V	9 ohmios
CDLL5280B	3.1350	RFQ	9355	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5280			DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 137 V				190 V	2400 ohmios
Jantxv1n4134-1/tr	8.1662	RFQ	1232	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4134-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 69.2 V				91 V	1200 ohmios
CDLL5822	6.5700	RFQ	1505	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5822			1
1N2138	74.5200	RFQ	3069	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		DO-5 (DO-203AB)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2138	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	600 V	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	70a	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²