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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantxv1n647-1	-	RFQ	6155	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/240	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N647	Estándar		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1 V @ 400 Ma		50 na @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
Jantx1n983d-1/tr	7.9268	RFQ	2681	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N983		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N983D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 62 V				82 V	330 ohmios
1N6656	316.1850	RFQ	4557	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 254-3, un 254AA		Estándar		Un 254AA	-			Alcanzar sin afectado	150-1N6656	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 20 A	35 ns		-	20A	-
MQ1N5553US	-	RFQ	9016	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/420	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Estándar		B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-MQ1N5553US	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Jantxv1n965d-1/tr	9.6957	RFQ	7434	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N965D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 11 V				15 V	16 ohmios
Apt2x30s20j	24.1200	RFQ	35	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x30	Schottky		SOT-227 (ISOTOP®)	-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	150-ACT2X30S20J	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	200 V	45a	850 MV @ 30 A	55 ns	500 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 150 ° C
Jantxv1n980d-1/tr	8.5519	RFQ	4971	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N980D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 47 V				62 V	185 ohmios
Jantx1n5711ubcc	104.4300	RFQ	4532	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo		Schottky		UB	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		50 V		1 V @ 15 Ma		200 na @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C		2pf @ 0V, 1 MHz
Jan1n6842u3	-	RFQ	6951	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo		Schottky		U3	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		900 MV @ 15 A		50 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	400pf @ 5V, 1MHz
Jan1n5802urs/TR	19.6200	RFQ	1288	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/477	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un		Estándar		D-5A	-				150-Enero1n5802urs/TR			100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		875 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1 MHz
CD4702	2.3408	RFQ	1661	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4702	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		50 na @ 11.4 V				15 V
Jan1n4460d	25.4550	RFQ	4444	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4460		1.5 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 Ma		10 µA @ 3.72 V				6.2 V	4 ohmios
Jantxv1n979c-1/tr	6.8628	RFQ	1264	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n979c-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 43 V				56 V	150 ohmios
Jantxv1n5968dus	-	RFQ	7346	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n5968dus	EAR99	8541.10.0050	50					1.5 v @ 1 a		5 Ma @ 4.28 V				5.6 V	1 ohmios
Jantxv1n5806/tr	9.8250	RFQ	5378	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5806/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		875 MV @ 1 A	25 ns	1 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	25pf @ 10V, 1 MHz
Jans1n4996us/tr	-	RFQ	9828	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4996us/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		2 µA @ 16.7 V				22 V	5 ohmios
1N5922APE3/TR8	0.9150	RFQ	7713	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5922		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 6 V				7.5 V	3 ohmios
R716	55.6500	RFQ	6066	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3	R716	Estándar		TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.4 V @ 15 A	200 ns	1 Ma @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	15A	-
1N3899R	48.5400	RFQ	3917	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N3899	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	20A	150pf @ 10V, 1 MHz
Jan1N3024D-1/TR	19.3515	RFQ	8290	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N3024D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 V	14 ohmios
UFS105JE3/TR13	0.9000	RFQ	2719	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214BA	UFS105	Estándar		DO-214BA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		950 MV @ 1 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N3041BUR-1/TR	15.4500	RFQ	7306	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-					EAR99	8541.10.0050	100					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 56 V				75 V	175 ohmios
Jantxv1n4124ur-1/tr	10.1080	RFQ	3609	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantxv1n4124ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 32.7 V				43 V	250 ohmios
Jantxv1n6345dus/tr	68.7000	RFQ	1910	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-jantxv1n6345dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100					1.4 v @ 1 a		50 na @ 56 V				75 V	180 ohmios
Jan1n4962cus/tr	22.7100	RFQ	9666	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-Enero1n4962cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		5 µA @ 11.4 V				15 V	3.5 ohmios
Jantx1n649-1	-	RFQ	9119	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/240	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N649	Estándar		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1 V @ 400 Ma		50 na @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
Jantxv1n4120c-1	23.1600	RFQ	8054	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4120		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200 ohmios
R3410	36.6600	RFQ	2454	Tecnología de Microchip	R34	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	R3410	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.15 V @ 90 A		10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	45a	-
1N3611E3	4.9050	RFQ	9746	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N3611	Estándar		A, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.1 v @ 1 a		1 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1 PMT5932AE3/TR7	0.7350	RFQ	4574	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5932		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 15.2 V				20 V	14 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²