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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
1N6772	302.0100	RFQ	6813	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-1N6772	EAR99	8541.10.0080	1
1N459	102.2400	RFQ	7727	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N459	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	200 V	1 V @ 100 Ma		1 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	-
Jantx1n3890a	344.1450	RFQ	1143	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/304	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N3890	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	1.5 V @ 20 A	200 ns	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	12A	-
R3160	49.0050	RFQ	9227	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-R3160			1
UPS560E3/TR13	0.6300	RFQ	59	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	PowerMite®3	UPS560	Schottky		Powermit 3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	60 V	690 MV @ 5 A		200 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 125 ° C	5A	150pf @ 4V, 1 MHz
GC9913-150A	-	RFQ	2889	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C		Morir				Chip	-			Alcanzar sin afectado	150-GC9913-150ATR	EAR99	8541.10.0040	1								0.3pf @ 0V, 1MHz	Schottky - Single	2V			14ohm @ 5mA, 1 MHz
1N715	1.9200	RFQ	7639	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N715		250 MW	Do-35	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											11 V	9 ohmios
1N6931UTK1	259.3500	RFQ	6162	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-1n6931utk1			1
UES1304HR2	25.6800	RFQ	1253	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-Ues1304HR2	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	200 V	1 v @ 3 a	50 ns	20 µA @ 200 V	-	5A	-
1N5353/TR12	2.6250	RFQ	2303	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5353		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 1 a		1 µA @ 11.5 V						16 V	2.5 ohmios
R42150	102.2400	RFQ	1215	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-R42150			1
Jan1n5809us/tr	8.4600	RFQ	7373	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Estándar		B, SQ-Melf	-			Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N5809US/TR	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	875 MV @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 10V, 1 MHz
Janhca1n971b	8.5785	RFQ	4497	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N971B	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 20.6 V						27 V	41 ohmios
UPS170/TR7	0.6150	RFQ	1877	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo					UPS170				-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000
Jan1n5814	-	RFQ	8187	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	950 MV @ 20 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	20A	300pf @ 10V, 1 MHz
1N1345	45.3600	RFQ	7997	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N1345	Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	300 V	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 200 ° C	16A	-
1N5188	-	RFQ	9914	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.5 v @ 9 a	250 ns	2 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Jantxv1n6323dus/tr	71.5350	RFQ	4713	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-jantxv1n6323dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100			1.4 v @ 1 a		1 µA @ 7 V						9.1 V	6 ohmios
Jantxv1n4122ur-1	11.2500	RFQ	5416	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4122		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 27.4 V						36 V	200 ohmios
1N4735AP/TR8	1.8900	RFQ	5804	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4735		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 3 V						6.2 V	2 ohmios
1N4526	62.1150	RFQ	2734	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N4526	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	400 V	1.19 v @ 90 A		10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	40A	-
Jantxv1n748cur-1/tr	17.6624	RFQ	5051	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n748cur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 1 V						3.9 V	23 ohmios
1N6345US	14.6400	RFQ	2728	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6345		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 56 V						75 V	180 ohmios
1N5231D	6.7950	RFQ	9281	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5231D	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		5 µA @ 2 V						5.1 V	17 ohmios
R36110	42.4501	RFQ	6589	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-R36110			1
Jantx1n4115-1	4.4250	RFQ	3912	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4115		500 MW	Do-35	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.8 V						22 V	150 ohmios
Jan1N4622-1/TR	3.4580	RFQ	7910	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1N4622-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2.5 µA @ 2 V						3.9 V	1650 ohmios
Jantxv1n4462us	-	RFQ	6135	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		1 µA @ 4.5 V						7.5 V	2.5 ohmios
1N5239Bur-1	2.8650	RFQ	3891	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA	1N5239		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 7 V						9.1 V	10 ohmios
1N822	4.7550	RFQ	1212	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N822		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.2 V	15 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

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15,000 m²