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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | R307020F | 49.0050 |  | 7523 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R307020F | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | 1N5930BE3/TR13 | - | | 4484 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5930 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10 ohmios | |||||||||
| 1N5360CE3/TR13 | 1.3350 | | 1180 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5360 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 18 V | 25 V | 4 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n6624/tr | 17.1900 | | 8950 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/585 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6624/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 990 V | 1.55 v @ 1 a | 50 ns | 500 na @ 990 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 10pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||
 | Jantxv1n3033dur-1 | 56.9100 | | 4777 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3033 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 27.4 V | 36 V | 50 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n6323us | 18.2700 | | 9840 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6323 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | |||||||||
| Jantxv1n6314us | - | | 1157 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||
 | 1 PMT5953AE3/TR7 | 0.7350 | | 3279 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5953 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 114 V | 150 V | 600 ohmios | |||||||||
| Jantx1n6674 | - | | 2006 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/617 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | Estándar | Un 254 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.55 V @ 20 A | 35 ns | 50 µA @ 400 V | - | 15A | 150pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||
 | 1N4725 | 53.3550 | | 1979 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | 1N4725 | Estándar | - | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1 v @ 3 a | 25 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||
| Jan1n3164r | - | | 4921 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/211 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.55 V @ 940 A | 10 Ma @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | ||||||||||
 | Jantxv1n4107c-1 | 21.6900 | | 2745 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4107 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 13 V | 200 ohmios | |||||||||
| CDLL827A | 10.3950 | | 4346 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | CDLL827 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | Jantxv1n5619 | 9.4200 | | 9158 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5619 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.6 v @ 3 a | 250 ns | 500 na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 12V, 1 MHz | |||||||
| 1N5365BE3/TR12 | 2.6850 | | 4428 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5365 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 25.9 V | 36 V | 11 ohmios | |||||||||
 | 1N3340B | 49.3800 | | 3474 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3340 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 76 V | 100 V | 20 ohmios | |||||||||
 | CDLL4623 | 3.9450 | | 3687 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4623 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.3 V | 1600 ohmios | |||||||||
 | Smaj4747ce3/tr13 | 0.6450 | | 9486 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj4747 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | |||||||||
 | SMBJ4763/TR13 | 0.8700 | | 5461 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4763 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||
 | Jan1N3825D-1 | 21.7350 | | 7149 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3825 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.7 V | 8 ohmios | |||||||||
| Jantxv1n2999rb | - | | 7598 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 42.6 V | 56 V | 16 ohmios | |||||||||||
| 1N5344C/TR12 | - | | 2224 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5344 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 5.9 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | |||||||||
| 1N5358Be3/TR8 | 2.6850 | | 1995 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5358 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 15.8 V | 22 V | 3.5 ohmios | |||||||||
| SMBJ5372C/TR13 | 2.1900 | | 2632 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5372 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 44.6 V | 62 V | 42 ohmios | |||||||||
 | 1N6000B | 2.0700 | | 2062 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6000 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N6000BMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 8 V | 10 V | 15 ohmios | ||||||||
| 1 PMT4115CE3/TR7 | - | | 2234 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4115 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.72 V | 22 V | 150 ohmios | |||||||||
| 1N4737CP/TR12 | 2.2800 | | 7960 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4737 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 5 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||
| Jan1N4550RB | - | | 7104 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 150 µA @ 500 MV | 4.3 V | 0.16 ohmios | |||||||||||
 | Jantx1n4986 | 13.9650 | | 7120 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4986 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 114 V | 150 V | 330 ohmios | ||||||||||
| Jans1n6313/tr | 114.7350 | | 9471 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6313 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 v @ 1 a | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 25 ohmios |
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