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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Disipacia de Potencia (Max) | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jans1n4970us | 92.0400 |  | 2982 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jantx1n3036b-1/tr | 9.0573 | | 7658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3036B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 35.8 V | 47 V | 80 ohmios | ||||||||||||||||
| Jan1n4984dus | 41.7000 | | 7916 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4984 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 91.2 V | 120 V | 170 ohmios | |||||||||||||||
 | Jantx1n4983dus/tr | 30.9000 | | 3657 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-Jantx1n4983dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 83.6 V | 110 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||||
 | 1N746AUR-1 | 3.0300 | | 2059 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N746 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 24 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jantx1n6343 | 12.4350 | | 6595 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 1N6343 | 500 MW | B, axial | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 47 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||||||
| R20430 | 33.4500 | | 9819 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R20430 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| UM7108SM | - | | 2172 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | Mel | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM7108SMTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 8 W | 1.2pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 800V | 600mohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||
 | Jantxv1n6310d | 45.0600 | | 8795 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6310 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 60 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||
 | 1N751A-1 | 2.1800 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N751 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 14 ohmios | |||||||||||||||
| 1N1401 | 38.3850 | | 4678 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N1401 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | ||||||||||||||||
| Jantxv1n1190 | 63.8550 | | 2494 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/297 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N1190 | Estándar | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | ||||||||||||||
| Jan1n983dur-1 | 14.2500 | | 8711 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N983 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 62 V | 82 V | 330 ohmios | |||||||||||||||
| Jantxv1n2809rb | - | | 5447 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2809 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 0.8 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jans1n5618 | 47.5350 | | 3086 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | |||||||||||||||
 | 1 PMT5948AE3/TR13 | 0.7350 | | 9541 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5948 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 69.2 V | 91 V | 200 ohmios | |||||||||||||||
| 1N5272BUR/TR | 3.7800 | | 1127 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5272BUR/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 250 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 84 V | 110 V | 750 ohmios | |||||||||||||||||
| Jantxv1n5535dur-1 | 61.9050 | | 2695 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5535 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 13.5 V | 15 V | 100 ohmios | |||||||||||||||
| 1N5711ubca/TR | 32.0600 | | 7651 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | Schottky | UB | - | 100 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Ánodo Común | 50 V | 1 V @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||||||||||
 | Jans1n6491us/tr | - | | 5515 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | descascar | 150-jans1n6491us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 500 na @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1N647UR-1 | 3.9600 | | 1906 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N647 | Estándar | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | ||||||||||||||
| Jan1n4461cus/tr | 26.9100 | | 9119 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-Enero1n4461cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 5 µA @ 4.08 V | 6.8 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||||||||
 | SMBJ5348CE3/TR13 | 1.0050 | | 6882 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5348 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 5 µA @ 8 V | 11 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||||
| Jantx1n5539b-1/tr | 6.2111 | | 8351 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5539B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 17.1 V | 19 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
| Jan1n966d-1 | 6.3450 | | 6850 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N966 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | |||||||||||||||
| Jantx1n945bur-1 | - | | 5994 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/157 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | ||||||||||||||||||
| 1N6771 | 199.5300 | | 4684 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 257-3 | 1N6771 | Estándar | Un 257 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6771 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 8a (DC) | 1.06 v @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 160 V | - | ||||||||||||||
| 1N6772 | 302.0100 | | 6813 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6772 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N459 | 102.2400 | | 7727 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N459 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 200 V | 1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | - | ||||||||||||||||
| Jantx1n3890a | 344.1450 | | 1143 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3890 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 V @ 20 A | 200 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | - |
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