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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N6858-1	8.1150	RFQ	5191	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6858	Schottky		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		70 V		650 MV @ 15 Ma		200 na @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	75 Ma	4.5pf @ 0V, 1 MHz
1N5824E3	55.9800	RFQ	7869	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Axial		Schottky		Axial	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5824E3	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		370 MV @ 5 A		10 Ma @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	5A	-
CD5383A	5.6700	RFQ	6029	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	Morir			5 W	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD5383A	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		500 na @ 114 V				150 V	330 ohmios
1N4446	1.8900	RFQ	3440	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4446	Estándar		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1N4446MS	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		75 V		1 V @ 20 Ma	4 ns	25 na @ 20 V	-65 ° C ~ 150 ° C	200 MMA	-
Aptdf400kk60g	129.3311	RFQ	1555	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	LP4	Aptdf400	Estándar		Sp6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	600 V	500A	2 V @ 400 A	160 ns	750 µA @ 600 V
Jan1N5535CUR-1	37.0200	RFQ	1926	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N5535		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 13.5 V				15 V	100 ohmios
1N5833	57.4200	RFQ	9304	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N5833	Schottky		Do-5	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N5833MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		550 MV @ 40 A		20 Ma @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	40A	-
CDLL4771	97.4550	RFQ	4943	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4771		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				9.1 V	200 ohmios
Jankcc1n6636	-	RFQ	4061	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-JANKCC1N6636	EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a		20 µA @ 1 V				4.7 V	2 ohmios
Jan1n6309us/tr	15.4350	RFQ	5451	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-Enero1n6309us/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.4 v @ 1 a		100 µA @ 1 V				2.4 V	30 ohmios
Jankca1n5523d	-	RFQ	6635	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-jankca1n5523d	EAR99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2.5 V				5.1 V	26 ohmios
1N4448	-	RFQ	8198	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial		Estándar		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	1N4448MS	EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		75 V		1 V @ 100 Ma	4 ns	25 na @ 20 V	-65 ° C ~ 150 ° C	200 MMA	-
2EZ75D5	2.6700	RFQ	10	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	2EZ75		2 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		500 na @ 56 V				75 V	90 ohmios
Jantx1n6336cus/tr	39.9450	RFQ	8993	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-Jantx1n6336cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100					1.4 v @ 1 a		50 na @ 25 V				33 V	40 ohmios
Jantx1n3036d-1	27.4500	RFQ	5469	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3036		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 35.8 V				47 V	80 ohmios
Apt2x101dq60j	24.4600	RFQ	117	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x101	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	600 V	100A	2.2 V @ 100 A	160 ns	25 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C
R43120	59.8350	RFQ	4180	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	R43120	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar			Alcanzar sin afectado	R43120MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.1 v @ 200 a		50 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
1N4731UR/TR	3.6150	RFQ	8826	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-				150-1N4731UR/TR	EAR99	8541.10.0050	272					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 1 V				4.3 V	9 ohmios
1N3046B-1/TR	7.4214	RFQ	5905	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115N	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-13	1N3046		1 W	DO-13 (DO-202AA)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N3046B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 91.2 V				120 V	550 ohmios
Jantxv1n5712ub	65.0700	RFQ	7433	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo		Schottky		UB	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad				1 V @ 35 Ma			-	-	2pf @ 0V, 1 MHz
1N5281	3.1200	RFQ	4453	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial				DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5281	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 144 V
SMBG5349B/TR13	2.2500	RFQ	3931	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5349		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		2 µA @ 8.6 V				12 V	2.5 ohmios
Jantxv1n5535c-1	23.3700	RFQ	7169	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5535		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 13.5 V				15 V	100 ohmios
CDLL5933B	3.9300	RFQ	7580	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5933		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 16.7 V				22 V	17.5 ohmios
Jantxv1n6677ur-1	-	RFQ	4468	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/610	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA	1N6677	Schottky		DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		40 V		500 MV @ 200 Ma		5 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	200 MMA	50pf @ 0v, 1 MHz
Jans1n5812r	873.6000	RFQ	7869	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/478	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		950 MV @ 20 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	20A	300pf @ 10V, 1 MHz
SMBJ5935CE3/TR13	1.3350	RFQ	4178	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5935		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 20.6 V				27 V	23 ohmios
Jans1n6872utk2	608.4000	RFQ	3699	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/469	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Thinkey ™ 2		Estándar		Thinkey ™ 2	-			Alcanzar sin afectado	150-JANS1N6872UTK2	EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)				1 V @ 400 Ma			-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
1 PMT4127CE3/TR7	0.4300	RFQ	2762	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4127		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 42.6 V				56 V	250 ohmios
Jans1n4625dur-1/tr	103.1100	RFQ	4820	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jans1n4625dur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 3 V				5.1 V	1.5 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
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Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²