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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n4475d | 25.4550 |  | 4049 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4475 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 21.6 V | 27 V | 18 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n3291r | - | | 5516 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/246 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.55 V @ 310 A | 10 Ma @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | ||||||||||
 | UES1103SM-1/TR | 22.0950 | | 7050 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Polaridad Inversa Estándar | A, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Ues1103SM-1/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 980 MV @ 2.5 A | 25 ns | 2 µA @ 150 V | - | 2.5a | - | |||||||||
 | Jantxv1n4622d-1 | 18.4650 | | 7530 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4622 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 V | 1650 ohmios | |||||||||
 | SMBJ4734E3/TR13 | 0.4350 | | 2194 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4734 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | |||||||||
| 30HFU-300 | 93.8250 | | 8131 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-203AB (DO-5) | - | Alcanzar sin afectado | 150-30HFU-300 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | -65 ° C ~ 175 ° C | - | - | ||||||||||||||
 | 1 PMT5936/TR7 | 2.2200 | | 3482 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5936 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28 ohmios | |||||||||
 | Jantxv1n4153ur-1/tr | - | | 8509 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/337 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4153UR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 880 MV @ 20 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||
 | CDLL759 | 2.8650 | | 8139 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL759 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 30 ohmios | |||||||||
| 1N5252Bur-1 | 2.8650 | | 3721 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | ||||||||||||
 | Jantxv1n4474 | 12.3600 | | 5623 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4474 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 19.2 V | 24 V | 16 ohmios | |||||||||
| 1N4758AP/TR12 | 1.8900 | | 4025 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4758 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 42.6 V | 56 V | 110 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n6663 | 358.1400 | | 2 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/587 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6663 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 500mA | - | ||||||||
| 1N4735P/TR8 | 1.8600 | | 3009 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4735 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 6.2 V | 2 ohmios | |||||||||
 | Jantx1n6351us | 18.0900 | | 4121 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6351 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 99 V | 130 V | 850 ohmios | ||||||||||
| Jantxv1n2980rb | - | | 8598 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 4 ohmios | |||||||||||
 | S20420 | 33.4500 | | 1997 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | S204 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | S204 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | |||||||||
| Jan1n6765 | - | | 9004 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | Estándar | Un 254 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 12 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | - | 12A | 300pf @ 5V, 1MHz | |||||||||
 | Jan1N3828C-1/TR | 15.5078 | | 8383 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3828C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 3 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||
 | Jantx1n4245 | 4.7250 | | 2281 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/286 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N4245 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 3 A | 5 µs | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||
| 1N5531B/TR | 1.9950 | | 4992 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5531B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 477 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 11 V | 80 ohmios | |||||||||||
 | Smaj4760ae3/tr13 | 0.6450 | | 7241 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj4760 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | |||||||||
| Jan1n4478us | 10.8150 | | 2494 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4478 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 28.8 V | 36 V | 27 ohmios | |||||||||
| Jan1n4461d | 25.4550 | | 2087 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4461 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4.08 V | 6.8 V | 2.5 ohmios | |||||||||
 | Janhca1n749a | 7.2618 | | 9125 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N749A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | ||||||||||
| Jan1N4992DUS/TR | 46.8450 | | 6171 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-ENERO1N4992DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 206 V | 270 V | 800 ohmios | ||||||||||||
| 1 PMT5935C/TR13 | 2.7600 | | 8291 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5935 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 27 V | 23 ohmios | |||||||||
| Jan1n3291r | - | | 5472 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/246 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.55 V @ 310 A | 10 Ma @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | ||||||||||
| Jan1N989B-1 | - | | 8334 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 114 V | 150 V | 1500 ohmios | ||||||||||||
| 85HQ040 | 117.7800 | | 8532 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 85HQ040 | Schottky | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 85HQ040 ms | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 740 MV @ 80 A | 2 Ma @ 40 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 80A | - |
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