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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
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Jantx1n5539b-1/tr | 6.2111 | ![]() | 8351 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5539B-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 17.1 V | 19 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
Jan1n966d-1 | 6.3450 | ![]() | 6850 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N966 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | |||||||||||||||
![]() | Jantx1n945bur-1 | - | ![]() | 5994 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/157 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||
![]() | 1N6771 | 199.5300 | ![]() | 4684 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 257-3 | 1N6771 | Estándar | Un 257 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6771 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 200 V | 8a (DC) | 1.06 v @ 8 a | 35 ns | 10 µA @ 160 V | - | |||||||||||||
![]() | 1N6772 | 302.0100 | ![]() | 6813 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N6772 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
1N459 | 102.2400 | ![]() | 7727 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N459 | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 200 V | 1 V @ 100 Ma | 1 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 150 Ma | - | ||||||||||||||||
![]() | Jantx1n3890a | 344.1450 | ![]() | 1143 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3890 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 V @ 20 A | 200 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | - | ||||||||||||
![]() | R3160 | 49.0050 | ![]() | 9227 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R3160 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LSM335JE3/TR13 | 0.5550 | ![]() | 4327 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | LSM335 | Schottky | DO-214AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 520 MV @ 3 A | 1.5 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||||||||
![]() | CD4728 | 2.0700 | ![]() | 6616 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD4728 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
UPS560E3/TR13 | 0.6300 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | PowerMite®3 | UPS560 | Schottky | Powermit 3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 690 MV @ 5 A | 200 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | 150pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||
![]() | GC9913-150A | - | ![]() | 2889 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC9913-150ATR | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.3pf @ 0V, 1MHz | Schottky - Single | 2V | 14ohm @ 5mA, 1 MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 1N1201A | 34.7100 | ![]() | 2112 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Alcanzar sin afectado | 1N1201ams | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.2 V @ 30 A | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||||||||||
![]() | 1N715 | 1.9200 | ![]() | 7639 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N715 | 250 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 11 V | 9 ohmios | ||||||||||||||||
Jantx1n973bur-1 | 7.4100 | ![]() | 4664 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N973 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 25 V | 33 V | 58 ohmios | |||||||||||||||
![]() | 1N6931UTK1 | 259.3500 | ![]() | 6162 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-1n6931utk1 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UES1304HR2 | 25.6800 | ![]() | 1253 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-Ues1304HR2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 3 a | 50 ns | 20 µA @ 200 V | - | 5A | - | ||||||||||||||
![]() | 1N5353/TR12 | 2.6250 | ![]() | 2303 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5353 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 11.5 V | 16 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||||
![]() | R42150 | 102.2400 | ![]() | 1215 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R42150 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2138 | 74.5200 | ![]() | 3069 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | DO-5 (DO-203AB) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2138 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 70a | - | |||||||||||||||
![]() | Jan1n5809us/tr | 8.4600 | ![]() | 7373 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5809US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 875 MV @ 4 A | 30 ns | 5 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||
1N5279A | 3.1200 | ![]() | 4471 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5279 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 137 V | 180 V | 2200 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Jantx1n6329 | 14.6100 | ![]() | 4877 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | B, axial | 500 MW | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 12 V | 16 V | 12 ohmios | |||||||||||||||||
Jan1N5540C-1/TR | 9.9351 | ![]() | 6070 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5540C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 20 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | Janhca1n971b | 8.5785 | ![]() | 4497 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N971B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 41 ohmios | |||||||||||||||
1N4103-1/TR | 2.3408 | ![]() | 4563 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4103-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7 V | 9.1 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||
![]() | UPS170/TR7 | 0.6150 | ![]() | 1877 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | UPS170 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5814 | - | ![]() | 8187 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 300pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | 1N1345 | 45.3600 | ![]() | 7997 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1345 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 16A | - | ||||||||||||||
![]() | 1N5188 | - | ![]() | 9914 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 v @ 9 a | 250 ns | 2 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - |
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