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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Jan1n6316dus | 48.9150 | ![]() | 5594 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6316 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 V | 17 ohmios | |||||||||||||
Jan1n4475 | 7.9500 | ![]() | 6782 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4475 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 21.6 V | 27 V | 18 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N5920D | 7.5450 | ![]() | 4505 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1N5920 | 1.25 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||||
Apt15dq60kg | 0.7000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | APT15DQ60 | Estándar | Un 220 [k] | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.4 v @ 15 a | 19 ns | 25 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 15A | - | ||||||||||
![]() | S8-4148/TR13 | 3.3600 | ![]() | 6314 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | S8-4148 | Estándar | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 4 Independientes | 75 V | 400 mA (DC) | 1.2 V @ 100 Ma | 5 ns | 100 na @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||
![]() | Jantx1n4100ur-1 | 11.3700 | ![]() | 1739 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4100 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 5.7 V | 7.5 V | 200 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N3270R | 158.8200 | ![]() | 7674 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 1N3270 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3270RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 700 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 700 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | ||||||||||
![]() | Jantxv1n1184r | 63.8550 | ![]() | 9712 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/297 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N1184 | Polaridad Inversa Estándar | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.4 V @ 110 A | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | ||||||||||
![]() | Jans1n4471/tr | 84.0150 | ![]() | 9934 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1.5 W | Do-41 | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4471/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 50 na @ 14.4 V | 18 V | 11 ohmios | |||||||||||||
Jantxv1n4110-1 | 9.0450 | ![]() | 2503 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4110 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 12.2 V | 16 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N3274R | 158.8200 | ![]() | 7760 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 1N3274 | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N3274RMS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 1200 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | ||||||||||
Jantx1n3164 | - | ![]() | 6463 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/211 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.55 V @ 940 A | 10 Ma @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | ||||||||||||
![]() | 1N2840B | - | ![]() | 7701 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2840 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 83.6 V | 110 V | 30 ohmios | |||||||||||
CDLL980 | 2.9400 | ![]() | 1360 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL980 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 47 V | 62 V | 185 ohmios | ||||||||||||
![]() | UES1306SM | 49.7550 | ![]() | 6255 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | UES1306 | - | Rohs no conforme | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | UPS120/TR7 | 0.5550 | ![]() | 2560 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-216AA | UPS120 | Schottky | Powermite | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 450 MV @ 1 A | 400 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 1A | 80pf @ 5V, 1 MHz | ||||||||||
Jans1n5415us | 70.5900 | ![]() | 5174 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | Estándar | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.5 v @ 9 a | 150 ns | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||||||
![]() | Jans1n4982dus/tr | 460.3500 | ![]() | 9066 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-jans1n4982dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 76 V | 100 V | 110 ohmios | ||||||||||||||
![]() | 1N713A | 1.9200 | ![]() | 4271 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N713 | 250 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9.1 V | 7 ohmios | |||||||||||||
1N4132-1 | 2.6400 | ![]() | 5137 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4132 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 62.4 V | 82 V | 800 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N5940CE3/TR13 | - | ![]() | 1392 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5940 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 32.7 V | 43 V | 53 ohmios | |||||||||||
Jantx1n5538b-1 | - | ![]() | 5673 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.2 V | 18 V | 100 ohmios | |||||||||||||
![]() | SMBJ5371AE3/TR13 | 0.8100 | ![]() | 2140 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5371 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 43 V | 60 V | 40 ohmios | |||||||||||
Jantx1n4125c-1/tr | 14.1911 | ![]() | 2099 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N4125C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 35.8 V | 47 V | 250 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantxv1n4128cur-1 | 28.8000 | ![]() | 8487 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4128 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 45.6 V | 60 V | 400 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N4760AP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 4807 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4760 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 51.7 V | 68 V | 150 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1n6858ur-1 | - | ![]() | 2296 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Schottky | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 650 MV @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75 Ma | 4.5pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1N2982B | 37.3500 | ![]() | 4827 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N2982 | 10 W | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 4 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantx1n2990b | - | ![]() | 4375 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 25.1 V | 33 V | 9 ohmios | ||||||||||||
![]() | MBR6040PTE3/TU | 2.0100 | ![]() | 1023 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tubo | Activo | MBR604 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 |
Volumen de RFQ promedio diario
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