Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UFS160JE3/TR13 | 0.9000 | ![]() | 4210 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214BA | UFS160 | Estándar | DO-214BA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 1 a | 60 ns | 20 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | Jantxv1n5620 | 8.0400 | ![]() | 4848 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5620 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | |||||||||
CDLL5242B | 3.2100 | ![]() | 112 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5242 | 10 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 30 ohmios | ||||||||||||
![]() | SMBG5354AE3/TR13 | 1.1250 | ![]() | 4323 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5354 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 12.2 V | 17 V | 2.5 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N1366A | 44.3850 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | - | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N136 | 10 W | DO-203AA (DO-4) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1n1366a | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 43 V | 6 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Jantxv1n5712ubcc | 118.6800 | ![]() | 8067 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/444 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | 1N5712 | Schottky | UB | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 1 par Cátodo Común | 16 V | 75 Ma | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||
![]() | HSM830J/TR13 | 2.0100 | ![]() | 3953 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | HSM830 | Schottky | DO-214AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 620 MV @ 8 A | 250 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | ||||||||||
![]() | UFS520G/TR13 | 4.1400 | ![]() | 7082 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-215AB, Ala de Gaviota SMC | UFS520 | Estándar | DO-215AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 950 MV @ 5 A | 30 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||||
![]() | Jan1n3600 | - | ![]() | 2704 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/231 | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | Estándar | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | ||||||||||
![]() | CDLL5229C | 6.7200 | ![]() | 3851 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5229C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | |||||||||||||
![]() | UZ7706R | 468.9900 | ![]() | 5396 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Semental | 10 W | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ7706R | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Ma @ 5.2 V | 6.8 V | 0.6 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Jan1n3890r | 333.0150 | ![]() | 6587 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/304 | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 V @ 20 A | 150 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 12A | 115pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5350CE3/TR12 | 3.3900 | ![]() | 6014 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5350 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 9.4 V | 13 V | 2.5 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantx1n5518cur-1 | - | ![]() | 6673 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 26 ohmios | ||||||||||||
Jan1N4938-1 | - | ![]() | 6608 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/169 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4938 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 175 V | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 100mA | - | ||||||||||
Jantx1n3828c-1 | 21.9600 | ![]() | 5133 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3828 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 3 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4737P/TR8 | 1.8600 | ![]() | 8693 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4737 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 5 V | 7.5 V | 4 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1N3007RB | - | ![]() | 7032 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 83.6 V | 110 V | 55 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N944 | 33.1350 | ![]() | 4354 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 1N944 | 500 MW | Do-7 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantx1n4985cus/tr | 24.7500 | ![]() | 7385 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-Jantx1n4985cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 98.8 V | 130 V | 190 ohmios | ||||||||||||||
CDLL5533B | 6.4800 | ![]() | 2954 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5533 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 11.7 V | 13 V | 90 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jantx1n5618 | 5.0000 | ![]() | 8211 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | 1N5618 | Estándar | A, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | 500 na @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | |||||||||
![]() | Jan1n1184r | 57.6300 | ![]() | 8198 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/297 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.4 V @ 110 A | -65 ° C ~ 175 ° C | 35a | - | ||||||||||||||
![]() | CDLL5259A/TR | 2.7132 | ![]() | 4714 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 10 MW | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5259A/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jantx1n3172r | - | ![]() | 5658 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/211 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Estándar | DO-205AB (DO-9) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.55 V @ 940 A | 10 Ma @ 800 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | ||||||||||||
Jantxv1n6318c | 36.0300 | ![]() | 2042 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6318 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 2.5 V | 5.6 V | 8 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantx1n4616dur-1 | 23.1600 | ![]() | 7237 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4616 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 1 V | 2.2 V | 1300 ohmios | ||||||||||||
![]() | HSM835J/TR13 | 2.0100 | ![]() | 5825 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | HSM835 | Schottky | DO-214AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 620 MV @ 8 A | 250 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | ||||||||||
![]() | Jan1n971cur-1 | 11.3850 | ![]() | 2213 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N971 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1N335550RB | - | ![]() | 3217 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 152 V | 200 V | 100 ohmios |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock