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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f | Relación de la capacidad | Condición de Relación de Capacitancia | Q @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL4729 | 2.4450 |  | 2154 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4729 | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.6 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jans1n4105d-1/tr | 94.7000 | | 9397 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4105d-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 8.5 V | 11 V | 200 ohmios | |||||||||||||||||
 | HSM140G/TR13 | 1.6800 | | 4277 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | HSM140 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||
| Janhca1n4106c | - | | 7093 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N4106C | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 8.12 V | 12 V | 200 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jantxv1n3822aur-1 | 19.3950 | | 7120 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3822 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 75 µA @ 1 V | 3.6 V | 10 ohmios | ||||||||||||||||
| MP6250-P2715 | - | | 8067 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C | Morir | MP6250 | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-MP6250-P2715 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 50 MW | 55pf @ 10V, 1 MHz | PIN - Single | 40V | 7ohm @ 10mA, 1 GHz | |||||||||||||||||||
 | Jan1n964bur-1/TR | 4.0831 | | 4921 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N964BUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 9.9 V | 13 V | 13 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jantxv1n6347us | 22.3050 | | 4623 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6347 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 69 V | 91 V | 270 ohmios | ||||||||||||||||
| Jantx1n649-1/tr | - | | 2028 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N649-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1 V @ 400 Ma | 50 na @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | ||||||||||||||||
 | Jan1n4496cus | 26.7600 | | 4837 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4496 | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 160 V | 200 V | 1500 ohmios | ||||||||||||||||
| Jan1n3024cur-1/TR | 29.0339 | | 6162 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N3024CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | |||||||||||||||||
| 1N4109D/TR | 6.8894 | | 6035 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4109D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| Jantx1n3039dur-1/tr | 41.5359 | | 4597 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3039DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 47.1 V | 62 V | 125 ohmios | |||||||||||||||||
| Jan1n4624dur-1/TR | 18.7264 | | 2596 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4624DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 4.7 V | 1550 ohmios | |||||||||||||||||
| Jantxv1n3041dur-1 | 56.9100 | | 4587 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3041 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 56 V | 75 V | 175 ohmios | ||||||||||||||||
| GC15005-79 | - | | 1941 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC15005-79 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 2.4pf @ 20V, 1 MHz | Soltero | 22 V | 8 | C0/C15 | 900 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||||||
| GCX1208-23-4/TR | 5.3550 | | 5391 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | GCX1208 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-GCX1208-23-4/TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1,000 | 3.9pf @ 4V, 1MHz | 1 par Cátodo Común | 30 V | 3.9 | C0/C30 | 2500 @ 4V, 50MHz | |||||||||||||||||
| MV31011-P00 | - | | 4216 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-MV31011-P00 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.5pf @ 4V, 1 MHz | Soltero | 22 V | 5.5 | C2/C20 | 4000 @ 4V, 50MHz | ||||||||||||||||||
| 1n6006ur | 3.5850 | | 4874 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N6006 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N2804RB | 96.0150 | | 9393 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2804 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 150 µA @ 4.5 V | 6.8 V | 0.2 ohmios | ||||||||||||||||
| CDLL6326 | 14.6400 | | 1137 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL6326 | 500 MW | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||
| Jantx1n4619ur-1/tr | 10.8262 | | 4434 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n4619ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 400 na @ 1 V | 3 V | 1600 ohmios | |||||||||||||||||
 | CDLL4755/TR | 3.2319 | | 5824 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL4755/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 32.7 V | 43 V | 70 ohmios | ||||||||||||||||||
| MG1007-42 | - | | 5944 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | - | Semental | MG1007 | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-mg1007-42 | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1.2 A | 250 MW | - | PIN - Single | 10V | - | ||||||||||||||||||
| Jan1N5535C-1/TR | 12.6749 | | 5430 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N5535C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 13.5 V | 15 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||
 | CD4490 | 8.6317 | | 2856 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4490 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| Jantx1n5538c-1/tr | 17.4496 | | 1422 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5538C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.2 V | 18 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jans1n4994dus | - | | 9189 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 251 V | 330 V | 1175 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jantx1n5712-1/tr | 8.4000 | | 2357 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5712-1/TR | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 750 MAPA | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||||||
| CDLL6326/TR | 13.1404 | | 2930 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 500 MW | DO-213AB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL6326/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 7 ohmios |
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