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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N5921AE3/TR13	-	RFQ	9705	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5921		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V				6.8 V	2.5 ohmios
SMBJ4758A/TR13	0.8850	RFQ	6209	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ4758		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V				56 V	110 ohmios
1N3902	48.5400	RFQ	3045	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N3902	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	20A	150pf @ 10V, 1 MHz
Apt2x61dq100j	23.3500	RFQ	2497	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x61	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	1000 V	60A	2.8 V @ 60 A	235 ns	100 µA @ 1000 V
1N5618	4.1600	RFQ	1392	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N5618	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
1N3175	216.8850	RFQ	8649	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3175	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3175MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.25 V @ 240 A		75 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	240a	-
Jantxv1n6842u3	-	RFQ	2812	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo		Schottky		U3	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		900 MV @ 15 A		50 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	400pf @ 5V, 1MHz
HSM380JE3/TR13	1.0200	RFQ	5586	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	HSM380	Schottky		DO-214AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		80 V		810 MV @ 3 A		100 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Jantxv1n5420us/tr	22.8600	RFQ	1375	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/411	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, E		Estándar		D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5420US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.5 v @ 9 a	400 ns	1 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N4728AUR	3.4650	RFQ	7228	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N4728		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 V	10 ohmios
Jantxv1n5538d-1	29.2200	RFQ	7724	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5538		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.2 V				18 V	100 ohmios
LSM140GE3/TR13	0.6900	RFQ	3349	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	LSM140	Schottky		DO-215AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		580 MV @ 1 A		1 ma @ 40 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
Jans1n4494cus/tr	283.9800	RFQ	9581	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-jans1n4494cus/tr	EAR99	8541.10.0050	50					1.5 v @ 1 a		250 na @ 128 V				160 V	1000 ohmios
1N4925A	20.5650	RFQ	7920	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4925		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											19.2 V	75 ohmios
Jan1N3027C-1	17.3250	RFQ	8347	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3027		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 15.2 V				20 V	22 ohmios
Jans1n6486dus/tr	-	RFQ	4960	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	A, SQ-Melf	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n6486dus/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		50 µA @ 1 V				3.6 V	10 ohmios
1N5834	57.4200	RFQ	5340	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N5834	Schottky		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N5834MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		590 MV @ 40 A		20 Ma @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	40A	-
1N3913ar	48.5400	RFQ	1998	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N3913	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 V @ 50 A	150 ns	15 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	50A	-
1N6775	229.3950	RFQ	9928	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.15 v @ 15 a	35 ns	10 µA @ 800 MV	-65 ° C ~ 150 ° C	15A	300pf @ 5V, 1MHz
1 PMT5946C/TR13	2.7600	RFQ	6017	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5946		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 V	140 ohmios
1N457AUR-1/TR	7.9200	RFQ	3799	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-							122
Apt30dq100kg	1.0800	RFQ	420	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	Apt30dq100	Estándar		Un 220 [k]	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		3 V @ 30 A	295 ns	100 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
R42120TS	59.8350	RFQ	1575	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	R42120	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.2 v @ 200 a		50 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	125a	-
CDLL4766	93.9300	RFQ	7058	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4766		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				9.1 V	350 ohmios
1 PMT5936BE3/TR13	0.7350	RFQ	7438	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5936		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28 ohmios
1N5934P/TR12	-	RFQ	4185	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5934		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V				24 V	19 ohmios
UES1002SM	24.1650	RFQ	9361	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	-		No Aplicable	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)				975 MV @ 1 A	25 ns		-	-	-
Jans1n938b-1/tr	-	RFQ	3758	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/156	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n938b-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				9 V	20 ohmios
Jantxv1n5552us/tr	14.3700	RFQ	3308	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/420	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, E		Estándar		D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5552US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 9 a	2 µs	1 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
SMBG5367A/TR13	2.2200	RFQ	3002	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5367		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 31 V				43 V	20 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
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Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²