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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
CDLL5523B	6.6450	RFQ	8895	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5523		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 2.5 V				5.1 V	26 ohmios
Jans1n5822us	213.8800	RFQ	53	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/620	Una granela	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Schottky		B, SQ-Melf	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 3 A			-65 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N5934P/TR12	-	RFQ	4185	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5934		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V				24 V	19 ohmios
ST3010C	63.3000	RFQ	4969	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3	ST3010	Estándar		TO-204AA (TO-3)	-			Alcanzar sin afectado	150 ST3010C	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	15A	1.2 V @ 15 A		10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C
1N4257/TR	11.4300	RFQ	7215	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	S, axial		Estándar		S, axial	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N4257/TR	EAR99	8541.10.0070	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		3000 V		3.5 V @ 100 Ma		1 µA @ 3000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	250 Ma	-
1N3175	216.8850	RFQ	8649	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	1N3175	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3175MS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.25 V @ 240 A		75 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	240a	-
HSM380JE3/TR13	1.0200	RFQ	5586	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	HSM380	Schottky		DO-214AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		80 V		810 MV @ 3 A		100 µA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
Jan1n5711ubd	84.8400	RFQ	6302	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			Montaje en superficie	4-SMD, sin Plomo		Schottky		UB	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		50 V		1 V @ 15 Ma		200 na @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C		2pf @ 0V, 1 MHz
Jantxv1n5617	12.2700	RFQ	1021	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/427	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N5617	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.6 v @ 3 a	150 ns	500 na @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	35pf @ 12V, 1 MHz
1N6775	229.3950	RFQ	9928	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Un 257-3		Estándar		Un 257	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.15 v @ 15 a	35 ns	10 µA @ 800 MV	-65 ° C ~ 150 ° C	15A	300pf @ 5V, 1MHz
Jantxv1n983bur-1	7.5600	RFQ	4342	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N983		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 62 V				82 V	330 ohmios
1N4925A	20.5650	RFQ	7920	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4925		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											19.2 V	75 ohmios
Jan1n4944	6.3000	RFQ	9983	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/360	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N4944	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
Jantxv1n3912ar	-	RFQ	4742	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/308	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.4 V @ 50 A	150 ns		-65 ° C ~ 150 ° C	50A	-
Jantx1n5614us	9.4050	RFQ	9920	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N5614	Estándar		D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 na @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	1A	-
Jans1n4494cus/tr	283.9800	RFQ	9581	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-jans1n4494cus/tr	EAR99	8541.10.0050	50					1.5 v @ 1 a		250 na @ 128 V				160 V	1000 ohmios
1N4728AUR	3.4650	RFQ	7228	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N4728		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 µA @ 1 V				3.3 V	10 ohmios
Jantxv1n5538d-1	29.2200	RFQ	7724	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5538		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 16.2 V				18 V	100 ohmios
1 PMT5946C/TR13	2.7600	RFQ	6017	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5946		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 V	140 ohmios
Jantx1n5194	-	RFQ	4407	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/118	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5194	Estándar		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		70 V		1 V @ 100 Ma		25 na @ 70 V	-65 ° C ~ 175 ° C	50mera	-
Aptdf400ak20g	129.7611	RFQ	4814	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	LP4	Aptdf400	Estándar		Sp6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	200 V	500A	1.1 V @ 400 A	60 ns	750 µA @ 200 V
CDLL474444AE3	5.7300	RFQ	2089	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-			Alcanzar sin afectado	150-cdll4744ae3	EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		100 na @ 11.4 V				15 V	14 ohmios
Jans1n4963d	374.1920	RFQ	1124	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n4963d	EAR99	8541.10.0050	1
CDLL4766	93.9300	RFQ	7058	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL4766		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				9.1 V	350 ohmios
SMBJ5915BE3/TR13	0.9000	RFQ	9663	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5915		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma		25 µA @ 1 V				3.9 V	7.5 ohmios
1N2838B	-	RFQ	9642	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2838		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V				100 V	20 ohmios
1N6872UTK2CS	259.3500	RFQ	9863	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-1N6872UTK2CS			1
Jan1n645ur-1	-	RFQ	8054	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/240	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA		Estándar		DO-213AA	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		225 V		1 V @ 400 Ma			-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
1N457AUR-1/TR	7.9200	RFQ	3799	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo									-							122

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²