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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Relación de la capacidad	Condición de Relación de Capacitancia	Q @ VR, F
1N2825B	94.8900	RFQ	5420	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2825		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 27.4 V						36 V	3.5 ohmios
1N719	1.9200	RFQ	2006	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N719		250 MW	Do-35	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					50 na @ 12.2 V						16 V	15 ohmios
CDLL5533A	6.4800	RFQ	1219	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5533		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 10.5 V						13 V	90 ohmios
Jantx1n3294r	-	RFQ	3561	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/246	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento		Estándar		DO-205AA (DO-8)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	800 V	1.55 V @ 310 A		10 Ma @ 800 V	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
Jantx1n3822aur-1	15.9000	RFQ	3894	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	1N3822		1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		75 µA @ 1 V						3.6 V	10 ohmios
Jan1n4114ur-1	5.7000	RFQ	6859	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4114			DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 15.2 V						20 V	150 ohmios
GC15001-17	-	RFQ	3308	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo		-55 ° C ~ 125 ° C	Montaje en superficie	2-SMD, Plano Plano				-	-			Alcanzar sin afectado	150-GC15001-17	EAR99	8541.10.0060	1								0.2pf @ 20V, 1MHz	Soltero	22 V			8	C0/C15	1400 @ 4V, 50MHz
Jantxv1n4104cur-1/tr	29.5260	RFQ	7009	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4104cur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 7.6 V						10 V	200 ohmios
Jantx1n4371dur-1	19.3350	RFQ	8115	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N4371		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		60 µA @ 1 V						2.7 V	30 ohmios
Jantxv1n3329rb	-	RFQ	4202	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n3329rb	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 32.7 V						45 V	4.5 ohmios
CDLL4125	3.5850	RFQ	3678	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4125		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 35.8 V						47 V	250 ohmios
Jantx1n3047c-1	-	RFQ	4617	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo									-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
CDLL5221B-1/TR	3.5550	RFQ	2787	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			10 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5221B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	266			1.1 V @ 200 Ma		100 µA @ 1 V						2.4 V	30 ohmios
Jantxv1n4970c	22.2000	RFQ	1594	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	E, axial			5 W	E, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4970C	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		2 µA @ 25.1 V						33 V	10 ohmios
CDLL5941C	7.8450	RFQ	3524	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5941		1.25 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V						47 V	67 ohmios
1N5226A/TR	2.5669	RFQ	2533	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N5226A/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 Ma		25 µA @ 950 MV						3.3 V	28 ohmios
1 PMT5947BE3/TR13	-	RFQ	1894	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5947		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 62.2 V						82 V	160 ohmios
Smaj4752e3/tr13	0.6450	RFQ	6526	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaj4752		2 W	DO-214AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V						33 V	45 ohmios
1N728A	1.9200	RFQ	7885	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N728		250 MW	Do-35	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1											39 V	70 ohmios
Jan1N4622-1/TR	3.4580	RFQ	7910	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1N4622-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2.5 µA @ 2 V						3.9 V	1650 ohmios
Jan1N7053-1/TR	7.8000	RFQ	8695	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			250 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N7053-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					5 µA @ 1.5 V						4.8 V	35 ohmios
Jan1n6627us	-	RFQ	7549	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/590	Una granela	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	SQ-Melf, E		Estándar		D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	440 V	1.35 V @ 1.2 A	30 ns	2 µA @ 440 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.75a	40pf @ 10V, 1 MHz
Jantxv1n3031c-1	38.0400	RFQ	8845	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3031		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 22.8 V						30 V	40 ohmios
1N5993A	1.9950	RFQ	8307	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5993		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V						5.1 V	88 ohmios
Uz8806	22.4400	RFQ	3094	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			1 W	A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ8806	EAR99	8541.10.0050	1					50 µA @ 4.9 V						6.8 V	3.5 ohmios
Jantx1n2992b	-	RFQ	4481	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/124	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento			10 W	DO-213AA (DO-4)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 29.7 V						39 V	11 ohmios
1N827/TR	6.2100	RFQ	3756	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N827/TR	EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V						6.2 V	15 ohmios
Jantx1n4113-1	-	RFQ	1450	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 14.5 V						19 V	150 ohmios
Jantxv1n6349c	33.2766	RFQ	2002	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			500 MW	B, axial	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N6349C	EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		50 na @ 84 V						110 V	500 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²