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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5348E3/TR12 | 2.6250 |  | 9359 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5348 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 5 µA @ 8 V | 11 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||
 | Jan1n983d-1 | 7.1850 | | 7182 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N983 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 62 V | 82 V | 330 ohmios | ||||||||||||
 | 1N4764AG/TR | 3.1654 | | 5450 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do041, axial | 1 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4764AG/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 76 V | 100 V | 350 ohmios | |||||||||||||
| Jantxv1n4956cus/tr | 19.2600 | | 8353 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 5 W | E-Mada | - | 150-jantxv1n4956cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 1.5 ohmios | |||||||||||||||
 | Jantx1n5804us/tr | 8.6400 | | 9210 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | D-5A | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N5804US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 875 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | 25pf @ 10V, 1 MHz | |||||||||||
| Jantx1n3595aus | 13.1100 | | 3328 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N3595 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| Jankca1n750c | - | | 5769 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n750c | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 4.7 V | 19 ohmios | ||||||||||||||
 | 1N5546BUR-1/TR | 6.6300 | | 2139 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 146 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 29.7 V | 33 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jantxv1n6343cus | 57.1050 | | 5651 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6343cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 47 V | 62 V | 125 ohmios | ||||||||||||||
 | SMBJ5352AE3/TR13 | 0.8100 | | 6604 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5352 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 10.8 V | 15 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||
| 1N4249U/TR | 7.5200 | | 1188 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 129 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4048R | 158.8200 | | 4458 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4048R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 250 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 250 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - | |||||||||||||
| Jantxv1n991c-1 | - | | 5992 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 Ma | 500 na @ 137 V | 180 V | 2200 ohmios | ||||||||||||||
| Jantxv1n4494dus/tr | 56.5650 | | 9645 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jantxv1n4494dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 128 V | 160 V | 1000 ohmios | |||||||||||||||
| Jans1n4120dur-1/tr | 137.5900 | | 9565 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4120dur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | 200 ohmios | |||||||||||||
| Jantx1n4133-1 | 5.3100 | | 1268 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 66.2 V | 87 V | 1000 ohmios | |||||||||||||||
 | CD3030B | 3.6043 | | 9127 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD3030B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 500 na @ 20.6 V | 27 V | 35 ohmios | |||||||||||||
| Jan1n986bur-1 | 4.4400 | | 1106 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N986 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 84 V | 110 V | 750 ohmios | ||||||||||||
| Jantx1n747aur-1/tr | 4.3092 | | 5164 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n747aur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 V | 24 ohmios | |||||||||||||
| GC4531-00 | - | | 4976 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4531-00 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 0.25pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 300V | 1.2ohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||
 | 1 PMT5953BE3/TR13 | 0.7350 | | 8268 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5953 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 114 V | 150 V | 600 ohmios | ||||||||||||
| Jans1n6323dus | 412.1550 | | 9587 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6323dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||||||||
| 1N6017ur/TR | 3.7350 | | 7101 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | 150-1N6017ur/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 Ma | 51 V | |||||||||||||||||
| CD5246B | 1.4497 | | 8839 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD5246B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | |||||||||||||
 | Jantx1n6628/tr | 17.5350 | | 5402 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/590 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | E, axial | Estándar | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6628/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 660 V | 1.35 v @ 2 a | 30 ns | 2 µA @ 660 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1.75a | 40pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||
| Jans1n3154ur-1 | - | | 8511 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TA) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 5.5 V | 8.8 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
| Jans1n4124-1/tr | 31.6700 | | 9225 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4124-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 32.7 V | 43 V | 250 ohmios | |||||||||||||
| 1N5927BP/TR8 | 1.8900 | | 1536 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5927 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 V | 6.5 ohmios | ||||||||||||
| CDLL5521D | 16.2000 | | 1973 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5521D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 1.5 V | 4.3 V | 18 ohmios | ||||||||||||||
| 1N751C-1E3/TR | 4.6800 | | 8224 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N751C-1E3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 202 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 5.1 V | 17 ohmios |
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