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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jantx1n3022c-1/tr | 23.4346 | ![]() | 8108 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N3022C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | |||||||||
![]() | S307050F | 49.0050 | ![]() | 6718 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S307050F | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4491US | 15.8550 | ![]() | 2689 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4491 | 1.5 W | A, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N4491usms | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 96 V | 120 V | 400 ohmios | ||||||||
![]() | 1N4747PE3/TR8 | 0.9150 | ![]() | 3066 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4747 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 15.2 V | 20 V | 22 ohmios | ||||||||
![]() | 1 PMT5953/TR13 | 2.2200 | ![]() | 3291 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5953 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 114 V | 150 V | 600 ohmios | ||||||||
![]() | 1N4489US | 11.3550 | ![]() | 9385 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1N4489 | 1.5 W | A, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N4489USMS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 80 V | 100 V | 250 ohmios | ||||||||
![]() | Jan1n969cur-1 | 11.3850 | ![]() | 3977 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N969 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 17 V | 22 V | 29 ohmios | ||||||||
![]() | 1 PMT4625C/TR7 | 1.5150 | ![]() | 2477 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4625 | 1 W | DO-216 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 V | 1500 ohmios | ||||||||
![]() | Jan1n6353cus | - | ![]() | 8628 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 122 V | 151 V | 1200 ohmios | ||||||||||
1N6345US/TR | 14.7900 | ![]() | 5254 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 56 V | 75 V | 180 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N5359CE3/TR13 | 1.3350 | ![]() | 9550 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5359 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 17.3 V | 24 V | 3.5 ohmios | ||||||||
![]() | Jantx1n7054-1 | 8.8950 | ![]() | 8139 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Jans1n4466dus/tr | 330.4050 | ![]() | 6591 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | 150-jans1n4466dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 v @ 1 a | 300 na @ 8.8 V | 11 V | 6 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1n633336cus | 63.7050 | ![]() | 8285 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n6336cus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 25 V | 33 V | 40 ohmios | ||||||||||
Jan1n4977us | 9.2100 | ![]() | 9441 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 1N4977 | 5 W | D-5B | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 47.1 V | 62 V | 42 ohmios | |||||||||
![]() | UZ5750 | 32.2650 | ![]() | 1948 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5750 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 5 µA @ 38 V | 50 V | 25 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N1584 | 38.3850 | ![]() | 7692 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1n1584 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 3A | - | |||||||||
![]() | CDLL6013 | 2.7150 | ![]() | 4120 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | CDLL6013 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||
Jantx1n4103c-1 | 13.6200 | ![]() | 7413 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4103 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7 V | 9.1 V | 200 ohmios | |||||||||
Jans1n4495dus | 452.0100 | ![]() | 5794 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4495dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 144 V | 180 V | 1300 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantxv1n971bur-1 | 7.5600 | ![]() | 9625 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N971 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||
![]() | CDLL4929 | 73.8450 | ![]() | 1433 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4929 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 12 V | 19.2 V | 36 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N5067 | 23.4000 | ![]() | 6670 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Axial | 3 W | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5067 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 40 µA @ 7.6 V | 10 V | 4 ohmios | |||||||||||
1N5252A | 4.2300 | ![]() | 5728 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5252 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 17.1 V | 24 V | 33 ohmios | ||||||||||
![]() | Smaj5936be3/tr13 | 0.6450 | ![]() | 4331 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5936 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 22.8 V | 30 V | 28 ohmios | ||||||||
![]() | Jan1N3307RB | - | ![]() | 2054 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/358 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 50 W | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 50 µA @ 5.4 V | 8.2 V | 0.4 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N4567-1/TR | 4.2750 | ![]() | 4118 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | 0 ° C ~ 75 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4567-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios | ||||||||||
1N5260/TR | 2.2950 | ![]() | 5630 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5260/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 410 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 31 V | 43 V | 93 ohmios | |||||||||||
Jans1n4491us/tr | 162.1800 | ![]() | 7595 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4491us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 96 V | 120 V | 400 ohmios | |||||||||||
![]() | CD4565 | 3.7200 | ![]() | 5795 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 0 ° C ~ 75 ° C | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4565 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 200 ohmios |
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