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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
Jantx1n986cur-1/tr	13.9384	RFQ	4289	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N986		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N986CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.3 V @ 200 Ma		500 na @ 84 V						110 V	750 ohmios
Jan1n4986cus	33.9450	RFQ	9104	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4986		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		2 µA @ 114 V						150 V	330 ohmios
UPP1004E3/TR13	2.2200	RFQ	6300	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		DO-216AA	UPP1004			DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12,000		2.5 W							1.6pf @ 100V, 1 MHz	PIN - Single	100V			1ohm @ 10mA, 100MHz
BZV55C68/TR	2.7664	RFQ	1836	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 6%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)				DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-BZV55C68/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 47.6 V						68 V
1N6318	8.4150	RFQ	9898	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			500 MW	B, axial	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.4 v @ 1 a		5 µA @ 2.5 V						5.6 V	8 ohmios
1 PMT4108CE3/TR7	0.4950	RFQ	5251	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4108		1 W	DO-216	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000				1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 10.65 V						14 V	200 ohmios
1N3880R	50.8800	RFQ	5683	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N3880	Polaridad Inversa Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3880RMS	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V	1.4 V @ 20 A	200 ns	15 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	115pf @ 10V, 1 MHz
75HQ040	112.7250	RFQ	6807	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	75HQ040	Schottky		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	75HQ040 ms	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V	740 MV @ 80 A		2 Ma @ 40 V	-65 ° C ~ 175 ° C	80A	-
Jans1n5809	47.1800	RFQ	300	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/477	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial	1N5809	Estándar		B, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V	875 MV @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	60pf @ 10V, 1 MHz
MSASC75H80FX/TR	-	RFQ	7933	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-MSASC75H80FX/TR			100
1N4713UR-1/TR	5.2400	RFQ	5499	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	186				1.5 V @ 100 Ma		10 na @ 22.8 V						30 V
1N4756AUR	3.4650	RFQ	1437	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	1N4756		1 W	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V						47 V	80 ohmios
1N5544B	3.0750	RFQ	1922	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5544		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 25.2 V						28 V	111 ohmios
1N5951D	8.2950	RFQ	8417	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N5951		1.25 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V						120 V	380 ohmios
CD4626D	-	RFQ	1029	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD4626D	EAR99	8541.10.0050	100				1.5 V @ 200 Ma		10 µA @ 4 V						5.6 V	1400 ohmios
Jantxv1n4963us/tr	16.1250	RFQ	3599	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-jantxv1n4963us/tr	EAR99	8541.10.0050	100				1.5 v @ 1 a		5 µA @ 12.2 V						16 V	3.5 ohmios
Smaj4757ce3/tr13	0.6450	RFQ	6234	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Smaj4757		2 W	DO-214AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	7,500				1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V						51 V	95 ohmios
1 PMT4123/TR13	0.9600	RFQ	2958	Tecnología de Microchip	PowerMite®	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt4123		1 W	DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000				1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 29.65 V						39 V	200 ohmios
CDS5712-1/TR	-	RFQ	3902	Tecnología de Microchip	*	Tape & Reel (TR)	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CDS5712-1/TR			50
Jan1N4461DUS/TR	33.6000	RFQ	2220	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/406	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-				150-ENERO1N4461DUS/TR	EAR99	8541.10.0050	100				1.5 v @ 1 a		5 µA @ 4.08 V						6.8 V	2.5 ohmios
Jans1n3155-1/tr	-	RFQ	1354	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/158	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANS1N3155-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1						10 µA @ 5.5 V						8.4 V	15 ohmios
CDLL4491/TR	14.2310	RFQ	3327	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TA)	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1.5 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4491/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1 V @ 200 Ma		250 na @ 96 V						120 V	400 ohmios
1N4689C	8.8050	RFQ	4740	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	-			Alcanzar sin afectado	150-1N4689C	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		10 µA @ 3 V						5.1 V
CDLL945A	40.8150	RFQ	6958	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					CDLL945				-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1
Jantx1n4465dus	49.5750	RFQ	2616	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4465		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1 V @ 200 Ma		300 na @ 8 V						10 V	5 ohmios
Jantx1n633333dus/tr	58.0500	RFQ	1892	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-Jantx1n633333dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100				1.4 v @ 1 a		50 na @ 18 V						24 V	24 ohmios
Jantxv1n758c-1/tr	11.6508	RFQ	2596	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N758C-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 8 V						10 V	17 ohmios
CDLL5243B	2.9550	RFQ	5047	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5243		10 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 9.9 V						13 V	13 ohmios
1N5940D	8.2950	RFQ	4828	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N5940		1.25 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V						43 V	53 ohmios
CDLL5521A/TR	5.9052	RFQ	7110	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5521A/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 1 V						4.3 V	18 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²