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Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jantx1n5711-1	7.3200	RFQ	6030	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/444	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5711	Schottky		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	70 V	410 MV @ 1 MA		200 na @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	33MA	2pf @ 0V, 1 MHz
1 PMT5946/TR13	2.2200	RFQ	1496	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5946		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 56 V				75 V	140 ohmios
Jantxv1n5544cur-1	49.5150	RFQ	9517	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	1N5544		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 25.2 V				28 V	100 ohmios
CD4108C	-	RFQ	6220	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	-			Alcanzar sin afectado	150-CD4108C	EAR99	8541.10.0050	305			1.5 V @ 200 Ma		50 na @ 10.65 V				14 V	200 ohmios
Jans1n4479dus	330.2550	RFQ	9490	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jans1n4479dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 31.2 V				39 V	30 ohmios
SMBJ5951C/TR13	2.0850	RFQ	2886	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5951		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 91.2 V				120 V	380 ohmios
Jans1n4118ur-1	48.9900	RFQ	1930	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA	1N4118		500 MW	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 20.5 V				27 V	150 ohmios
Jan1n4478dus	34.6050	RFQ	6531	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4478		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1 V @ 200 Ma		50 na @ 28.8 V				36 V	27 ohmios
Jan1n3673ar	56.9250	RFQ	9679	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/260	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N3673	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1000 V	1.35 V @ 38 A		5 µA @ 1000 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
Jantxv1n4131dur-1/tr	32.0663	RFQ	9592	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4131DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 57 V				75 V	700 ohmios
CDLL5537D/TR	16.3950	RFQ	1676	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5537D/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100 ohmios
1N2230	44.1600	RFQ	8801	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-4 (DO-203AA)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2230	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	5A	-
UZ8827	22.4400	RFQ	8100	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			1 W	A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ8827	EAR99	8541.10.0050	1					500 na @ 19.4 V				27 V	35 ohmios
1N5361/TR8	-	RFQ	8641	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5361		5 W	T-18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1,000			1.2 v @ 1 a		500 na @ 19.4 V				27 V	5 ohmios
Uz118	22.4400	RFQ	5126	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			3 W	A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ118	EAR99	8541.10.0050	1					1 µA @ 137 V				180 V	850 ohmios
SMBJ4743AE3/TR13	0.4350	RFQ	4718	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ4743		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 9.9 V				13 V	10 ohmios
Jan1n4111c-1	10.5000	RFQ	4605	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4111			DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		50 na @ 13 V				17 V	100 ohmios
Jantx1n3891a	-	RFQ	9489	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/304	Una granela	Descontinuado en sic			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.5 V @ 38 A	150 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	12A	-
1N4569-1	67.3350	RFQ	7510	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	0 ° C ~ 75 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4569		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
Jantx1n3827cur-1/tr	36.2292	RFQ	3388	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N3827CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 2 V				5.6 V	5 ohmios
1N4735AE3/TR13	-	RFQ	9402	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4735		1 W	DO-204Al (DO-41)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 3 V				6.2 V	2 ohmios
Jans1n6320cus	285.0750	RFQ	4843	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Banda	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B	1N6320		500 MW	B, SQ-Melf	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.4 v @ 1 a		2 µA @ 4 V				6.8 V	3 ohmios
Jan1N4127C-1	10.5000	RFQ	8146	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4127			DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 42.6 V				56 V	300 ohmios
1N2830B	94.8900	RFQ	1101	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2830		50 W	TO-204AD (TO-3)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 38 V				50 V	5 ohmios
Jantxv1n3028b-1/tr	10.6799	RFQ	2747	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3028B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 16.7 V				22 V	23 ohmios
Jantx1n6485/tr	-	RFQ	1474	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N6485/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 µA @ 1 V				3.3 V	10 ohmios
Jantxv1n4470dus	56.4150	RFQ	2812	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-			Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n4470dus	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		50 na @ 12.8 V				16 V	10 ohmios
1N2982RBE3	40.7700	RFQ	4094	Tecnología de Microchip	-	Banda	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N2982		10 W	DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 2 a		10 µA @ 13.7 V				18 V	4 ohmios
1N5932BP/TR12	1.8900	RFQ	9128	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5932		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 15.2 V				20 V	14 ohmios
1N458A	2.0700	RFQ	5440	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N458	Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N458ams	EAR99	8541.10.0050	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	150 V	1 V @ 100 Ma		1 µA @ 150 V	-65 ° C ~ 150 ° C	150 Ma	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²