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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jans1n821-1 | 102.6900 |  | 5953 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/159 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||||
 | 1N2838RB | 96.0150 | | 8008 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2838 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 76 V | 100 V | 20 ohmios | |||||||||||||||
| Jan1N5532D-1/TR | 15.8137 | | 9544 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5532D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 10.8 V | 12 V | 90 ohmios | ||||||||||||||||
 | 1 PMT5934A/TR7 | 2.2200 | | 1418 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt5934 | 3 W | DO-216AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19 ohmios | |||||||||||||||
 | 1N5805/TR | 5.8500 | | 2405 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N5805/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 125 V | 875 MV @ 1 A | 25 ns | 1 µA @ 125 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | 25pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||||||
 | Jantx1n6634us | - | | 2803 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 175 µA @ 1 V | 3.9 V | 2 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jantx1n4150-1 | 1.1200 | | 1 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/231 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4150 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||
| 1N5712ubd/TR | 32.3600 | | 8450 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/444 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | Schottky | UB | - | 100 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | Conexión de la Serie de 1 par | 16 V | 75 Ma | 1 V @ 35 Ma | 150 na @ 16 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||||||||||
 | Jantx1n6635cus/tr | - | | 8165 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | E-Mada | descascar | 150-Jantx1n6635cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 25 µA @ 1 V | 4.3 V | 2 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Smaj5939ae3/tr13 | 0.6450 | | 6003 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5939 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 29.7 V | 39 V | 45 ohmios | |||||||||||||||
| SMX0508-M1 | - | | 4071 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 1208 (3020 Métrica) | M1 | - | Alcanzar sin afectado | 150-SMX0508-M1TR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 1 A | 0.9pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 500V | 400mohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||||
| 1N4580A | 3.8850 | | 1378 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4580A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||||
 | Jan1n3023bur-1 | 12.7350 | | 7176 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3023 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
 | Jans1n6344dus | 527.5650 | | 9979 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n6344dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 52 V | 68 V | 155 ohmios | |||||||||||||||||
 | Jantxv1n4583aur-1 | 24.0300 | | 9247 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4583 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.4 V | 25 ohmios | ||||||||||||||||
 | 1N5821 | 14.8950 | | 9686 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Schottky | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5821 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 500 MV @ 3 A | 100 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||||||||||
 | SMBJ5375AE3/TR13 | - | | 7076 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5375 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 59 V | 82 V | 65 ohmios | |||||||||||||||
| 1N827-1 | 6.0150 | | 1369 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N827 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||||
 | Jan1n6327dus/tr | 38.3700 | | 2543 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-ENERO1N6327DUS/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 9.9 V | 13 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||
| Jantxv1n4153-1 | - | | 3212 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/337 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4153 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 880 MV @ 20 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 150 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||||||
| Jankca1n5540d | - | | 9598 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n5540d | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 20 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||
| Jans1n4991us/tr | 107.9502 | | 6601 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, E | 5 W | D-5B | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4991us/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 182 V | 240 V | 650 ohmios | ||||||||||||||||
| Jans1n4109d-1/tr | 94.7000 | | 5269 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n4109d-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.4 V | 15 V | 100 ohmios | ||||||||||||||||
| 1N4493US/TR | 16.0000 | | 2824 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 250 na @ 120 V | 150 V | 700 ohmios | |||||||||||||||||||
| 1N4571aur-1/TR | 6.6200 | | 4851 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | EAR99 | 8541.10.0050 | 147 | 2 µA @ 3 V | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||
| Jantx1n5530bur-1 | 14.9100 | | 7186 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5530 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.1 V | 10 V | 60 ohmios | |||||||||||||||
| 1N2837A | 94.8900 | | 1986 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2837 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 69.2 V | 91 V | 15 ohmios | |||||||||||||||
| Jan1n2809b | - | | 3568 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2809 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 8.4 V | 11 V | 0.8 ohmios | ||||||||||||||||
| LSM190JE3/TR13 | 0.4350 | | 3054 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | LSM190 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||
| S3770 | 61.1550 | | 1114 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-S3770 | 1 |
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