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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Current - Max | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia @ if, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CDLL5221D/TR | 8.5950 |  | 8850 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5221D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 110 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
 | Jantx1n4480d | 28.1550 | | 2021 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4480 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 34.4 V | 43 V | 40 ohmios | |||||||||||||
 | Jantx1n4579a-1 | 30.1500 | | 2492 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/452 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4579 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 3 V | 50 ohmios | ||||||||||||||
 | GC4430-00 | - | | 7520 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4430-00 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 50 Ma | 0.1pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 300V | 1.5ohm @ 100 mA, 100MHz | |||||||||||||||||
| GC4731-150A-AP | - | | 7381 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4731-150A-APTR | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 2 W | 0.1pf @ 6V, 1MHz | PIN - Single | 15V | 2ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||||
| GC4490-00 | - | | 3172 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4490-00 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 50 Ma | 0.1pf @ 50V, 1MHz | PIN - Single | 750V | 1.5ohm @ 100 mA, 100MHz | |||||||||||||||||
 | 1N5358Be3/TR13 | 0.9900 | | 5908 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5358 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 15.8 V | 22 V | 3.5 ohmios | |||||||||||||
 | UPP1002/TR7 | 8.8650 | | 9464 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | DO-216AA | UPP1002 | DO-216 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 2.5 W | 1.6pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 1ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||
| UPP1004/TR7 | 8.8650 | | 7060 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | DO-216AA | UPP1004 | DO-216 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 2.5 W | 1.6pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 1ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||
| Jantx1n2819rb | - | | 6405 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2819 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 16.7 V | 22 V | 2.5 ohmios | ||||||||||||||
 | SMBJ5932AE3/TR13 | 0.8850 | | 2492 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5932 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | |||||||||||||
| Jans1n4129d-1 | 101.3100 | | 2706 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 47.1 V | 62 V | 500 ohmios | |||||||||||||||
 | Jan1n633333dus | 38.2200 | | 8879 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1n633333dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 18 V | 24 V | 24 ohmios | |||||||||||||||
| UM4002SM | - | | 6230 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Mel | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM4002SMTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 20 W | 3pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 200V | 500mohm @ 100 mA, 100MHz | |||||||||||||||||
| UM6202B | - | | 6874 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | Axial | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM6202BTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 2.5 W | 1.1pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 200V | 400mohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||
| UM9601 | - | | 6203 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | 2-SMD | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM9601 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.5 W | 1.2pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 600mohm @ 100 mm, 100MHz | |||||||||||||||||
| UM4001C | - | | 2376 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | UM4000 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C | Semental | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UM4001CTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 25 W | 3pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 500mohm @ 100 mA, 100MHz | |||||||||||||||||
 | LXS201-143-5 | - | | 4591 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | LXS201 | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 A | 250 MW | 0.3pf @ 0V, 1MHz | - | 3V | |||||||||||||||
 | CD3018B | 3.6043 | | 8528 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 1 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD3018B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 6.2 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | ||||||||||||||
| Jantx1n6910utk2/tr | 451.8750 | | 5979 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/723 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Thinkey ™ 2 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6910UTK2/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 15 V | 520 MV @ 25 A | 1.2 Ma @ 15 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 25A | 2000pf @ 5V, 1MHz | |||||||||||||
 | 1N3345B | 49.3800 | | 1353 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3345 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 114 V | 140 V | 60 ohmios | |||||||||||||
| GC4210-150A/TR | - | | 2792 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-GC4210-150A/TR | 1 | 10 Ma | 0.06pf @ 10V, 1MHz | PIN - Single | 100V | 1.5ohm @ 20 mm, 1 GHz | |||||||||||||||||||
| MS8150-P2613 | - | | 1769 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C | Morir | Chip | - | Alcanzar sin afectado | 150-MS8150-P2613 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 15 Ma | - | PIN - Single | 3V | - | |||||||||||||||||
| Jans1n7050ur-1/TR | 163.0650 | | 5745 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jans1n7050ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||
| Jan1N5531B-1 | 5.5200 | | 4660 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5531 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.9 V | 11 V | 80 ohmios | |||||||||||||
| UPP1004E3/TR7 | 1.8450 | | 5349 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | DO-216AA | UPP1004 | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 2.5 W | 1.6pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 1ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||
| UPP1004/TR13 | 8.8650 | | 8734 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | DO-216AA | UPP1004 | DO-216 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 2.5 W | 1.6pf @ 100V, 1 MHz | PIN - Single | 100V | 1ohm @ 10mA, 100MHz | |||||||||||||||
 | MPL4702-406 | 14.1000 | | 4065 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | 0402 (1005 Métrica) | MPL4702 | 0402 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 100 | 10 W | 3pf @ 10V, 1 MHz | PIN - Single | 50V | 2ohm @ 10mA, 1 GHz | |||||||||||||||
| Jantxv1n6323 | 14.6700 | | 8292 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6323 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | |||||||||||||
| UMX5101SM | - | | 3384 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C | Mel | - | - | Alcanzar sin afectado | 150-UMX5101SMTR | EAR99 | 8541.10.0060 | 1 | 3PF @ 0V, 1MHz | PIN - Single | 100V | 1ohm @ 100 mm, 64MHz |
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