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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jans1n5554 | 81.1500 | ![]() | 2182 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/420 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1.3 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | ||||||||||
Jan1n4966 | 6.5550 | ![]() | 1384 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N4966 | 5 W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 16.7 V | 22 V | 5 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N3314A | 49.3800 | ![]() | 7520 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3314 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 11.4 V | 15 V | 1.4 ohmios | |||||||||
![]() | SMBJ5375AE3/TR13 | - | ![]() | 7076 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5375 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 59 V | 82 V | 65 ohmios | |||||||||
![]() | Jantxv1n751aur-1/tr | 6.7830 | ![]() | 8537 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n751aur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N2426 | 102.2400 | ![]() | 7634 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N2426 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 50 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 100A | - | ||||||||||
![]() | Jantx1n6873utk2cs | 413.4000 | ![]() | 5011 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/469 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 2 | Estándar | Thinkey ™ 2 | - | Alcanzar sin afectado | 150-JantX1N6873UTK2CS | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 V @ 400 Ma | -65 ° C ~ 175 ° C | 400mA | - | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n5537bur-1 | 19.3500 | ![]() | 4418 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5537 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 15.3 V | 17 V | 100 ohmios | |||||||||
![]() | CD971B | 1.5029 | ![]() | 6499 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD971B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantxv1n6642ub/tr | 24.0730 | ![]() | 3608 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 3-SMD, sin Plomo | Estándar | UB | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6642ub/tr | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 20 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 300mA | - | ||||||||
![]() | Jantxv1n4624ur-1/tr | 13.2468 | ![]() | 5495 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Jantxv1n4624ur-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3 V | 4.7 V | 1550 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N6029UR-1 | 3.5850 | ![]() | 3882 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N6029 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MSASC100H45HS/TR | - | ![]() | 2061 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Thinkey ™ 1 | Schottky, Polaridad Inversa | Thinkey ™ 1 | - | Alcanzar sin afectado | 150-MSASC100H45HS/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 650 MV @ 100 A | 10 Ma @ 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 100A | - | ||||||||||
Jantxv1n6314dus/tr | 68.6850 | ![]() | 4529 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | 150-jantxv1n6314dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | |||||||||||||
1N5232/TR | 2.8950 | ![]() | 4445 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N5232/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 325 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2.9 V | 5.6 V | 11 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N5340C/TR8 | 3.3900 | ![]() | 3004 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5340 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 3 V | 6 V | 1 ohmios | |||||||||
Jantx1n6316dus | 55.6050 | ![]() | 4397 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6316 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 V | 17 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N4624D/TR | 5.9850 | ![]() | 4068 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4624D/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3034bur-1 | 12.7350 | ![]() | 1177 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | 1N3034 | 1 W | DO-213AB (Melf, LL41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||
CDLL3016 | 16.1100 | ![]() | 9671 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -55 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL3016 | 1 W | DO-213AB | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 3.5 ohmios | ||||||||||
![]() | Jan1n6306 | - | ![]() | 9356 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 1.18 V @ 150 A | 60 ns | 25 µA @ 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 70a | |||||||||||
1N6326DUS | 32.4387 | ![]() | 7889 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6326DUS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 9 V | 12 V | 7 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N3164 | 197.5950 | ![]() | 7077 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | 1N3164 | Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N3164MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.55 V @ 940 A | 10 Ma @ 200 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 300A | - | |||||||
![]() | Jantxv1n6329dus | 68.5500 | ![]() | 7384 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n6329dus | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 12 V | 16 V | 12 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantx1n5968us | - | ![]() | 8411 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | E, axial | 1N5968 | 5 W | E, axial | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 5000 µA @ 4.28 V | 5.6 V | 1 ohmios | |||||||||
![]() | 1N976B/TR | 2.0083 | ![]() | 1551 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N976B/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 93 ohmios | ||||||||||
![]() | 1N4626D | 6.5700 | ![]() | 8852 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | Do-7 | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N4626D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 µA @ 4 V | 5.6 V | 1400 ohmios | |||||||||||
Jans1n4617-1/tr | 55.5200 | ![]() | 3529 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jans1n4617-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 1 V | 2.4 V | 1.4 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N5934Be3/TR13 | - | ![]() | 9201 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5934 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19 ohmios | |||||||||
![]() | 1N4048R | 158.8200 | ![]() | 4458 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AB, DO-9, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AB (DO-9) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4048R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 250 V | 1.3 V @ 300 A | 75 µA @ 250 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 275a | - |
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