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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jan1N7037CCU1	168.0150	RFQ	7858	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/730	Banda	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	1N7037	Schottky		U1 (SMD-1)	descascar			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	35a	1.22 v @ 35 a	500 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
1N2060	158.8200	RFQ	8813	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N2060	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		350 V		1.3 V @ 300 A	75 µA @ 350 V	-65 ° C ~ 190 ° C	275a	-
CDLL5542	6.4800	RFQ	5772	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL5542		500 MW	DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 20 V				24 V	100 ohmios
Jans1n4960	80.1900	RFQ	9106	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	B, axial			5 W	B, axial	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a	10 µA @ 9.1 V				12 V	2.5 ohmios
1N4484US/TR	11.5000	RFQ	9391	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	-					EAR99	8541.10.0050	100					1.5 v @ 1 a	250 na @ 49.6 V				62 V	80 ohmios
Jans1n825-1/tr	125.9550	RFQ	6148	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/159	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n825-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V				6.2 V	15 ohmios
1 PMT5930/TR7	2.2200	RFQ	9071	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5930		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma	1 µA @ 12.2 V				16 V	10 ohmios
Jantx1n4108-1/tr	6.7564	RFQ	5032	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantX1N4108-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	50 na @ 10.7 V				14 V	200 ohmios
1N5928P/TR12	1.8600	RFQ	9362	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5928		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma	1 µA @ 9.9 V				13 V	7 ohmios
Jantxv1n4625d-1/tr	16.5186	RFQ	2001	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N4625D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	5 µA @ 3 V				5.1 V	1500 ohmios
CDLL4754A	3.4650	RFQ	9420	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf	CDLL4754			DO-213AB	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma	100 na @ 29.7 V				39 V	60 ohmios
CD4111	1.3699	RFQ	3129	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Morir			500 MW	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4111	EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 Ma	50 na @ 12.92 V				17 V	100 ohmios
CD4567A	7.9200	RFQ	4284	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	Morir				Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD4567A	EAR99	8541.10.0050	1						2 µA @ 3 V				6.4 V	200 ohmios
Jantx1n2809rb	-	RFQ	2439	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/114	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A-204AD	1N2809		10 W	TO-204AD (TO-3)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 2 a	10 µA @ 8.4 V				11 V	0.8 ohmios
1N3297	93.8550	RFQ	5954	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	1N3297	Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V		1.2 v @ 200 a	50 µA @ 1400 V	-65 ° C ~ 200 ° C	100A	-
Jans1n6317cus/tr	197.1004	RFQ	9421	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n6317cus/tr	EAR99	8541.10.0050	1					1.4 v @ 1 a	5 µA @ 2 V				5.1 V	14 ohmios
Jankca1N4129	-	RFQ	2096	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	DO-7 (DO-204AA)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANKCA1N4129	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	10 na @ 47.1 V				62 V	500 ohmios
SMBJ5928AE3/TR13	0.8850	RFQ	6834	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBJ5928		2 W	SMBJ (DO-214AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 200 ma	1 µA @ 9.9 V				13 V	7 ohmios
1N4101UR/TR	3.9400	RFQ	2481	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-					EAR99	8541.10.0050	249					1.1 V @ 200 Ma	500 na @ 6.24 V				8.2 V	200 ohmios
1N3348A	49.3800	RFQ	7288	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	1N3348		50 W	Do-5	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A	10 µA @ 121.6 V				220 V	85 ohmios
1N5932APE3/TR8	0.9150	RFQ	2033	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5932		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma	1 µA @ 15.2 V				20 V	14 ohmios
1N5920PE3/TR8	0.9150	RFQ	5309	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5920		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.500					1.2 v @ 200 ma	5 µA @ 4 V				6.2 V	2 ohmios
1N5925C	-	RFQ	1262	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204al, do041, axial	1N5925		1.25 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma	5 µA @ 8 V				10 V	4.5 ohmios
Jans1n6350us/tr	165.0150	RFQ	3977	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-jans1n6350us/tr	EAR99	8541.10.0050	50					1.4 v @ 1 a	50 na @ 91 V				120 V	600 ohmios
Jan1n6761-1	-	RFQ	5246	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/586	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial		Schottky		Do-41	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		690 MV @ 1 A	100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	70pf @ 5V, 1MHz
1N1375A	44.3850	RFQ	2657	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N137		10 W	DO-203AA (DO-4)	-			Alcanzar sin afectado	150-1n1375a	EAR99	8541.10.0050	1										100 V	40 ohmios
1N5991A	1.9950	RFQ	3492	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5991		500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma	15 µA @ 1 V				4.3 V	90 ohmios
1N4745CPE3/TR12	1.1550	RFQ	9681	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4745		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000					1.2 v @ 200 ma	5 µA @ 12.2 V				16 V	16 ohmios
1N3827AUR-1/TR	8.9400	RFQ	1415	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1.5 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-					EAR99	8541.10.0050	108					1.2 v @ 200 ma	10 µA @ 2 V				5.6 V	5 ohmios
Jan1N3328RB	-	RFQ	1567	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A	10 µA @ 32.7 V				43 V	4.5 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²