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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Tipo de diodo	Voltaje - Reverso Máximo (Max)	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)	Resistencia @ if, f
UM4306D	-	RFQ	9172	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo		-		Semental				-	-			Alcanzar sin afectado	150-UM4306DTR	EAR99	8541.10.0060	1		15 W							2.2pf @ 100V, 1 MHz	PIN - Single	600V			1.5ohm @ 100 mA, 100MHz
CDLL990B	8.1150	RFQ	6868	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)	CDLL990		500 MW	DO-213AA	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1												160 V	1700 ohmios
Jan1n4968	6.0000	RFQ	5092	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	E, axial	1N4968		5 W		descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		2 µA @ 20.6 V						27 V	6 ohmios
CDLL5533D	16.2000	RFQ	1565	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	-			Alcanzar sin afectado	150-CDLL5533D	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 11.7 V						13 V	90 ohmios
Jans1n4622d-1/tr	145.5408	RFQ	1537	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jans1n4622d-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		2.5 µA @ 2 V						3.9 V	1.65 ohmios
UZ340	32.2650	RFQ	1411	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	A, axial			3 W	A, axial	-			Alcanzar sin afectado	150-UZ340	EAR99	8541.10.0050	1
Jan1n747aur-1/TR	4.0831	RFQ	5060	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Enero1n747aur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 1 V						3.6 V	24 ohmios
1N5929CPE3/TR12	1.2000	RFQ	3638	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N5929		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	4.000				1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V						15 V	9 ohmios
Jantx1n6621u	15.8250	RFQ	2497	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/585	Una granela	Activo			Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N6621	Estándar		D-5A	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V	1.4 V @ 1.2 A	30 ns	500 na @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1.2a	-
1N4770A	-	RFQ	7527	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-55 ° C ~ 100 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1												9.1 V	200 ohmios
1N3035B-1	-	RFQ	7278	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3035		1 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 32.7 V						43 V	70 ohmios
Janhca1n4370a	6.9160	RFQ	8840	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/127	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JANHCA1N4370A	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		100 µA @ 1 V						2.4 V	30 ohmios
CDLL5919BE3	3.6575	RFQ	3815	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1.25 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5919BE3	EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		5 µA @ 3 V						5.6 V	2 ohmios
Jan1n4973us	8.2650	RFQ	4734	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	SQ-Melf, E	1N4973		5 W	D-5B	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		2 µA @ 32.7 V						43 V	20 ohmios
CDLL4925/TR	92.7600	RFQ	4319	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 100 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA			500 MW	DO-213AA	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL4925/TR	EAR99	8541.10.0050	1						15 µA @ 12 V						19.2 V	75 ohmios
1N5825	55.6000	RFQ	97	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Axial	1N5825	Schottky		Sombrero de Copa	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V	380 MV @ 5 A		10 Ma @ 40 V		5A	-
1 PMT5945A/TR7	2.2200	RFQ	2308	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5945		3 W	DO-216AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000				1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 51.2 V						68 V	120 ohmios
1N5357E3/TR13	0.9900	RFQ	9126	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 20%	-65 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	T-18, axial	1N5357		5 W	T-18	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1.250				1.2 v @ 1 a		500 na @ 14.4 V						20 V	3 ohmios
Jantx1n4993dus	69.6900	RFQ	6413	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/356	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, E			5 W	D-5B	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 1 a		2 µA @ 228 V						300 V	950 ohmios
Jantxv1n5529b-1/tr	8.2327	RFQ	3367	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5529B-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 8.2 V						9.1 V	45 ohmios
Jantxv1n5418/tr	10.0200	RFQ	1887	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/411	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	B, axial		Estándar		B, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5418/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V	1.5 v @ 9 a	150 ns	1 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N2998A	36.9900	RFQ	8826	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	1N2998		10 W	DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.5 v @ 2 a		10 µA @ 39 V						52 V	15 ohmios
Jantxv1n4461us	17.2200	RFQ	3015	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un	1N4461		1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1 V @ 200 Ma		5 µA @ 4.08 V						6.8 V	2.5 ohmios
UT3010	9.2550	RFQ	9937	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Axial		Estándar		B	-			Alcanzar sin afectado	150-UT3010	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V	1 v @ 2 a		5 µA @ 100 V	-195 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N5525Be3/TR	2.4450	RFQ	2539	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5525BE3/TR	EAR99	8541.10.0050	391				1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5 V						6.2 V	30 ohmios
Jan1n6313c	24.3300	RFQ	1481	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/533	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6313		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1.4 v @ 1 a		3 µA @ 1 V						3.6 V	25 ohmios
CD5928C	-	RFQ	5951	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-CD5928C	EAR99	8541.10.0050	109
Jantxv1n3821dur-1/tr	55.1418	RFQ	8545	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N3821DUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1				1.2 v @ 200 ma		75 µA @ 1 V						3.3 V	10 ohmios
Jantxv1n4466dus	-	RFQ	6681	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Descontinuado en sic	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	D-5A	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1				1 V @ 200 Ma		300 na @ 8.8 V						11 V	6 ohmios
1N3070ur	9.0600	RFQ	6696	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA		Estándar		DO-213AA	descascar			Alcanzar sin afectado	150-1N3070ur	EAR99	8541.10.0080	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		200 V	1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 175 V	-	100mA	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²